55A,600V~1800V,229H3
Folleto del producto:DESCARGAR
Breve introducción
Diodo de Soldadura módulo ,m D C 55,55A ,Refrigeración por aire ,Producido por TECHSEM.
VIRM | Tipo y contorno |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V | MDC 55-06-229H3 MDC 55-08-229H3 MDC 55-10-229H3 MDC 55-12-229H3 MDC 55-14-229H3 MDC 55-16-229H3 MDC 55-18-229H3 |
Características ：
Aplicaciones típicas ：
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo | Tj( ℃ ) | valor |
unidad | ||
En el minuto | Tipo | - ¿ Qué? | |||||
IF(AV) | Corriente media directa | 180° media onda senoidal 50Hz Enfriamiento de un solo lado, TC=100 ℃ | 150 |
|
| 55 | A. El |
IF(RMS) | Corriente directa RMS | 150 |
|
| 86 | A. El | |
MIRR | Corriente pico repetitiva | en VRRM | 150 |
|
| 8 | El número de |
El IFSM | Corriente de avance de sobretensión | 10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM |
150 |
|
| 1.8 | KA |
El 1 de enero | I2t para coordinación de fusibles |
|
| 16.2 | 103A. El 2s | ||
VFO | Voltaje de umbral |
|
150 |
|
| 0.80 | v |
rF | Resistencia de pendiente directa |
|
| 3.74 | mΩ | ||
VFM | Voltaje directo pico | IFM= 170A | 25 |
|
| 1.40 | v |
Rth(j-c) | Resistencia térmica unión a carcasa | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.70 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Resistencia térmica de la caja al disipador | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.20 | ℃ /W |
VISO (en inglés) | Voltaje de aislamiento | 50Hz, R.M.S,t=1min, Iiso:1mA(max) |
| 3000 |
|
| v |
- ¿ Qué? | Par de conexión del terminal (M5) |
|
| 2.5 |
| 4.0 | Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | Nuevo Méjico | |
TVj | Temperatura de unión |
|
| -40 |
| 150 | ℃ |
TSTG | Temperatura almacenada |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
El | Peso |
|
|
| 100 |
| G. El |
Esquema | 224H3 | ||||||
ES
