Módulo IGBT 6500V

YMIF750-65,Módulo IGBT,IGBT de un solo interruptor,CRRC

YMIF750-65,Módulo IGBT,IGBT de un solo interruptor,CRRC

6500V 750A

Brand:

El CRRC

Spu:

YMIF750-65 /TIM750ASM65-PSA011

Introducción
Esquema

Introducción

Breve introducción:

Módulos IGBT de alta tensión y un solo interruptor producidos por CRRC. 6500V 750A.

Parámetros clave

V _{El CES}	6500 V
V _{CE (sat)}Es el tipo.	3.0 V
Yo _CMáx.	750 A
Yo _C(RM)Máx.	1500 A

Aplicaciones típicas

Las unidades de tracción
Controladores de motor
Red Inteligente
Invertidor de alta fiabilidad

Características

Base de AISiC
Substratos de AIN
Capacidad de ciclo térmico elevada
10 μs Resistir a cortocircuito

El valor máximo absoluto El precio los

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Valor	Unidad
V _{El CES}	Voltagem del colector-emittente	VGE = 0V, TC = 25 °C	6500	V
V _{El GES}	Voltagem del emisor de la puerta	TC= 25 °C	± 20	V
Yo _C	Corriente colector-emitente	TC = 80 °C	750	A. El
Yo _C(PK)	Corriente máxima del colector	tP=1 ms	1500	A. El
P _máx	Disposición máxima de energía del transistor	La temperatura de los gases de efecto invernadero se calculará en función de la temperatura de los gases de efecto invernadero.	11.7	kw
Yo ²t	Diodo I2t	La temperatura de la corriente de aire de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de	460	kA2s
V _sólo	Voltado de aislamiento por módulo	(Terminales comunes a la placa base), AC RMS, 1 min, 50Hz, TC= 25 °C	10.2	kV
¿Qué es? _PD	Descarga parcial - por módulo	El número de unidades de producción V1 = 6900V, V2 = 5100V, 50Hz RMS	10	pC

Datos térmicos y mecánicos

El símbolo	Explicación	Valor	Unidad
Distancia de creepage	Terminal para el sumidero	56.0	mm
Distancia de creepage	Terminal a terminal	56.0	mm
Autorización	Terminal para el sumidero	26.0	mm
Autorización	Terminal a terminal	26.0	mm
CTI (Índice de seguimiento comparativo)		>600

Rth(J-C) IGBT	Resistencia térmica - IGBT			8.5	K / kW
Rth(J-C) Diodo	Resistencia térmica - Diodo			19.0	K / kW
Rth(C-H) IGBT	Resistencia térmica - de la carcasa al disipador de calor (IGBT)	Par de montaje 5Nm, con grasa de montaje 1W/m·°C		9	K / kW
Rth(C-H) Diodo	Resistencia térmica - de la carcasa al disipador de calor (Diodo)	Par de montaje 5Nm, con grasa de montaje 1W/m·°C		18	K / kW
Tvjop	Temperatura de funcionamiento de las uniones	( IGBT )	-40	125	°C
Tvjop	Temperatura de funcionamiento de las uniones	( Diodo )	-40	125	°C
TSTG	temperatura de almacenamiento Rango de Temperatura de Almacenamiento		-40	125	°C
M	Par de tornillo	Montaje –M6		5	Nm
		Conexiones eléctricas – M4		2	Nm
		Conexiones eléctricas – M8		10	Nm

Características Eléctricas

符号 (símbolo) El símbolo		参数名称 (nombre del elemento) Parámetro		条件 Condiciones de ensayo		el valor más bajo Mín.	典型值 (valor típico) Es el tipo.	máximo valor Máx.	unidad Unidad
El CIEM		集电极截止电流 (cuadro de las corrientes eléctricas) Corriente de corte del colector		VGE = 0V,VCE = VCES				1	el número de
				VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C				90	el número de
El IGES		极漏电流 (极 fuga de energía) Corriente de fuga de la puerta		VGE = ±20V, VCE = 0V				1	mA
VGE (TH)		puerta -voltaje de umbral del emisor Voltagem de umbral de la puerta		IC = 120mA, VGE = VCE		5.00	6.00	7.00	V
VCE (sat) ((*1)		集电极 -voltaje de saturación del emisor Saturación del colector-emittente voltaje		VGE =15V, IC = 750A			3.0	3.4	V
				VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C			3.9	4.3	V
IF		corriente continua directa del diodo Corriente de diodo hacia adelante		CC			750		A. El
El número de personas		corriente pico repetitiva directa del diodo Corriente de pico directa del diodo		tP = 1 ms			1500		A. El
VF(*1)		tensión directa del diodo Voltado del diodo hacia adelante		IF = 750A, VGE = 0			2.55	2.90	V
				IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C			2.90	3.30	V
ISC		corriente de cortocircuito Corriente de cortocircuito		Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs, VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, CEI 6074-9			2800		A. El
Las		capacidad de entrada Capacidad de entrada		VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz			123		nF (número de trabajo)
El número de		极电荷 (cuadro de las unidades de carga) Cargo por puerta		± 15 V			9.4		el valor de la concentración
El Cres		capacidad de transmisión inversa Capacidad de transferencia inversa		VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz			2.6		nF (número de trabajo)
LM		inductancia del módulo Inductancia del módulo					10		nH
RINT		resistencia interna Resistencia interna del transistor					90		mΩ
tD _(apagado)	tiempo de apagado Tiempo de retraso de apagado		IC =750A, VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,		Tvj= 25 °C		3060		el Consejo
					Tvj= 125 °C		3090
t _f	¿Qué pasa? Tiempo de caída				Tvj= 25 °C		2390		el Consejo mJ el Consejo el Consejo mJ el valor de la concentración
					Tvj= 125 °C		2980
E _Off	pérdida de desconexión Pérdida de energía de apagado				Tvj= 25 °C		3700
					Tvj= 125 °C		4100
tD _(encendido)	开通延迟时间 Tiempo de retraso de encendido		IC =750A, VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,		Tvj= 25 °C		670
					Tvj= 125 °C		660
tr	¿Qué pasa? Tiempo de ascenso				Tvj= 25 °C		330
					Tvj= 125 °C		340
E _On	pérdida de conmutación Pérdida de energía por encendido				Tvj= 25 °C		4400
					Tvj= 125 °C		6100
¿Qué es eso?	carga de recuperación inversa del diodo Diodo inverso cargo por recuperación		IF =750A, VCE = 3600V, - diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).		Tvj= 25 °C		1300
					Tvj= 125 °C		1680
No	corriente de recuperación inversa del diodo Diodo inverso corriente de recuperación				Tvj= 25 °C		1310		A. El mJ
					Tvj= 125 °C		1460
El Erec	pérdida de recuperación inversa del diodo Diodo inverso energía de recuperación				Tvj= 25 °C		2900
					Tvj= 125 °C		4080