GD600HFX170C6S, Módulo IGBT, STARPOWER

Módulo IGBT 1700V

GD600HFX170C6S,Módulo IGBT,STARPOWER

Módulo IGBT，1700V 600A

Brand:

El sistema de energía

Spu:

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Introducción
Esquema

Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1700V 600A.

Características

Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
Capacidad de cortocircuito de 10 μs
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Temperatura máxima de unión 175oC
Cuadro de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
Base de cobre aislada con tecnología DBC

Típico Aplicaciones

Inversores para motor de transmisión
Con un volumen de carga de más de 300 W
Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo	Descripción	valor	unidad
v El CES	Voltagem del colector-emittente	1700	v
v El GES	Voltagem del emisor de la puerta	±20	v
Yo C	El colector Corriente @ t C = 25 o C @ t C = 100o C	1069 600	A. El
Yo cm	Pulsado El colector Corriente t P =1 ms	1200	A. El
P D	Máximo Poder Disipación @ t j = 175 o C	4166	W

Diodo

El símbolo	Descripción	valor	unidad
v RRM	Voltado inverso de pico repetitivo	1700	v
Yo F	Diodo de corriente continua hacia adelante	600	A. El
Yo - ¿ Qué?	Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms	1200	A. El

módulo

El símbolo	Descripción	valor	unidad
t jmax	Temperatura máxima de unión naturaleza	175	o C
t el juego	Temperatura de funcionamiento de las uniones	-40 a +150	o C
t El GST	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-40 a +125	o C
v ISO	El aislamiento Voltaje RMS ,f=50 HZ ,t=1 En el minuto	4000	v

El IGBT Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad
v CE (sat )	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =600A, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 o C		1.85	2.20	v
		Yo C =600A, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 o C		2.25
		Yo C =600A, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 150 o C		2.35
v El sector de la energía (th )	Umbral de emisor de puertas Voltaje	Yo C = 12.0El número de ,v CE = v El sector de la energía ,t j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	v
Yo El CES	Corte de Colector Corriente	v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 o C			5.0	El número de
Yo El GES	Fugas de los emisores de puertas Corriente	v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 o C			400	NA
R El ginto	Resistencia de la puerta interna			1.1		Ω
C ies	Capacidad de entrada	v CE =25V,f=1 MHz , v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente		72.3		NF (número de trabajo)
C res	Transferencia inversa Capacidad			1.75		NF (número de trabajo)
¿Qué es? G. El	Cargo por puerta	v El sector de la energía - ¿ Qué? 15...+15V		5.66		El valor de la concentración
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC =900V, Yo C =600A, R G. El = 1.0Ω, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 o C		160		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			67		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			527		El Consejo
t F	Tiempo de caída			138		El Consejo
e on	Enciende Conmutación Pérdida			154		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			132		mJ
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC =900V, Yo C =600A, R G. El = 1.0Ω, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125o C		168		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			80		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			585		El Consejo
t F	Tiempo de caída			168		El Consejo
e on	Enciende Conmutación Pérdida			236		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			189		mJ
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC =900V, Yo C =600A, R G. El = 1.0Ω, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 150o C		192		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			80		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			624		El Consejo
t F	Tiempo de caída			198		El Consejo
e on	Enciende Conmutación Pérdida			259		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			195		mJ
Yo SC	Datos de la SC	t P ≤10μs, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 150 o C ,v CC = de una potencia de 1000 V, v El CEM No más de 700 V		2400		A. El

Diodo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =600A, v El sector de la energía =0V, t j = 25 o C		1.80	2.25	v
		Yo F =600A, v El sector de la energía =0V, t j = 125o C		1.90
		Yo F =600A, v El sector de la energía =0V, t j = 150o C		1.95
¿Qué es? R	Cargo recuperado	v R =900V, Yo F =600A, -di /Dt =6700A/μs, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V t j = 25 o C		153		El valor de la concentración
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación			592		A. El
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía			76.5		mJ
¿Qué es? R	Cargo recuperado	v R =900V, Yo F =600A, -di /Dt =6700A/μs, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V t j = 125 o C		275		El valor de la concentración
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación			673		A. El
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía			150		mJ
¿Qué es? R	Cargo recuperado	v R =900V, Yo F =600A, -di /Dt =6700A/μs, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V t j = 150 o C		299		El valor de la concentración
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación			690		A. El
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía			173		mJ

NTC Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad
R 25	Resistencia nominal			5.0		KΩ
ΔR/R	Desviación de R 100	t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Poder Disipación				20.0	mW
B 25/50	¿ Qué es eso? valor	R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?		3375		K
B 25/80	¿ Qué es eso? valor	R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?		3411		K
B 25/100	¿ Qué es eso? valor	R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?		3433		K

módulo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad
L CE	Inductividad de alejamiento		20		nH
R CC ’+ EE ’	Resistencia de conexión del módulo, Terminal al chip		1.10		MΩ
R el JC	Unión -a -Caso (por El IGBT ) Unión -a -Caso (por Diodo )			0.036 0.073	El número de unidades
R el CH	Caso -a -Disipador de calor (por El IGBT ) Caso -a -Disipador de calor (por Diodo ) En caso de que el sistema de refrigeración de la caja esté equipado con un sistema de refrigeración de la caja, el sistema de refrigeración de la caja deberá utilizarse para la instalación de los sistemas de refrigeración de la caja.		0.027 0.055 0.009		El número de unidades
m	el par de conexión de la terminal, Tornillo M6 y M6 Montaje Par , Tornillo m 5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G. El	Peso de módulo		350		G. El