H150KPU, Tiristor de Control de Fase

Tiristor de Control de Fase

La parte No. El número de unidades de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción

Brand:

TECHSEM

Spu:

El número de unidades de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción de la unidad de producción

Introducción
el esquema

Introducción

IT(AV)

4200A

VDRM, VRRM

Las demás

Características：

Puerta de amplificación central
Cuadro de metal con aislante cerámico
Bajas pérdidas de estado activo y de conmutación

aplicaciones típicas：

AControllers de tipo C
Control de los motores de CC y CA
Rectificadores controlados

El símbolo	características	Condiciones de ensayo		Tj(。C)	valor de las			Unidad
El símbolo	características	Condiciones de ensayo		Tj(。C)	el tiempo	Tipo de producto	El máximo	Unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180。medio onda senoidal 50Hz doble lado enfriado	TC=70。C) El	100			4200	A
VDRM VRRM	Voltado de emergencia de pico repetitivo Voltado inverso de pico repetitivo	tp=10ms		125	7300		8500	V:
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	en VDRM en VRRM		100			800	¿Qué quieres?
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	@7000V, DC		25			100	MA
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		100			100	el
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		100			50000	103A2s
VTO	Voltaje de umbral			100			1.56	V:
Rt	Resistencia de pendiente en estado de conducción			100			0.12	MΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	El valor de la presión de escape de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ens		25			2.40	V:
dv/dt	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto	VDM=0.67VDRM		100			2000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido	VDM= 67% de VDRM, Impulso de la puerta tr ≤ 0,5μs IGM=1,5A		100			600	A/μs
¿Qué es eso?	Cargo por recuperación	El valor de la potencia de la corriente de corriente de un conductor eléctrico de un tipo de energía de corriente de un tipo de corriente de un tipo de corriente de un tipo de corriente de un tipo de corriente de un tipo de corriente de un tipo de corriente de un tipo de corriente de un tipo de corriente de un tipo		100		9200		El valor de la concentración
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corri		25	40		300	¿Qué quieres?
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta				0.8		3.5	V:
IH	Corriente de mantenimiento				20		1000	¿Qué quieres?
El	Corriente de retención						1000	¿Qué quieres?
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM		100			0.3	V:
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	A 180。Sinus, doble lado enfriado Fuerza de sujeción120kN					0.0020	。C /W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	A 180。Sinus, doble lado enfriado Fuerza de sujeción120kN					0.0005	。C /W
El	Fuerza de Montaje				165	175	190	No
TVj	Temperatura de unión				-40		100	。C) El
TSTG	Temperatura almacenada				-40		140	。C) El
Tc y	PESO					4000		G. El
el esquema	El número de unidades de producción