YMIF1000-33,Módulo IGBT,IGBT de un solo interruptor,CRRC

Módulo IGBT，3300V 1000A

Brand:

El CRRC

Spu:

El número de unidades de producción

Breve introducción

Módulos IGBT de alta tensión y un solo interruptor producidos por CRRC. 3300V 1000A.

Clave Parámetros

Aplicaciones típicas

Aplicaciones típicas

Clasificación Máxima Absoluta

(Simbolo)	(Parámetro)	(Condiciones de ensayo)	(valor)	(Unidad)
VCES	Voltagem del colector-emittente	VGE = 0V, TC = 25 °C	3300	V
VGES	Voltagem del emisor de la puerta	TC= 25 °C	± 20	V
El	Corriente colector-emitente	TC = 95 °C	1000	A. El
IC ((PK)	Corriente máxima del colector	t P= 1ms	2000	A. El
P máximo	Disposición máxima de energía del transistor	La temperatura de los gases de efecto invernadero se calculará en función de la temperatura de los gases de efecto invernadero.	10.4	kw
El 2t	Diodo I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	kA2s
El visol	Voltado de aislamiento por módulo	Terminales comunes a la placa base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	V
Q PD	Descarga parcial por módulo	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	pC

Características eléctricas

(Simbolo)		(Parámetro)	(Condiciones de ensayo)	(Mín)	(Tipo)	(máx)	(Unidad)
I CES		Corriente de corte del colector	VGE = 0V,VCE = VCES			1	el número de
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C			60	el número de
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C			100	el número de
I GES		Corriente de fuga de la puerta	VGE = ±20V, VCE = 0V			1	mA
VGE (TH)		Voltagem de umbral de la puerta	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	V
VCE	(*1) (sat)	Saturación del colector-emittente voltaje	VGE= 15V, I C= 1000A		2.40	2.90	V
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C		2.95	3.40	V
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C		3.10	3.60	V
I F		Corriente de diodo hacia adelante	CC		1000		A. El
I FRM		Corriente máxima directa del diodo	t P = 1ms		2000		A. El
VF(*1)		Voltado del diodo hacia adelante	I F= 1000A		2.10	2.60	V
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C		2.25	2.70	V
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C		2.25	2.70	V
C ies		Capacidad de entrada	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		170		nF (número de trabajo)
Q g		Cargo por puerta	± 15 V		17		el valor de la concentración
C res		Capacidad de transferencia inversa	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		4		nF (número de trabajo)
L M		Inductancia del módulo			15		nH
R INT		Resistencia interna del transistor			165		el valor de la carga
I SC		Corriente de cortocircuito, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3900		A. El

el número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado	I C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1800	el Consejo
el	Tiempo de caída		530	el Consejo
E OFF	Pérdida de energía de apagado		1600	mJ
en el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido		680	el Consejo
t r	Tiempo de ascenso		320	el Consejo
El EON	Pérdida de energía por encendido		1240	mJ
Q rr	Carga de recuperación inversa del diodo	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	780	el valor de la concentración
El	Corriente de recuperación inversa del diodo		810	A. El
E rec	Energía de recuperación inversa del diodo		980	mJ
el número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado	I C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1940	el Consejo
el	Tiempo de caída		580	el Consejo
E OFF	Pérdida de energía de apagado		1950	mJ
en el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido		660	el Consejo
t r	Tiempo de ascenso		340	el Consejo
El EON	Pérdida de energía por encendido		1600	mJ
Q rr	Carga de recuperación inversa del diodo	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	1200	el valor de la concentración
El	Corriente de recuperación inversa del diodo	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	930	A. El