Modulo IGBT, 1200V y 1200A
características
aplicaciones típicas
En absoluto máximo calificaciones TC) El= 25°C a menos que de otra manera Se ha señalado
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El símbolo |
Descripción |
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las |
Unidades |
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|
V:El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1200 |
V: |
|
|
V:El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V: |
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- ¿ Qué?C) El |
Corriente de Colector |
@ TC) El= 25°C @ TC) El- ¿ Qué? 100°C |
1900 |
A |
|
1200 |
||||
|
- ¿ Qué?En mEl Consejo |
Corriente de colector pulsada tP- ¿ Qué? 1 ms |
2400 |
A |
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- ¿ Qué?f |
Diodo de corriente continua hacia adelante |
1200 |
A |
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- ¿ Qué?El |
Corriente directa máxima del diodoalquiler |
2400 |
A |
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PD) El |
Disipación de potencia máxima @ Tj- ¿ Qué? 175°C |
8823 |
¿Qué es esto? |
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T- ¿Qué es? |
Cortocircuito Resistir tiempo @ Tj= 125°C |
10 |
μs |
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Tj |
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
-40 a +150 |
°C |
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TEl GST |
rango de temperatura de almacenamiento |
-40 a +125 |
°C |
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- ¿ Qué?2Valor t, Diodo |
V:r=0V, t=10ms, Tj= 125°C |
300 |
el2el |
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V:el |
Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t=1min |
2500 |
V: |
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montaje el par |
Tornillo de terminal de potencia:M4 Tornillo de terminal de potencia:M8 |
1.7 a 2.3 8.0 a 10 |
No |
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montaje Tornillo:M6 |
4.25 a 5.75 |
No |
||
de energía eléctrica Las características de las el TC) El= 25°C a menos que de otra manera Se ha señalado
Desactivado
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El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
el tiempo de espera. |
Es el tipo. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
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el El CES |
Recolector-emittente tensión de ruptura |
Tj= 25°C |
1200 |
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V: |
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- ¿ Qué?El CES |
El colector cortado-apagado corriente |
V:CE- ¿ Qué?V:El CES¿ Qué?V:El sector de la energía=0V, Tj= 25°C |
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5.0 |
¿Qué quieres? |
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- ¿ Qué?El GES |
Fugas de los emisores de puertas corriente |
V:El sector de la energía- ¿ Qué?V:El GES¿ Qué?V:CE=0V, Tj= 25°C |
|
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800 |
No |
Sobre las características
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El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
el tiempo de espera. |
Es el tipo. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
|
V:El sector de la energía(El ConsejoEl) |
Umbral de emisor de puertas tensión |
- ¿ Qué?C) El=48.0¿Qué quieres?¿ Qué?V:CE- ¿ Qué?V:El sector de la energía¿ Qué?Tj= 25°C |
5.0 |
6.5 |
7.0 |
V: |
|
V:CE (sat) |
Recolector al emisor Voltagem de saturación |
- ¿ Qué?C) El- ¿ Qué? 1200 A, VEl sector de la energíaEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Tj= 25°C |
|
1.9 |
|
V: |
|
- ¿ Qué?C) El- ¿ Qué? 1200 A, VEl sector de la energíaEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Tj- ¿ Qué? 125°C |
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2.1 |
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Cambiar de características
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El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
el tiempo de espera. |
Es el tipo. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
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rEl ginto |
Resistor de puerta interno |
Tj= 25°C |
|
1.2 |
|
Oh, también |
|
Q: elEl sector de la energía |
Cargo por puerta |
- ¿ Qué?C) El- ¿ Qué? 1200 A, VCEEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V:El sector de la energía- ¿ Qué? 15...+15V |
|
12.5 |
|
El valor de la concentración |
|
TD) El(El ConsejoEn el) |
Tiempo de retraso de encendido |
V:- ¿Qué es?= 600 V,IC) El= 1200A, rG. El=0.82Ω,VEl sector de la energía - ¿ Qué? ±de una potencia de 15 V, Tj= 25°C |
|
790 |
|
El Consejo |
|
Tr |
Tiempo de ascenso |
|
170 |
|
El Consejo |
|
|
TD) El(El Consejoapagado) |
Apagado tiempo de demora |
|
1350 |
|
El Consejo |
|
|
Tf |
Tiempo de caída |
|
180 |
|
El Consejo |
|
|
TD) El(El ConsejoEn el) |
Tiempo de retraso de encendido |
V:- ¿Qué es?= 600 V,IC) El= 1200A, rG. El=0.82Ω,VEl sector de la energía - ¿ Qué?±15 v, Tj- ¿ Qué? 125°C |
|
850 |
|
El Consejo |
|
Tr |
Tiempo de ascenso |
|
170 |
|
El Consejo |
|
|
TD) El(El Consejoapagado) |
Apagado tiempo de demora |
|
1500 |
|
El Consejo |
|
|
Tf |
Tiempo de caída |
|
220 |
|
El Consejo |
|
|
ElEn el |
Enciende Pérdida de conmutación |
|
155 |
|
El |
|
|
Elapagado |
Pérdida de conmutación de apagado |
|
190 |
|
El |
|
|
C) ElLas |
Capacidad de entrada |
V:CE=25V, f=1MHz, V:El sector de la energíaEl valor de la energía de la corriente |
|
92.0 |
|
NF (número de trabajo) |
|
C) ElEs |
Capacidad de salida |
|
8.40 |
|
NF (número de trabajo) |
|
|
C) ElRes |
Transferencia inversa Capacidad |
|
6.10 |
|
NF (número de trabajo) |
|
|
- ¿ Qué?- ¿Qué es? |
Datos de la SC |
TelC) El≤10 μs, VEl sector de la energíaEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Tj= 125°C¿ Qué? V:- ¿Qué es?=900V, V:El CEM≤Las demás |
|
7000 |
|
A |
|
Yo...CE |
Inductividad de alejamiento |
|
|
15 |
|
¿Qué es? |
|
r- ¿Qué es?’+EE ' |
Resistencia de plomo del móduloe, Terminal a el chip |
TC) El= 25°C,por interruptor |
|
0.10 |
|
- ¿ Qué?Oh, también |
de energía eléctrica Las características de las Diodo TC) El= 25°C a menos que de otra manera Se ha señalado
|
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
el tiempo de espera. |
Es el tipo. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
|
|
V:f |
Diodo hacia adelante tensión |
- ¿ Qué?f- ¿ Qué? Las demás |
Tj= 25°C |
|
1.9 |
|
V: |
|
Tj- ¿ Qué? 125°C |
|
2.1 |
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||||
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Q: elr |
Diodo inverso Cargo por recuperación |
- ¿ Qué?f- ¿ Qué? el número de unidades de carga de la unidad de carga V:rEl valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. di/dt=-6800A/μs, V:El sector de la energía- ¿ Qué? 15 V |
Tj= 25°C |
|
110 |
|
El valor de la concentración |
|
Tj- ¿ Qué? 125°C |
|
220 |
|
||||
|
- ¿ Qué?RM |
Pico de diodo Recuperación inversa corriente |
Tj= 25°C |
|
760 |
|
A |
|
|
Tj- ¿ Qué? 125°C |
|
990 |
|
||||
|
ElReconocimiento |
Recuperación inversa energía |
Tj= 25°C |
|
47 |
|
El |
|
|
Tj- ¿ Qué? 125°C |
|
82 |
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||||
Características térmicasLas
|
El símbolo |
Parámetro |
Es el tipo. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
|
rθJC, el otro |
Unión a caja (parte IGBT, per módulo) |
|
0.017 |
El número de unidades |
|
rθJC, el otro |
Junción-a-Caja (Parte del Diodo, por MóduloEl |
|
0.025 |
El número de unidades |
|
rθel |
En el caso de los equipos de la categoría M2 (Grasa conductora aplicada, segúnmódulo) |
0.006 |
|
El número de unidades |
|
peso |
peso de las módulo |
1500 |
|
G. El |
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