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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Módulo IGBT, 1200V 1600A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
Introducción

características

bajo V:CE (sat) Tecnología IGBT SPT+

10 μs capacidad de cortocircuito

V:CE (sat) con un coeficiente de temperatura positivo

Baja inductancia Caso

Rápido y el motor de recuperación inversa suave con un FWD antiparallel

El cobre aisladoseplate utilizando tecnología DBC

típico Las aplicaciones

Inversor de corriente Conduce

Fuente de alimentación de modo de conmutación suministros

Soldadores electrónicos

Clasificaciones máximas absolutasTC) El= 25°C a menos que de otra manera noted

 

El símbolo

Descripción

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Unidades

V:El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V:

V:El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V:

- ¿ Qué?C) El

@ TC) El= 25°C

@ TC) El=80°C

2500

A

1600

- ¿ Qué?CM(1)

Corriente de colector pulsada    tP- ¿ Qué? 1 ms

3200

A

- ¿ Qué?f

Diodo de corriente continua hacia adelante

1600

A

- ¿ Qué?El

Corriente máxima directa del diodo

3200

A

PD) El

Disipación máxima de potencia    @Tj= 150°C

8.3

El

T- ¿Qué es?

Cortocircuito Resistir tiempo @ Tj= 125°C

10

μs

Tj

Temperatura máxima de unión

150

°C

TEl GST

rango de temperatura de almacenamiento

-40 a +125

°C

- ¿ Qué?2Valor t, Diodo

V:r=0V,t=10ms,Tj= 125°C

300

el2el

V:el

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V:

montaje

el par

Terminal de energía Tornillo:M4

Terminal de energía Tornillo:M8

1.8 a 2.1

8.0 a 10

No

montaje Tornillo:M6

4.25 a 5.75

No

 

 

 

 

Características eléctricas de elTC) El= 25°C salvo que se indique lo contrario

Desactivado

 

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

el tiempo de espera.

Es el tipo.

- ¿Qué quieres decir?

Unidades

el El CES

Recolector-emittente

tensión de ruptura

Tj= 25°C

1200

 

 

V:

- ¿ Qué?El CES

El colector cortado-apagado corriente

V:CE=VEl CES,VEl sector de la energía=0V, Tj= 25°C

 

 

5.0

¿Qué quieres?

- ¿ Qué?El GES

Fugas de los emisores de puertas

corriente

V:El sector de la energía=VEl GES,VCE=0V, Tj= 25°C

 

 

400

No

Sobre las características

 

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

el tiempo de espera.

Es el tipo.

- ¿Qué quieres decir?

Unidades

V:El número de personas

Umbral de emisor de puertas

tensión

- ¿ Qué?C) El=64mA,VCE=VEl sector de la energía¿ Qué? Tj= 25°C

5.0

6.2

7.0

V:

 

 

V:CE (sat)

 

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

- ¿ Qué?C) El=1600A,VEl sector de la energíaEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Tj= 25°C

 

1.8

 

 

 

V:

- ¿ Qué?C) El=1600A,VEl sector de la energíaEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Tj= 125°C

 

2.0

 

Cambiar de carácterlas

 

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

el tiempo de espera.

Es el tipo.

- ¿Qué quieres decir?

Unidades

Q: elEl sector de la energía

Cargo por puerta

V:El sector de la energíaEl valor de la carga de la corriente eléctrica

 

16.8

 

El valor de la concentración

TEn el

Tiempo de retraso de encendido

 

 

V:- ¿Qué es?= 600 V,IC) El=1600A, 

rG. El=0.82Ω,

V:El sector de la energía= ±15V,Tj= 25°C

 

225

 

El Consejo

Tr

Tiempo de ascenso

 

105

 

El Consejo

TD) El(El Consejoapagado)

Apagado tiempo de demora

 

1100

 

El Consejo

Tf

Tiempo de caída

 

100

 

El Consejo

ElEn el

Enciende Pérdida de conmutación

 

148

 

El

Elapagado

Pérdida de conmutación de apagado

 

186

 

El

TEn el

Tiempo de retraso de encendido

 

 

V:- ¿Qué es?= 600 V,IC) El=1600A, 

rG. El=0.82Ω,

V:El sector de la energía= ±15V,Tj= 125°C

 

235

 

El Consejo

Tr

Tiempo de ascenso

 

105

 

El Consejo

TD) El(El Consejoapagado)

Apagado tiempo de demora

 

1160

 

El Consejo

Tf

Tiempo de caída

 

105

 

El Consejo

ElEn el

Enciende Pérdida de conmutación

 

206

 

El

Elapagado

Pérdida de conmutación de apagado

 

239

 

El

C) ElLas

Capacidad de entrada

 

V:CE= 25V, f=1MHz,

V:El sector de la energíaEl valor de la energía de la corriente

 

119

 

NF (número de trabajo)

C) ElEs

Capacidad de salida

 

8.32

 

NF (número de trabajo)

C) ElRes

Transferencia inversa

Capacidad

 

5.44

 

NF (número de trabajo)

 

- ¿ Qué?- ¿Qué es?

 

Datos de la SC

TelC) El10 μs, VEl sector de la energíaEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.- ¿ Qué?

Tj= 125°C¿ Qué?

V:- ¿Qué es?=900V, V:El CEM Las demás

 

 

7000

 

 

A

rEl ginto

Resistencia interna de puertatancia

 

 

0.1

 

Oh, también

Yo...CE

Inductividad de alejamiento

 

 

12

 

¿Qué es?

r- ¿Qué es?’+EE'

Resistencia de Conexión del Móduloel año siguiente, Terminal a el chip

TC) El= 25°C

 

0.19

 

- ¿ Qué?Oh, también

 

 

 

de energía eléctrica Las características de las Diodo TC) El= 25°C a menos que de otra manera Se ha señalado

 

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

el tiempo de espera.

Es el tipo.

- ¿Qué quieres decir?

Unidades

V:f

Diodo hacia adelante

tensión

- ¿ Qué?f=1600A

Tj= 25°C

 

2.1

 

V:

Tj= 125°C

 

2.2

 

Q: elr

Cargo recuperado

 

- ¿ Qué?f=1600A,

V:rEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

di/dt=-7500A/μs, V:El sector de la energíaEl valor de la presión de escape

Tj= 25°C

 

73

 

El valor de la concentración

Tj= 125°C

 

175

 

- ¿ Qué?RM

Pico invertido

corriente de recuperación

Tj= 25°C

 

510

 

A

Tj= 125°C

 

790

 

ElReconocimiento

Recuperación inversa energía

Tj= 25°C

 

17

 

El

Tj= 125°C

 

46

 

 

Características térmicas

 

El símbolo

Parámetro

Es el tipo.

- ¿Qué quieres decir?

Unidades

rθJC

Unión a caja (parte IGBT, pormódulo)

 

15

K/kW

rθJC

Junción-a-Caja (Parte del Diodo, por Módulo)

 

26

K/kW

rθCS

En el caso de los equipos de la categoría M2

(Grasa conductora aplicada, per módulo)

6

 

K/kW

peso

Peso de módulo

1500

 

G. El

 

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