Módulo IGBT，1700V 300A
características
típico Las aplicaciones
En absoluto máximo calificaciones Te=25℃ a menos que de otra manera Se ha señalado
|
El símbolo |
Descripción |
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las |
Unidades |
|
VCES |
Recolector-emittente tensión |
1700 |
V: |
|
VGFs |
Puerta-Emisor tensión |
± 20 |
V: |
|
el |
El colector corriente @Tc=25℃ @Tc=80℃ |
550 |
A |
|
300 |
|||
|
ICM(1) |
pulsado El colector corriente tp=1ms |
600 |
A |
|
el |
Diodo continuas Adelante corriente |
300 |
A |
|
¿Qué es? |
Diodo máximo Adelante corriente |
600 |
A |
|
P.P. |
máximo Potencia Disposición @Tj=175℃ |
2083 |
¿Qué es esto? |
|
TSC |
Es corto. CIRCUITO Resista. tiempo ¿ Qué pasa?Tj=125℃ |
10 |
μs |
|
Tjmax |
máximo Unión temperatura |
175 |
°C |
|
TSTG |
almacenamiento temperatura rango |
-40 to+125 |
°C |
|
valor I²t, Diodo |
VR=0V,t=10ms,Tj=125℃ |
14500 |
A²s |
|
VISO (en inglés) |
El aislamiento tensión RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
V: |
|
montaje el par |
Potencia el terminal el tornillo:M6 |
2.5 a la 5.0 |
No |
|
montaje Tornillo:M6 |
3.0 a la 5.0 |
No |
de energía eléctrica Las características de las el Te=25℃ a menos que de otra manera Se ha señalado
apagado Las características
|
El símbolo |
Parámetro |
prueba condiciones |
el tiempo. |
tipo. |
El máximo. |
Unidades |
|
BVcrs |
Recolector-emittente ruptura tensión |
VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃ |
1700 |
|
|
V: |
|
El CIEM |
El colector Corte corriente |
VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C |
|
|
3.0 |
¿Qué quieres? |
|
IGrs |
Puerta-Emisor fuga corriente |
VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃ |
|
|
400 |
No |
En el Las características
|
El símbolo |
Parámetro |
prueba condiciones |
el tiempo. |
Es el tipo. |
El máximo. |
Unidades |
|
Vcπ(h) |
Puerta-Emisor Umbral tensión |
Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃ |
5.2 |
5.8 |
6.4 |
V: |
|
VCE (sat) |
El colector a la emisor saturación tensión |
Ic=300A,VGr=15V, T=25℃ |
|
2.0 |
|
V: |
|
el= 300A,VGr=15V. T=125℃ |
|
2.4 |
|
cambio de Las características
|
El símbolo |
Parámetro |
prueba condiciones |
el tiempo. |
Es el tipo. |
El máximo. |
Unidades |
|||
|
taon) |
Enciende Retraso tiempo |
Vcc=900V,Ic=300A,Ra=4.72, Vae=±15V, T=25℃ |
|
281 |
|
El Consejo |
|||
|
T |
elevación tiempo |
|
82 |
|
El Consejo |
||||
|
el(o) |
Apagado Retraso tiempo |
|
801 |
|
El Consejo |
||||
|
tr |
Caída tiempo |
Vcc=900V,Ic=300A, Rc=4.72, V=±15V T=25℃ |
|
121 |
|
El Consejo |
|||
|
El EON |
Enciende cambio de pérdida |
|
70 |
|
El |
||||
|
Eofr |
Apagado cambio de pérdida |
|
65 |
|
El |
||||
|
ta(on) |
Enciende Retraso tiempo |
Vcc=900V,Ic=300A, RG=4.72, Vc=±15VT=125℃ |
|
303 |
|
El Consejo |
|||
|
T |
elevación tiempo |
|
103 |
|
El Consejo |
||||
|
ta(om) |
Apagado Retraso tiempo |
|
1002 |
|
El Consejo |
||||
|
tr |
Caída tiempo |
|
203 |
|
El Consejo |
||||
|
El EON |
Enciende cambio de pérdida |
|
105 |
|
El |
||||
|
El EOR |
Apagado cambio de pérdida |
|
94 |
|
El |
||||
|
Las |
entrada Capacidad |
VCE = 25V, f = 1MHz, VGr=0V |
|
27.0 |
|
NF (número de trabajo) |
|||
|
Coes |
producción Capacidad |
|
1.1 |
|
NF (número de trabajo) |
||||
|
El Cres |
el reverso transferencia Capacidad |
|
0.9 |
|
NF (número de trabajo) |
||||
|
Es decir |
- ¿Qué es? datos |
tSC≤10μs,VGE=15V, T=125℃, Vcc=1000V VcrM≤1700V |
|
1200 |
|
A |
|||
|
RGint |
el sistema interno Puerta ResistanCE |
|
|
2.5 |
|
Oh, también |
|||
|
LCr |
Fugas inductancia |
|
|
|
20 |
¿Qué es? |
|||
|
RcC'+EE' |
módulo plomo Resistencia el terminal a la el chip |
TC=25℃ |
|
0.35 |
|
M2 de superficie |
|||
de energía eléctrica Las características de las Diodo Tc=25℃ a menos que de lo contrario notaD) El
|
El símbolo |
Parámetro |
prueba condiciones |
el tiempo. |
Es el tipo. |
El máximo. |
Unidades |
|
|
V.R. |
Diodo Adelante tensión |
Iq=300A |
Tj=25°C |
|
1.8 |
|
V: |
|
Ti=125℃ |
|
1.9 |
|
||||
|
Q: el |
Diodo el reverso Recuperación carga de la misma |
Ir=300A, VR=900V, di/dt=-3600A/μs, VGr=-15V |
T=25℃ |
|
77 |
|
El valor de la concentración |
|
Tj=125°C |
|
131 |
|
||||
|
MIR |
Diodo Pico el reverso Recuperación corriente |
Tj=25°C |
|
351 |
|
A |
|
|
T=125℃ |
|
383 |
|
||||
|
Eree |
el reverso Recuperación energía |
Tj=25°C |
|
40 |
|
El |
|
|
Tj=125°C |
|
72 |
|
||||
térmico Caracteristiel
|
El símbolo |
Parámetro |
Es el tipo. |
El máximo. |
Unidades |
|
Rac |
Unión-a la-Caso (El Consejoel parte¿ Qué? por 1/2 de las ModuEl |
|
0.072 |
El número de unidades |
|
Rac |
Unión-a la-Caso (El ConsejoDiodo parte¿ Qué? P¿Qué es? 1/2 de las módulo) |
|
0.13 |
El número de unidades |
|
Roc |
En el caso de los equipos de la categoría M2 (Conductivo grasa aplicado) |
0.035 |
|
El número de unidades |
|
peso |
peso de las módulo |
300 |
|
G. El |
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