4500V 2000A
Breve introducción:
Producción personalizada por YT, StakPak Package, Modulo IGBT con el FWD.
Características
Aplicaciones
Máximo Nominal Valores
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidad |
Voltagem del colector-emittente |
V El CES |
V El sector de la energía =0V, T vj = 25 ° C |
4500 |
V |
Colector DC Cu renta |
Yo C |
T C =100 ° C,T vj = 125 ° C |
2000 |
A. El |
Corriente máxima del colector |
Yo Cm |
t p =1 ms |
4000 |
A. El |
Puerta -Emisor Voltaje |
V El GES |
|
± 20 |
V |
Total Poder Disipación |
P tot |
T C = 25 ° C,T vj = 125 ° C |
20800 |
W |
CC Cobre Adelante renta |
Yo F |
|
2000 |
A. El |
Pico Corriente Adelante alquiler |
Yo El MFR |
t p =1 ms |
4000 |
A. El |
Corriente de sobretensión |
Yo FSM |
V R =0V,T vj = 125 ° C, t p =10ms,media onda sinusoidal |
14000 |
A. El |
Cortocircuito IGBT SOA |
t el |
V CC el valor de las emisiones de CO2 será el siguiente: V El CEM Chip ≤4500V V El sector de la energía ≤15V,T vj ≤125 ° C |
10 |
μs |
Temperatura Máxima de Unión Temperatura |
T vj (máx ) |
|
125 |
℃ |
Unión Temperatura de funcionamiento |
T vj (op ) |
|
-40~125 |
℃ |
Temperatura del caso |
T C |
|
-40~125 |
℃ |
Temperatura de almacenamiento |
T el GST |
|
-40~70 |
℃ |
Fuerza de Montaje |
F M |
|
60~75 |
kN |
Valores de las características de las IGBT
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidad |
|||
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
|||||
Tensión de Ruptura Colector-Emisor |
V (BR) CES |
VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃ |
4500 |
|
|
V |
|
Tensión de saturación colector-emisor |
VCE (sat) |
IC=2000A, VGE=15V |
Tvj=25℃ |
|
2.70 |
3.05 |
V |
Tvj=125℃ |
|
3.35 |
3.85 |
V |
|||
Corriente de Corte Colector-Emisor |
El CIEM |
VCE=4500V, VGE=0V |
Tvj=25℃ |
|
|
1 |
el número de |
Tvj=125℃ |
|
15 |
100 |
el número de |
|||
Corriente de Fuga de Puerta-Emisor |
El IGES |
VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃ |
-500 |
|
500 |
nA |
|
Voltaje de umbral de puerta-emisor |
VGE (h) |
IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃ |
6.7 |
|
7.7 |
V |
|
Cargo por puerta |
El número de |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V |
|
10 |
|
el valor de la concentración |
|
Capacidad de entrada |
Las |
VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃ |
|
213 |
|
nF (número de trabajo) |
|
Capacidad de salida |
Coes |
|
15.3 |
|
nF (número de trabajo) |
||
Capacidad de transferencia inversa |
El Cres |
|
4.7 |
|
nF (número de trabajo) |
||
Resistencia de la puerta interna |
RGint |
|
|
0 |
|
ω |
|
Tiempo de retraso de encendido |
en el momento en que se inicia |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=±15V, RGon=1.8Ω, RGoff=8.2Ω, CGE=330nF, LS=140nH, Carga inductiva |
Tvj=25℃ |
|
1100 |
|
el Consejo |
Tvj=125℃ |
|
900 |
|
el Consejo |
|||
Tiempo de ascenso |
tr |
Tvj=25℃ |
|
400 |
|
el Consejo |
|
Tvj=125℃ |
|
450 |
|
el Consejo |
|||
Tiempo de retraso de apagado |
el número de teléfono |
Tvj=25℃ |
|
3800 |
|
el Consejo |
|
Tvj=125℃ |
|
4100 |
|
el Consejo |
|||
Tiempo de caída |
tF |
Tvj=25℃ |
|
1200 |
|
el Consejo |
|
Tvj=125℃ |
|
1400 |
|
el Consejo |
|||
Energía de Conmutación de Encendido |
El EON |
Tvj=25℃ |
|
14240 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
15730 |
|
mJ |
|||
Energía de Conmutación de Apagado |
El número de personas |
Tvj=25℃ |
|
6960 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
8180 |
|
mJ |
|||
Corriente de cortocircuito |
ISC |
VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃ VCEM CHIP≤4500V |
|
8400 |
|
A. El |
Valores característicos del diodo
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidad |
|||
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
|||||
Voltaje de Adelante |
VF |
IF=2000A |
Tvj=25℃ |
|
2.60 |
|
V |
Tvj=125℃ |
|
2.85 |
|
V |
|||
Corriente de recuperación inversa |
No |
IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH, Carga inductiva |
Tvj=25℃ |
|
1620 |
|
A. El |
Tvj=125℃ |
|
1970 |
|
A. El |
|||
Carga de Recuperación Inversa |
¿Qué es eso? |
Tvj=25℃ |
|
1750 |
|
uC |
|
Tvj=125℃ |
|
2700 |
|
uC |
|||
Tiempo de recuperación inversa |
trr |
Tvj=25℃ |
|
4.0 |
|
eE. UU. |
|
Tvj=125℃ |
|
5.1 |
|
eE. UU. |
|||
Pérdida de Energía de Recuperación Inversa |
El Erec |
Tvj=25℃ |
|
2350 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
3860 |
|
mJ |
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