YMIF1200-45, Módulo IGBT, Interruptor Individual IGBT, CRRC

Módulo IGBT 4500V

YMIF1200-45, Módulo IGBT, Interruptor Individual IGBT, CRRC

4500V 1200A

Brand:

El CRRC

Spu:

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Introducción
Esquema

Introducción

Breve introducción:

Producción personalizada por YT,Paquete StakPak,Modulo IGBTcon FWD.

Parámetros clave

VCES	4500		v
VCE (sat)	(Tipo)	2.30	v
CI	(máx)	1200	A. El
ICRM)	(máx)	2400	A. El

Aplicaciones típicas

Las unidades de tracción
Controladores de motor
Red Inteligente
Invertidor de alta fiabilidad

Características

Base de AISiC
Substratos de AIN
Capacidad de ciclo térmico elevada
10μResistencia a cortocircuitos
Dispositivo de bajo Ve(sat)
Alta densidad de corriente

En absoluto Máximo Calificación Tcase=25℃ a menos que se indique lo contrario

符号 (símbolo) (Simbolo)	参数名称 (nombre del elemento) (Parámetro)		condiciones de prueba (Condiciones de ensayo)			Número de valor (valor)		单位 (Unidad)
VCES	集电极-Voltaje de emisor Voltagem del colector-emittente		VGE=OV, Tvj=25℃			4500		v
VGES	Puerta-Voltaje de emisor Voltagem del emisor de la puerta					±20		v
CI	集电极电流 (cuadro de las corrientes eléctricas) Voltagem del colector-emittente		Tvj=125℃, Tcase=85℃			1200		A. El
IC ((PK)	集电极峰值电流 Corriente máxima del colector		1 ms			2400		A. El
Pmax	Pérdida máxima de transistor Máxima disipación de potencia del transistor		Tvj=125℃, Tcase=25℃			12.5		kw
I²t	Diodo²tValor Diodo I²t		VR=0V, tp=10ms, Tvj=125℃			530		kA²s
El visol	绝缘 electricidad(模块) Voltaje de aislamiento por módulo		短接 todos los terminales, terminales y base de la placa entre la presión eléctrica (Terminales comunes a la placa base), AC RMS, 1 min, 50Hz			10200		v
El número de unidades	局部放电电荷 (en inglés)(模块) Descarga parcial por módulo		IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS			10		PC
Distancia de escalada		Distancia de creepage			56mm
Espacio de aislamiento		Autorización			26mm
Índice de resistencia a la formación de rastros de fuga		CTI (Índice Crítico de Rastreo)			>600
Datos térmicos y mecánicos
符号 (símbolo) (Simbolo)	参数名称 (nombre del elemento) (Parámetro)			condiciones de prueba (Condiciones de ensayo)		Mínimo (Mín)	Máximo (máx)	单位 (Unidad)
Rh(J-C)IGBT	GBTResistencia térmica de unión a carcasa Resistencia térmica-IGBT			Pérdida de potencia constante del encapsulado Disipación continua - unión a la carcasa			8	K/kW
Rh(J-C)Diodo	Resistencia térmica del encapsulado del diodo Resistencia térmica - diodo			Pérdida de potencia constante del encapsulado Disipación continua - unión a la carcasa			16	K/kW
Rt(C-H)	Resistencia térmica de contacto(模块) Resistencia térmica- carcasa al disipador de calor (por módulo)			Término de carga5Nm(Pasta térmica1W/m · ℃) Par de montaje 5Nm (con grasa de montaje 1W/m · ℃)			6	K/kW
Tv	结温Temperatura de unión			El IGBTParte(IGBT)			125	℃
				Parte del diodo(Diodo)			125	℃
TSTG	Temperatura de almacenamientoRango de Temperatura de Almacenamiento					-40	125	℃
m	Término de cargaPar de tornillo			Para fijación de instalación-M6 Montaje -M6			5	Nm
				Para interconexión de circuitos-M4 Conexiones eléctricas -M4			2	Nm
				Para interconexión de circuitos-M8 Conexiones eléctricas -M8			10	Nm

Característica eléctricas

Tcase=25℃ a menos que se indique lo contrario
符号 (símbolo) (Simbolo)		参数名称 (nombre del elemento) (Parámetro)	条件 (Condiciones de ensayo)		Más Pequeño (Mín)	Típico (Tipo)	Más Grande (máx)	Unidad (Unidad)
El CIEM		集电极截止电流 (cuadro de las corrientes eléctricas) Corriente de corte del colector	VGE=OV,VcE=VCES				1	El número de
El CIEM			VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C				90	El número de
El IGES		极漏电流 (极 fuga de energía) Corriente de fuga de la puerta	VGE=±20V,VcE=0V				1	MA
VGE (h)		Puerta-Voltaje de umbral del emisor Voltagem de umbral de la puerta	Ic=120mA,VGE=VCE		5.0	6.0	7.0	v
VCE(sa)		集电极-Voltaje de saturación del emisor Saturación del colector-emittente Voltaje	VGE=15V,Ic=1200A			2.3	2.8	v
VCE(sa)			VGE=15V,Ic=1200A,Tvj=125°C			3.0	3.5	v
IF		Corriente continua directa del diodo Corriente de diodo hacia adelante	CC			1200		A. El
El número de personas		Corriente pico repetitiva directa del diodo Corriente máxima directa del diodo	TP=1 ms			2400		A. El
vF(1		Tensión directa del diodo Voltado del diodo hacia adelante	/F=1200A			2.4	2.9	v
vF(1		Tensión directa del diodo Voltado del diodo hacia adelante	/F=1200A,Tvj=125°C			2.7	3.2	v
Las		capacidad de entrada Capacidad de entrada	VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz			135		NF (número de trabajo)
Q₉		极电荷 (cuadro de las unidades de carga) Cargo por puerta	± 15 V			11.9		El valor de la concentración
El Cres		Capacidad de transmisión inversa Capacidad de transferencia inversa	VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz			3.4		NF (número de trabajo)
LM		Inductancia del módulo Inductancia del módulo				10		nH
RINT		Resistencia interna Resistencia interna del transistor				90		El valor de la carga
ISC		Corriente de cortocircuito Corriente de cortocircuito,Isc	Tvj=125°C,Vcc=3400V, VGE≤15V,tp≤10μs, VCE(max)=VCEs-L(2×di/dt, IEC 60747-9			5300		A. El
td(of)	Tiempo de apagado Tiempo de retraso de apagado			Ic=1200A VcE=2800V Cge=220nF L～180nH VGE=±15V RG(ON)=1.5Ω RG(OFF)=2.7Ω		2700		El Consejo
TF	¿Qué pasa? Tiempo de caída					700		El Consejo
El número de personas	Pérdida de desconexión Pérdida de energía de apagado					5800		mJ
tdon)	开通延迟时间 Tiempo de retraso de encendido					720		El Consejo
t	¿Qué pasa? Tiempo de ascenso					270		El Consejo
El EON	Pérdida de conmutación Pérdida de energía por encendido					3200		mJ
Qm	Carga de recuperación inversa del diodo Carga de recuperación inversa del diodo			/F=1200A VcE =2800V dip/dt =5000A/us		1200		El valor de la concentración
Yo	Corriente de recuperación inversa del diodo Corriente de recuperación inversa del diodo					1350		A. El
El Erec	Pérdida de recuperación inversa del diodo Energía de recuperación inversa del diodo					1750		mJ
td(of)	Tiempo de apagado Tiempo de retraso de apagado			Ic=1200A VcE =2800V Cge=220nF L～180nH VGE=±15V RG(ON)=1.5Ω RGOFF)=2.7Ω		2650		El Consejo
TF	¿Qué pasa? Tiempo de caída					720		El Consejo
El número de personas	Pérdida de desconexión Pérdida de energía de apagado					6250		mJ
tdon)	开通延迟时间 Tiempo de retraso de encendido					740		El Consejo
t	¿Qué pasa? Tiempo de ascenso					290		El Consejo
El EON	Pérdida de conmutación Pérdida de energía por encendido					4560		mJ
¿Qué es?	Carga de recuperación inversa del diodo Carga de recuperación inversa del diodo			/F=1200A VcE=2800V dip/dt =5000A/us		1980		El valor de la concentración
Yo	Corriente de recuperación inversa del diodo Corriente de recuperación inversa del diodo			/F=1200A VcE=2800V dip/dt =5000A/us		1720		A. El
El Erec	Pérdida de recuperación inversa del diodo Energía de recuperación inversa del diodo					3250		mJ