110A,600V~1800V,229H3
Folleto del producto:DESCARGAR
Breve introducción
Diodo de Soldadura módulo ,m D C 110,110A ,Refrigeración por aire ,Producido por TECHSEM.
VIRM | Tipo y contorno |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V | MDC 110-06-229H3 MDC 110-08-229H3 MDC 110-10-229H3 MDC 110-12-229H3 MDC 110-14-229H3 MDC 110-16-229H3 MDC 110-18-229H3 |
Características ：
Aplicaciones típicas ：
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo | Tj( ℃ ) | valor |
unidad | ||
En el minuto | Tipo | - ¿ Qué? | |||||
IF(AV) | Corriente media directa | 180° media onda senoidal 50Hz Enfriamiento de un solo lado, TC=100 ℃ |
150 |
|
| 110 | A. El |
IF(RMS) | Corriente directa RMS |
|
| 173 | A. El | ||
MIRR | Corriente pico repetitiva | en VRRM | 150 |
|
| 8 | El número de |
El IFSM | Corriente de avance de sobretensión | VR=60%VRRM,,t= 10ms half sine, |
150 |
|
| 2.0 | KA |
El 1 de enero | I2t para coordinación de fusibles |
|
| 20.0 | 103A. El 2s | ||
VFO | Voltaje de umbral |
|
150 |
|
| 0.80 | v |
rF | Resistencia de pendiente directa |
|
| 1.74 | mΩ | ||
VFM | Voltaje directo pico | IFM=330A | 25 |
|
| 1.55 | v |
Rth(j-c) | Resistencia térmica unión a carcasa | A 1800 sine. Enfriado por un solo lado por chip |
|
|
| 0.35 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Resistencia térmica de la caja al disipador | A 1800 sine. Enfriado por un solo lado por chip |
|
|
| 0.20 | ℃ /W |
VISO (en inglés) | Voltaje de aislamiento | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
- ¿ Qué? | Par de conexión del terminal (M5) |
|
| 2.5 |
| 4 | Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
|
| 4.5 |
| 6 | Nuevo Méjico | |
TVj | Temperatura de unión |
|
| -40 |
| 150 | ℃ |
TSTG | Temperatura almacenada |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
El | Peso |
|
|
| 100 |
| G. El |
Esquema | 224H3 | ||||||
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