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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD200TLQ120L3S, Módulo IGBT, 3-nivel, STARPOWER

1200V 200A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD200TLQ120L3S
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 200A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • Baja pérdida de conmutación
  • capacidad de cortocircuito
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de unión 175oC
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Cuadro de baja inductancia
  • Disipador de calor aislado utilizando tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Energía Solar
  • UPS
  • aplicación de 3-niveles

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

T1, T4 IGBT

El símbolo

Descripción

Valores

unidad

v El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

v

Yo C

Corriente Colectora @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

339

200

A. El

Yo cm

Corriente Colectora Pulsada t P = 1 ms

400

A. El

P D

Disipación de potencia máxima @ T j = 175 o C

1456

W

D1, D4 Diodo

El símbolo

Descripción

valor

unidad

v RRM

Voltado inverso de pico repetitivo

1200

v

Yo F

Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler

75

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t P = 1 ms

150

A. El

T2, T3 IGBT

El símbolo

Descripción

valor

unidad

v El CES

Voltagem del colector-emittente

650

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

v

Yo C

Corriente Colectora @ T C = 25 o C

@ T C = 95 o C

158

100

A. El

Yo cm

Corriente Colectora Pulsada t P = 1 ms

200

A. El

P D

Disipación de potencia máxima @ T j = 175 o C

441

W

D2, D3 Diodo

El símbolo

Descripción

valor

unidad

v RRM

Voltado inverso de pico repetitivo

650

v

Yo F

Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler

100

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t P = 1 ms

200

A. El

módulo

El símbolo

Descripción

valor

unidad

t jmax

Temperatura máxima de unión

175

o C

t el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o C

t El GST

Temperatura de almacenamiento Autonomía

-40 a +125

o C

v ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 En el minuto

2500

v

T1, T4 El IGBT Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

v CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, t j = 25 o C

1.40

1.85

v

Yo C = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, t j = 125 o C

1.65

Yo C = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, t j = 150 o C

1.70

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

Yo C =5.0 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

v

Yo El CES

El colector Corte -off

Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V,

t j = 25 o C

1.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 o C

400

NA

R El ginto

Resistencia de la puerta interna el

3.8

Ω

C ies

Capacidad de entrada

v CE = 25V, f=1MHz,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

20.7

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa

Capacidad

0.58

NF (número de trabajo)

¿Qué es? G. El

Cargo por puerta

v El sector de la energía - ¿ Qué? 15...+15V

1.56

El valor de la concentración

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC =400V,I C = el número de unidades de producción R G. El = 1. 1Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 o C

142

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

25

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

352

El Consejo

t F

Tiempo de caída

33

El Consejo

e on

Enciende Conmutación

Pérdida

1.21

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

3.90

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC =400V,I C = el número de unidades de producción R G. El = 1. 1Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125o C

155

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

29

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

440

El Consejo

t F

Tiempo de caída

61

El Consejo

e on

Enciende Conmutación

Pérdida

2.02

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

5.83

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC =400V,I C = el número de unidades de producción R G. El = 1. 1Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 150o C

161

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

30

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

462

El Consejo

t F

Tiempo de caída

66

El Consejo

e on

Enciende Conmutación

Pérdida

2.24

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

6.49

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P ≤ 10 μs, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

t j = 150 o C, V CC El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. v El CEM No más de 1200 V

800

A. El

D1,D4 Diodo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F =75A,V El sector de la energía =0V,T j = 25 o C

1.70

2.15

v

Yo F =75A,V El sector de la energía =0V,T j = 125o C

1.65

Yo F =75A,V El sector de la energía =0V,T j = 150o C

1.65

¿Qué es? R

Cargo recuperado

v R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V El sector de la energía - ¿ Qué? 15V t j = 25 o C

8.7

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

122

A. El

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

2.91

mJ

¿Qué es? R

Cargo recuperado

v R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V El sector de la energía - ¿ Qué? 15V t j = 125o C

17.2

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

143

A. El

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

5.72

mJ

¿Qué es? R

Cargo recuperado

v R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V El sector de la energía - ¿ Qué? 15V t j = 150o C

19.4

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

152

A. El

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

6.30

mJ

T2,T3 El IGBT Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

v CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, t j = 25 o C

1.45

1.90

v

Yo C = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, t j = 125 o C

1.60

Yo C = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, t j = 150 o C

1.70

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

Yo C = 1.60mA,V CE =V El sector de la energía , T j = 25 o C

5.0

5.8

6.5

v

Yo El CES

El colector Corte -off

Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V,

t j = 25 o C

1.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 o C

400

NA

R El ginto

Resistencia de la puerta interna el

2.0

Ω

C ies

Capacidad de entrada

v CE = 25V, f=1MHz,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

11.6

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa

Capacidad

0.23

NF (número de trabajo)

¿Qué es? G. El

Cargo por puerta

v El sector de la energía - ¿ Qué? 15...+15V

0.69

El valor de la concentración

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC =400V,I C = el número de unidades de producción R G. El =3.3Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 o C

44

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

20

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

200

El Consejo

t F

Tiempo de caída

28

El Consejo

e on

Enciende Conmutación

Pérdida

1.48

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

2.48

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC =400V,I C = el número de unidades de producción R G. El =3.3Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125o C

48

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

24

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

216

El Consejo

t F

Tiempo de caída

40

El Consejo

e on

Enciende Conmutación

Pérdida

2.24

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

3.28

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC =400V,I C = el número de unidades de producción R G. El =3.3Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 150o C

52

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

24

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

224

El Consejo

t F

Tiempo de caída

48

El Consejo

e on

Enciende Conmutación

Pérdida

2.64

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

3.68

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P ≤6μs,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V,

t j = 150 o C, V CC El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. v El CEM ≤650V

500

A. El

D2,D3 Diodo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F = 100A,V El sector de la energía =0V,T j = 25 o C

1.55

2.00

v

Yo F = 100A,V El sector de la energía =0V,T j = 125o C

1.50

Yo F = 100A,V El sector de la energía =0V,T j = 150o C

1.45

¿Qué es? R

Cargo recuperado

v R =400V,I F = el número de unidades de producción

-di/dt=4070A/μs,V El sector de la energía - ¿ Qué? 15V t j = 25 o C

3.57

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

99

A. El

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

1.04

mJ

¿Qué es? R

Cargo recuperado

v R =400V,I F = el número de unidades de producción

-di/dt=4070A/μs,V El sector de la energía - ¿ Qué? 15V t j = 125o C

6.49

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

110

A. El

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

1.70

mJ

¿Qué es? R

Cargo recuperado

v R =400V,I F = el número de unidades de producción

-di/dt=4070A/μs,V El sector de la energía - ¿ Qué? 15V t j = 150o C

7.04

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

110

A. El

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

1.81

mJ

NTC Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

R 25

Resistencia nominal

5.0

ΔR/R

Desviación de R 100

t C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Poder

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

módulo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

R el JC

Enlace a la caja (por T1, T4 IGBT)

Unión-a-Carcasa (por D1,D4 Dio de)

Unión-a-Carcasa (por T2, T3 IGBT)

Unión-a-Carcasa (por D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

El número de unidades

R el CH

En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: T1,T4 IGBT)

Carcasa-a-Dissipador (por D1,D4 Diodo)

En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: T2,T3 IGBT)

Carcasa-a-Dissipador (por D2,D3 Diodo)

En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: Módulo)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

El número de unidades

F

Fuerza de Montaje Por Tenaza

40

80

N

G. El

Peso de módulo

39

G. El

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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