Todas las categorías

Módulos de tiristor de apagado rápido

Módulos de tiristor de apagado rápido

Página de inicio /  Productos  /  Módulo de tiristor/diodo /  Módulos de tiristor de apagado rápido

MK(H) x400 MK400,Módulos de tiristores de apagado rápido,refrigeración por aire

400A,600V~1800V,416F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MK(H)x400 MK400
Appurtenance:

Folleto del producto:DESCARGAR

  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Módulos de tiristor de apagado rápido ,MK(H)x 400 MK 400,4 00A .Aire enfriamiento,producido por TECHSEM .

VDRM, VRRM

Tipo y contorno

800V

MKx400-08-416F3

MHx400-08-416F3

1000V

MKx400-10-416F3

MHx400-10-416F3

1200V

MKx400-12-416F3

MHx400-12-416F3

1400V

MKx400-14-416F3

MHx400-14-416F3

1600V

MKx400-16-416F3

MHx400-16-416F3

1800V

MKx400-18-416F3

MHx400-18-416F3

Características

  • Base de montaje aislada 2500V~
  • Tecnología de contacto por presión con Capacidad de ciclo de potencia aumentada
  • Ahorro de espacio y peso

Aplicaciones típicas

  • El invertidor
  • Calentamiento por inducción
  • Helicóptero

El símbolo

Características

Condiciones de ensayo

Tj( )

valor

unidad

En el minuto

Tipo

- ¿ Qué?

IT(AV)

Corriente media en estado de conducción

180media onda sinusoidal 50Hz Enfriado por un lado,Tc=85

125

400

A. El

IT(RMS)

Corriente de estado en RMS

628

A. El

No puedo no puedo

Corriente pico repetitiva

en VDRM en VRRM

125

100

El número de

Yo TSM

Corriente de sobrecarga en estado de conducción

Onda sinusoidal de medio ciclo VR=60%VRRM

125

8

KA

Yo 2t

I2t para coordinación de fusibles

320

A. El 2s* 10 3

v a

Voltaje de umbral

125

0.83

v

rT

Resistencia de pendiente en estado de conducción

0.72

mΩ

v TM

Voltaje pico en estado de conducción

ITM= 1200A

25

2.40

v

dv/dt

Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido

Fuente de puerta 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitivo

125

200

A/μs

¿Qué es eso?

Cargo por recuperación

ITM=300A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V

125

650

El valor de la concentración

Tq

Tiempo de apagado conmutado por circuito

ITM=300A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

15

35

μs

IGT

Corriente de disparo de puerta

El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.

25

30

200

El número de

Vgt.

Voltaje de disparo de puerta

0.8

3.0

v

IH

Corriente de mantenimiento

10

200

El número de

VGD

Voltaje de puerta no disparado

VDM=67%VDRM

125

0.2

v

Rth(j-c)

Resistencia térmica unión a carcasa

Enfriado por un lado por chip

0.065

/W

Rth(c-h)

Resistencia térmica de la caja al disipador

Enfriado por un lado por chip

0.023

/W

VISO (en inglés)

Voltaje de aislamiento

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

v

- ¿ Qué?

Par de conexión del terminal (M10)

12.0

Nuevo Méjico

Par de montaje (M6)

6.0

Nuevo Méjico

TVj

Temperatura de unión

-40

115

TSTG

Temperatura almacenada

-40

115

El

Peso

1500

G. El

Esquema

416F3

Esquema

Esquema del circuito equivalente

Obtenga una cotización gratuita

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Email
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000

PRODUCTO RELACIONADO

¿Tiene preguntas sobre algún producto?

Nuestro equipo de ventas profesional está esperando tu consulta.
Puedes seguir su lista de productos y hacer cualquier pregunta que te interese.

Obtener una cotización

Obtenga una cotización gratuita

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Email
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000