Módulo IGBT, 1200V 1600A
características
bajo V:CE (sat) Tecnología IGBT SPT+
10 μs capacidad de cortocircuito
V:CE (sat) con un coeficiente de temperatura positivo
Baja inductancia Caso
Rápido y el motor de recuperación inversa suave con un FWD antiparallel
El cobre aisladoseplate utilizando tecnología DBC
típico Las aplicaciones
Inversor de corriente Conduce
Fuente de alimentación de modo de conmutación suministros
Soldadores electrónicos
Clasificaciones máximas absolutasTC) El= 25°C a menos que de otra manera noted
El símbolo |
Descripción |
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las |
Unidades |
V:El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1200 |
V: |
V:El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V: |
- ¿ Qué?C) El |
@ TC) El= 25°C @ TC) El=80°C |
2500 |
A |
1600 |
|||
- ¿ Qué?CM(1) |
Corriente de colector pulsada tP- ¿ Qué? 1 ms |
3200 |
A |
- ¿ Qué?f |
Diodo de corriente continua hacia adelante |
1600 |
A |
- ¿ Qué?El |
Corriente máxima directa del diodo |
3200 |
A |
PD) El |
Disipación máxima de potencia @Tj= 150°C |
8.3 |
El |
T- ¿Qué es? |
Cortocircuito Resistir tiempo @ Tj= 125°C |
10 |
μs |
Tj |
Temperatura máxima de unión |
150 |
°C |
TEl GST |
rango de temperatura de almacenamiento |
-40 a +125 |
°C |
- ¿ Qué?2Valor t, Diodo |
V:r=0V,t=10ms,Tj= 125°C |
300 |
el2el |
V:el |
El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
V: |
montaje el par |
Terminal de energía Tornillo:M4 Terminal de energía Tornillo:M8 |
1.8 a 2.1 8.0 a 10 |
No |
montaje Tornillo:M6 |
4.25 a 5.75 |
No |
Características eléctricas de elTC) El= 25°C salvo que se indique lo contrario
Desactivado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
el tiempo de espera. |
Es el tipo. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
el El CES |
Recolector-emittente tensión de ruptura |
Tj= 25°C |
1200 |
|
|
V: |
- ¿ Qué?El CES |
El colector cortado-apagado corriente |
V:CE=VEl CES,VEl sector de la energía=0V, Tj= 25°C |
|
|
5.0 |
¿Qué quieres? |
- ¿ Qué?El GES |
Fugas de los emisores de puertas corriente |
V:El sector de la energía=VEl GES,VCE=0V, Tj= 25°C |
|
|
400 |
No |
Sobre las características
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
el tiempo de espera. |
Es el tipo. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
V:El número de personas |
Umbral de emisor de puertas tensión |
- ¿ Qué?C) El=64mA,VCE=VEl sector de la energía¿ Qué? Tj= 25°C |
5.0 |
6.2 |
7.0 |
V: |
V:CE (sat) |
Recolector al emisor Voltagem de saturación |
- ¿ Qué?C) El=1600A,VEl sector de la energíaEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Tj= 25°C |
|
1.8 |
|
V: |
- ¿ Qué?C) El=1600A,VEl sector de la energíaEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Tj= 125°C |
|
2.0 |
|
Cambiar de carácterlas
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
el tiempo de espera. |
Es el tipo. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
Q: elEl sector de la energía |
Cargo por puerta |
V:El sector de la energíaEl valor de la carga de la corriente eléctrica |
|
16.8 |
|
El valor de la concentración |
TEn el |
Tiempo de retraso de encendido |
V:- ¿Qué es?= 600 V,IC) El=1600A, rG. El=0.82Ω, V:El sector de la energía= ±15V,Tj= 25°C |
|
225 |
|
El Consejo |
Tr |
Tiempo de ascenso |
|
105 |
|
El Consejo |
|
TD) El(El Consejoapagado) |
Apagado tiempo de demora |
|
1100 |
|
El Consejo |
|
Tf |
Tiempo de caída |
|
100 |
|
El Consejo |
|
ElEn el |
Enciende Pérdida de conmutación |
|
148 |
|
El |
|
Elapagado |
Pérdida de conmutación de apagado |
|
186 |
|
El |
|
TEn el |
Tiempo de retraso de encendido |
V:- ¿Qué es?= 600 V,IC) El=1600A, rG. El=0.82Ω, V:El sector de la energía= ±15V,Tj= 125°C |
|
235 |
|
El Consejo |
Tr |
Tiempo de ascenso |
|
105 |
|
El Consejo |
|
TD) El(El Consejoapagado) |
Apagado tiempo de demora |
|
1160 |
|
El Consejo |
|
Tf |
Tiempo de caída |
|
105 |
|
El Consejo |
|
ElEn el |
Enciende Pérdida de conmutación |
|
206 |
|
El |
|
Elapagado |
Pérdida de conmutación de apagado |
|
239 |
|
El |
|
C) ElLas |
Capacidad de entrada |
V:CE= 25V, f=1MHz, V:El sector de la energíaEl valor de la energía de la corriente |
|
119 |
|
NF (número de trabajo) |
C) ElEs |
Capacidad de salida |
|
8.32 |
|
NF (número de trabajo) |
|
C) ElRes |
Transferencia inversa Capacidad |
|
5.44 |
|
NF (número de trabajo) |
|
- ¿ Qué?- ¿Qué es? |
Datos de la SC |
TelC) El≤10 μs, VEl sector de la energíaEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.- ¿ Qué? Tj= 125°C¿ Qué? V:- ¿Qué es?=900V, V:El CEM ≤Las demás |
|
7000 |
|
A |
rEl ginto |
Resistencia interna de puertatancia |
|
|
0.1 |
|
Oh, también |
Yo...CE |
Inductividad de alejamiento |
|
|
12 |
|
¿Qué es? |
r- ¿Qué es?’+EE' |
Resistencia de Conexión del Móduloel año siguiente, Terminal a el chip |
TC) El= 25°C |
|
0.19 |
|
- ¿ Qué?Oh, también |
de energía eléctrica Las características de las Diodo TC) El= 25°C a menos que de otra manera Se ha señalado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
el tiempo de espera. |
Es el tipo. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
|
V:f |
Diodo hacia adelante tensión |
- ¿ Qué?f=1600A |
Tj= 25°C |
|
2.1 |
|
V: |
Tj= 125°C |
|
2.2 |
|
||||
Q: elr |
Cargo recuperado |
- ¿ Qué?f=1600A, V:rEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. di/dt=-7500A/μs, V:El sector de la energíaEl valor de la presión de escape |
Tj= 25°C |
|
73 |
|
El valor de la concentración |
Tj= 125°C |
|
175 |
|
||||
- ¿ Qué?RM |
Pico invertido corriente de recuperación |
Tj= 25°C |
|
510 |
|
A |
|
Tj= 125°C |
|
790 |
|
||||
ElReconocimiento |
Recuperación inversa energía |
Tj= 25°C |
|
17 |
|
El |
|
Tj= 125°C |
|
46 |
|
Características térmicas
El símbolo |
Parámetro |
Es el tipo. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
rθJC |
Unión a caja (parte IGBT, pormódulo) |
|
15 |
K/kW |
rθJC |
Junción-a-Caja (Parte del Diodo, por Módulo) |
|
26 |
K/kW |
rθCS |
En el caso de los equipos de la categoría M2 (Grasa conductora aplicada, per módulo) |
6 |
|
K/kW |
peso |
Peso de módulo |
1500 |
|
G. El |
Nuestro equipo de ventas profesional está esperando su consulta.
Puedes seguir su lista de productos y hacer cualquier pregunta que te interese.