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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD275MJS120L6S, Módulo IGBT, STARPOWER

Módulo IGBT, 1200V 275A, Envase: L6

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD275MJS120L6S
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía . 1200V 275A. ¿ Qué?

Características

  • Bajo VCE(sat) Tecnología IGBT de zanja
  • VCE (sat) con positivo Temperatura Coeficiente
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Aislado placa base de cobre usando Si3 N4 Tecnología AMB

Aplicaciones típicas

Energía Solar

aplicación de 3-niveles

En absoluto Máximo Calificaciones t F = 25 o C a menos que de otro modo anotado

T1-T4 IGBT

El símbolo

Descripción

valor

unidad

v El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

v

Yo CN

Colector C implementado el precio de la renta

275

A. El

Yo C

Corriente Colectora @ T C =100 o C

110

A. El

Yo cm

Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms

450

A. El

Diodo D1/D4

El símbolo

Descripción

valor

unidad

v RRM

Volt inverso de pico repetitivo Edad

1200

v

Yo FN

Corriente hacia adelante implementada ent

275

A. El

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu Renta

300

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms

450

A. El

Diodo D2/D3

El símbolo

Descripción

valor

unidad

v RRM

Volt inverso de pico repetitivo Edad

1200

v

Yo FN

Corriente hacia adelante implementada ent

275

A. El

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu Renta

225

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms

450

A. El

Diodo D5/D6

El símbolo

Descripción

valor

unidad

v RRM

Volt inverso de pico repetitivo Edad

1200

v

Yo FN

Corriente hacia adelante implementada ent

275

A. El

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu Renta

300

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms

450

A. El

módulo

El símbolo

Descripción

valor

unidad

t jmax

Temperatura máxima de unión

175

o C

t el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o C

t El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o C

v ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

3200

v

T1-T4 El IGBT Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

v CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

Yo C =225A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 o C

2.00

2.45

v

Yo C =225A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 o C

2.70

Yo C =225A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 150 o C

2.90

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

Yo C =9.00 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

v

Yo El CES

El colector Corte -off Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 o C

1.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 o C

400

NA

R El ginto

Resistencia de la puerta interna

1.7

Ω

C ies

Capacidad de entrada

v CE = 25V, f = 100 kHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

38.1

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa Capacidad

0.66

NF (número de trabajo)

¿Qué es? G. El

Cargo por puerta

v El sector de la energía El valor de la carga de la corriente eléctrica

2.52

El valor de la concentración

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C =225A, R G. El =2Ω,V El sector de la energía =-8/+15V, L s =36 nH ,t j = 25 o C

154

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

45

El Consejo

t No se puede

Apagado Tiempo de retraso

340

El Consejo

t F

Tiempo de caída

76

El Consejo

E on

Enciende Conmutación Pérdida

13.4

mJ

E off

Cambiar el encendido Pérdida

8.08

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C =225A, R G. El =2Ω,V El sector de la energía =-8/+15V, L s =36 nH ,t j = 125 o C

160

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

49

El Consejo

t No se puede

Apagado Tiempo de retraso

388

El Consejo

t F

Tiempo de caída

112

El Consejo

E on

Enciende Conmutación Pérdida

17.6

mJ

E off

Cambiar el encendido Pérdida

11.2

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C =225A, R G. El =2Ω,V El sector de la energía =-8/+15V, L s =36 nH ,t j = 150 o C

163

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

51

El Consejo

t No se puede

Apagado Tiempo de retraso

397

El Consejo

t F

Tiempo de caída

114

El Consejo

E on

Enciende Conmutación Pérdida

18.7

mJ

E off

Cambiar el encendido Pérdida

12.0

mJ

D1/D4 Diodo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

v F

Diodo hacia adelante Voltaje

Yo F El valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j = 25 o C

1.60

2.05

v

Yo F El valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =1 25o C

1.60

Yo F El valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =1 50o C

1.60

¿Qué es? R

Recuperado cargar

v R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V El sector de la energía El valor de la presión de escape L s =36 nH ,t j = 25 o C

20.1

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

250

A. El

E Reconocimiento

Recuperación inversa energía

6.84

mJ

¿Qué es? R

Recuperado cargar

v R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V El sector de la energía El valor de la presión de escape L s =36 nH ,t j = 125 o C

32.5

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

277

A. El

E Reconocimiento

Recuperación inversa energía

11.5

mJ

¿Qué es? R

Recuperado cargar

v R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V El sector de la energía El valor de la presión de escape L s =36 nH ,t j = 150 o C

39.0

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

288

A. El

E Reconocimiento

Recuperación inversa energía

14.0

mJ

D2/D3 Diodo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

v F

Diodo hacia adelante Voltaje

Yo F =225A,V El sector de la energía =0V,T j = 25 o C

1.60

2.05

v

Yo F =225A,V El sector de la energía =0V,T j =1 25o C

1.60

Yo F =225A,V El sector de la energía =0V,T j =1 50o C

1.60

D5/D6 Diodo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

v F

Diodo hacia adelante Voltaje

Yo F El valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j = 25 o C

1.60

2.05

v

Yo F El valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =1 25o C

1.60

Yo F El valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =1 50o C

1.60

¿Qué es? R

Recuperado cargar

v R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V El sector de la energía El valor de la presión de escape L s =30 nH ,t j = 25 o C

18.6

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

189

A. El

E Reconocimiento

Recuperación inversa energía

5.62

mJ

¿Qué es? R

Recuperado cargar

v R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V El sector de la energía El valor de la presión de escape L s =30 nH ,t j = 125 o C

34.1

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

250

A. El

E Reconocimiento

Recuperación inversa energía

11.4

mJ

¿Qué es? R

Recuperado cargar

v R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V El sector de la energía El valor de la presión de escape L s =30 nH ,t j = 150 o C

38.9

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

265

A. El

E Reconocimiento

Recuperación inversa energía

13.2

mJ

NTC Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

R 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de R 100

t C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

disipación de potencia

20.0

mW

B 25/50

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

módulo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

L CE

Inductividad de alejamiento

15

nH

R el JC

Unión-a-Carcasa (por T1 -T4 IGBT) Unión-a-Carcasa (por D1/D4 D yodo) Unión-a-Carcasa (por D2/D3 D yodo) Unión-a-Carcasa (por D5/D6 D yodo)

0.070 0.122 0.156 0.122

El número de unidades

R el CH

Carcasa-a-Dissipador (por T 1-T4 IGBT) Carcasa-a-Dissipador (por D1/D4 Diodo) Carcasa-a-Dissipador (por D2/D3 Diodo) Carcasa-a-Dissipador (por D5/D6 Diodo)

0.043 0.053 0.069 0.053

El número de unidades

m

Torque de montaje El motor de la unidad de carga

3.0

5.0

N.M

G. El

Peso de módulo

250

G. El

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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