GD150HFU120C2SD,Módulo IGBT,STARPOWER

Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía . 1200V 150A. ¿ Qué?

Características

Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
Capacidad de cortocircuito de 10 μs
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Temperatura máxima de la unión 175 ℃
Cuadro de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

Fuente de alimentación de modo de conmutación
Calentamiento por inducción
Saldadoras electrónicas

En absoluto Máximo Calificaciones t F = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo	Descripción	valor	unidad
v El CES	Voltagem del colector-emittente	1200	v
v El GES	Voltagem del emisor de la puerta	±20	v
Yo C	Corriente Colectora @ T C = 25 o C @ T C = 85 o C	241 150	A. El
Yo cm	Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms	300	A. El
P D	Disipación de potencia máxima @ T Vj = 150 o C	1262	W

Diodo

El símbolo	Descripción	valor	unidad
v RRM	Volt inverso de pico repetitivo Edad	1200	v
Yo F	Diodo continuo hacia adelante Cu Renta	150	A. El
Yo - ¿ Qué?	Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms	300	A. El

módulo

El símbolo	Descripción	valor	unidad
t vjmax	Temperatura máxima de unión	150	o C
t vjop	Temperatura de funcionamiento de las uniones	-40 a +125	o C
t El GST	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-40 a +125	o C
v ISO	Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto	2500	v

El IGBT Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =150A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t Vj = 25 o C		2.90	3.35	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =150A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t Vj = 125 o C		3.60		v
v El sector de la energía (th )	Umbral de emisor de puertas Voltaje	Yo C =3.0 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t Vj = 25 o C	5.0	6.1	7.0	v
Yo El CES	El colector Corte -off Corriente	v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t Vj = 25 o C			5.0	El número de
Yo El GES	Fugas de los emisores de puertas Corriente	v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t Vj = 25 o C			400	NA
R El ginto	Resistencia de la puerta interna el			1.50		Ω
C ies	Capacidad de entrada	v CE =30V,f=1MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente		19.2		NF (número de trabajo)
C res	Transferencia inversa Capacidad			0.60		NF (número de trabajo)
¿Qué es? G. El	Cargo por puerta	v El sector de la energía El valor de la carga de la corriente eléctrica		1.83		El valor de la concentración
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C =150A, R G. El =6.8Ω,Ls=48nH, v El sector de la energía El valor de las emisiones de CO2 Vj = 25 o C		74		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			92		El Consejo
t No se puede	Apagado Tiempo de retraso			401		El Consejo
t F	Tiempo de caída			31		El Consejo
E on	Enciende Conmutación Pérdida			19.0		mJ
E off	Cambiar el encendido Pérdida			3.09		mJ
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C =150A, R G. El =6.8Ω, Ls=48nH, v El sector de la energía El valor de las emisiones de CO2 Vj = 125 o C		61		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			95		El Consejo
t No se puede	Apagado Tiempo de retraso			444		El Consejo
t F	Tiempo de caída			47		El Consejo
E on	Enciende Conmutación Pérdida			22.5		mJ
E off	Cambiar el encendido Pérdida			3.99		mJ
Yo SC	Datos de la SC	t P ≤10μs, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t Vj = 125 o C, V CC El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. v El CEM No más de 1200 V		975		A. El

Diodo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =150A,V El sector de la energía =0V,T Vj =2 5o C		1.85	2.30	v
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =150A,V El sector de la energía =0V,T Vj = 125 o C		1.90		v
¿Qué es? R	Cargo recuperado	v R = 600 V,I F =150A, -di/dt=1480A/μs,V El sector de la energía Se aplicará el método siguiente: es = 48 nH ,t Vj = 25 o C		13.7		El valor de la concentración
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación			91		A. El
E Reconocimiento	Recuperación inversa energía			4.01		mJ
¿Qué es? R	Cargo recuperado	v R = 600 V,I F =150A, -di/dt=1560A/μs,V El sector de la energía Se aplicará el método siguiente: es = 48 nH ,t Vj = 125 o C		22.1		El valor de la concentración
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación			111		A. El
E Reconocimiento	Recuperación inversa energía			6.65		mJ

módulo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad
L CE	Inductividad de alejamiento			30	nH
R CC+EE	Modulo de resistencia al plomo, Terminal a el chip		0.35		MΩ
R el JC	Unión -a -caso (PerIGBT ) Junción-a-Caja (por D iodo)			0.099 0.259	El número de unidades
R el CH	En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga Caja-a-disipador (pe r Diodo) Caja-a-disipador (por M ódulo)		0.028 0.072 0.010		El número de unidades
m	el par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje Tornillo M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G. El	Peso de módulo		300		G. El