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Tiristor de Control de Fase

Tiristor de Control de Fase

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H76KPU, Tiristor de Control de Fase

La parte No. El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad

Brand:
TECHSEM
Spu:
El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad
  • Introducción
  • Esquema:
Introducción

IT(AV)

1000A

VDRM, VRRM 

8000V

Las demás

Características

  • Puerta de amplificación central
  • Cuadro de metal con aislante cerámico
  • Bajas pérdidas de estado activo y de conmutación

aplicaciones típicas

  • Controladores de CA
  • Control de los motores de CC y CA
  • Rectificadores controlados

 

El símbolo

 

características

 

Condiciones de ensayo

Tj(C)

valor de las

 

Unidad

el tiempo

Tipo de producto

El máximo

 

IT(AV)

Corriente media en estado de conducción

180medio onda senoidal 50Hz doble lado enfriado

 

TC=70C) El

 

115

 

 

 

1000

 

A

No puedo no puedo

Corriente pico repetitiva

en VDRM     tp= 10ms en VRRM     tp= 10ms

115

 

 

600

¿Qué quieres?

ITSM

Corriente de sobrecarga en estado de conducción

10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM

 

115

 

 

10.5

el

El 1 de enero

I2t para coordinación de fusibles

 

 

551

103A2s

VTO

Voltaje de umbral

 

 

115

 

 

1.38

V:

Rt

Resistencia de pendiente en estado de conducción

 

 

0.90

VTM

Voltaje pico en estado de conducción

El valor de la presión de escape de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ens

25

 

 

2.80

V:

dv/dt

Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto

VDM=0.67VDRM

115

 

 

2000

V/μs

di/dt

Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido

VDM=67%VDRM,

Pulso de puerta tr ≤0.5μs   IGM= 1.5A

115

 

 

200

A/μs

¿Qué es eso?

Cargo por recuperación

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

 

3800

 

El valor de la concentración

IGT

Corriente de disparo de puerta

 

El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.

 

25

40

 

300

¿Qué quieres?

Vgt.

Voltaje de disparo de puerta

0.8

 

3.0

V:

IH

Corriente de mantenimiento

25

 

200

¿Qué quieres?

VGD

Voltaje de puerta no disparado

VDM=67%VDRM

115

 

 

0.3

V:

Rth(j-c)

Resistencia térmica unión a carcasa

Fuerza de sujeción de 32kN

 

 

 

0.011

 

C /W

Rth(c-h)

Resistencia térmica de la caja al disipador

 

 

 

0.003

El

Fuerza de Montaje

 

 

27

32

34

No

TVj

Temperatura de unión

 

 

-40

 

115

C) El

TSTG

Temperatura almacenada

 

 

-40

 

140

C) El

Tc y

PESO

 

 

 

1140

 

G. El

el esquema

El número de unidades de producción

 

Esquema:

H76KPU-2.jpg

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