Tiristor de Control de Fase

H125KPU, Tiristor de Control de Fase

La parte No. El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad

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TECHSEM

Spu:

El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad

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Introducción
Esquema

Introducción

IT(AV)

2800A. El

VDRM, VRRM

8000V

Las demás

Características ：

Puerta de amplificación central
Cuadro de metal con aislante cerámico
Bajas pérdidas de estado activo y de conmutación

Aplicaciones típicas ：

Controladores de CA
Control de los motores de CC y CA
Rectificadores controlados

El símbolo	Características	Condiciones de ensayo		Tj(℃ )	valor			unidad
El símbolo	Características	Condiciones de ensayo		Tj(℃ )	mín	Tipo	máx	unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180。media onda senoidal 50Hz Enfriado por ambos lados	TC=55 。C	90			2800	A. El
IDRM MIRR	Pico repetitivo Corriente	en el VDRM tp= 10ms en VRRM tp= 10ms		90			700	El número de
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	10ms onda sinusoidal media VR=0,6VRRM		90			40	KA
Yo 2t	Yo 2t para coordinación de fusión	10ms onda sinusoidal media VR=0,6VRRM		90			8000	103A. El 2s
VTO	Voltaje de umbral			90			0.92	v
rT	Resistencia de pendiente en estado de conducción			90			0.32	MΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	ITM=3000A, F= 120 kN		25			1.95	v
dv/dt	Tasa crítica de aumento o f fuera del estado Voltaje	VDM=0.67VDRM		90			2000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento E de estado de conducción Corriente	VDM=67%VDRM, Impulso de puerta tr ≤ 0,5 μs El IGM= 1.5A		90			100	A/μs
¿Qué es eso?	Cargo por recuperación	ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V		90		6500		El valor de la concentración
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la ayuda 12 V, El número de personas 1A		25	40		300	El número de
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta				0.8		3.0	v
Yo H	Corriente de mantenimiento				25		200	El número de
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM		90			0.3	v
Rth(j-c)	Resistencia térmica Unión a caja	Enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 120 kN					0.004	。C /W
Rth(c-h)	Resistencia térmica caso a Disipador de calor	Enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 120 kN					0.001	。C /W