Tiristor de Control de Fase

H76KPU, Tiristor de Control de Fase

La parte No. El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad

Brand:

TECHSEM

Spu:

El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad

Appurtenance:

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Introducción
Esquema:

Introducción

IT(AV)

1000A. El

VDRM, VRRM

8000V

Las demás

Características ：

Puerta de amplificación central
Cuadro de metal con aislante cerámico
Bajas pérdidas de estado activo y de conmutación

Aplicaciones típicas ：

Controladores de CA
Control de los motores de CC y CA
Rectificadores controlados

El símbolo	Características	Condiciones de ensayo		Tj(℃ )	valor			unidad
El símbolo	Características	Condiciones de ensayo		Tj(℃ )	mín	Tipo	máx	unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180° medio onda senoidal 50Hz doble lado enfriado	TC=70 ℃	115			1000	A. El
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	a VDRM tp= 10ms a VRRM tp= 10ms		115			600	El número de
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		115			10.5	KA
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		115			551	103A2s
VTO	Voltaje de umbral			115			1.38	v
rT	Resistencia de pendiente en estado de conducción			115			0.90	MΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	El valor de la presión de escape de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ens		25			2.80	v
dv/dt	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto	VDM=0.67VDRM		115			2000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido	VDM=67%VDRM, Impulso de la puerta tr ≤ 0,5μs IGM= 1,5A		115			200	A/μs
¿Qué es eso?	Cargo por recuperación	ITM=2000A,tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V		115		3800		El valor de la concentración
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.		25	40		300	El número de
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta				0.8		3.0	v
IH	Corriente de mantenimiento				25		200	El número de
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM		115			0.3	v
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	Enfriamiento doble por ambos lados Fuerza de agarre 32kN					0.011	℃ /W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	Enfriamiento doble por ambos lados Fuerza de agarre 32kN					0.003	℃ /W
- ¿ Qué?	Fuerza de Montaje				27	32	34	kN
TVj	Temperatura de unión				-40		115	℃
TSTG	Temperatura almacenada				-40		140	℃
El	Peso					1140		G. El
Esquema	El número de unidades de producción