H76ZYG, Diodo de Recuperación Suave

Número de parte H76ZYG-ZT73dT

Brand:

TECHSEM

Spu:

H76ZYG-ZT73dT

Appurtenance:

Folleto del producto:DESCARGAR

Yo _T(AV)

2200A

v _RRM

40Las demás 42Las demás

Las demás

Características

Aplicaciones típicas

El símbolo	Características	Condiciones de ensayo		Tj( ℃ )	valor			unidad
El símbolo	Características	Condiciones de ensayo		Tj( ℃ )	mín	Tipo	máx	unidad
IF(AV)	Corriente media directa	180° con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,	Tsink=55 ℃	125			2200	A. El
MIRR	Corriente pico repetitiva	en VRRM		125			240	El número de
El IFSM	Corriente de avance de sobretensión	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		125			23	KA
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		125			2645	A2s* 103
VFO	Voltaje de umbral			125			1.65	v
rF	Resistencia de pendiente directa			125			0.26	MΩ
VFM	Voltaje directo pico	@IFM=3000A,	F=40kN	25			2.80	v
VFM	Voltaje directo pico	@IFM=5000A	F=40kN	125			2.98	v
VFRM	Voltaje máximo de recuperación directa	di/dt= 1000A/μs		125			80	v
VFRM	Voltaje máximo de recuperación directa	di/dt= 1000A/μs		25			40	v
MIR	Corriente de recuperación inversa	IFM=2000A,tp=4000μs, -di/dt=60A/μs, VR=50V		125		400		A. El
trr	Tiempo de recuperación inversa					8.0		μs
¿Qué es eso?	Cargo por recuperación					2000		El valor de la concentración
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	A 1800 seno, enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 40kN					0.010	° /W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador de calor						0.003	° /W
- ¿ Qué?	Fuerza de Montaje				35		47	kN
¿Qué es eso?	Rango de temperatura de operación				-40		125	℃
TSTG	Temperatura almacenada				-40		150	℃
El	Peso					1460		G. El
Esquema	ZT73dT