H76ZYG, Diodo de recuperación suave

Número de parte H76ZYG-ZT73dT

Brand:

TECHSEM

Spu:

H76ZYG-ZT73dT

Appurtenance:

folleto del producto:Descargar

- ¿ Qué?_T(AV)

2200a)

V:_RRM

40Las demás 42Las demás

Las demás

Características

aplicaciones típicas

El símbolo	características	Condiciones de ensayo		Tj(°C)	valor de las			Unidad
El símbolo	características	Condiciones de ensayo		Tj(°C)	el tiempo	Tipo de producto	El máximo	Unidad
IF(AV)	Corriente media directa	180¿ Qué?con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,	Tsink=55°C	125			2200	A
MIRR	Corriente pico repetitiva	en VRRM		125			240	¿Qué quieres?
El IFSM	Corriente de avance de sobretensión	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		125			23	el
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		125			2645	A2s* 103
VFO	Voltaje de umbral			125			1.65	V:
rf	Resistencia de pendiente directa			125			0.26	MΩ
VFM	Voltaje directo pico	@IFM=3000A,	F=40kN	25			2.80	V:
VFM	Voltaje directo pico	@IFM=5000A	F=40kN	125			2.98	V:
VFRM	Voltaje máximo de recuperación directa	di/dt= 1000A/μs		125			80	V:
VFRM	Voltaje máximo de recuperación directa	di/dt= 1000A/μs		25			40	V:
MIR	Corriente de recuperación inversa	IFM=2000A,tp=4000μs, -di/dt=60A/μs, VR=50V		125		400		A
trr	Tiempo de recuperación inversa					8.0		μs
¿Qué es eso?	Cargo por recuperación					2000		El valor de la concentración
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	A 1800 seno, enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 40kN					0.010	¿ Qué? /W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador de calor						0.003	¿ Qué? /W
El	Fuerza de Montaje				35		47	No
¿Qué es eso?	rango de temperatura de funcionamiento				-40		125	°C
TSTG	Temperatura almacenada				-40		150	°C
Tc y	PESO					1460		G. El
el esquema	ZT73dT