1200V

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25oc

@ Tc=80oc

1350

900

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

1800

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 150oc

7.40

kV

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

v

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

900

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

1800

a

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

oc

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratimasofasi

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1 daqiqa

4000

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic=800A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

2.90

3.35

Oʻzlashtirish

v

ic=800A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125oc

Oʻzlashtirish

3.60

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish16.0 mA,Vo=VGE, TJ=25oc

5.0

6.1

7.0

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,

tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

53.1

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

3.40

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-Oʻzlashtirish15...+15V

Oʻzlashtirish

8.56

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic=800A,Oʻzlashtirishrg=Oʻzlashtirish1,3Ω,

vGE=±15V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

90

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

81

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

500

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

55

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

36.8

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

41.3

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic=800A,Oʻzlashtirishrg=Oʻzlashtirish1,3Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

115

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

92

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

550

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

66

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

52.5

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

59.4

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15V,

tJ= 125oC,Vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=800A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.95

2.40

v

if=800A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

1.95

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

56

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

550

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

38.7

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

148

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

920

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

91.8

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

12

Oʻzlashtirish

nH

rCC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi,Terminaldan Chipga

Oʻzlashtirish

0.19

Oʻzlashtirish

mΩ

rθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

16.9

26.2

K/kW

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (IGBT bo'yicha)

Qopqoqdan sinkgacha (diod bo'yicha)

Oʻzlashtirish

19.7

30.6

Oʻzlashtirish

K/kW

rθCS

Qopqoqdan cho'kishgacha

Oʻzlashtirish

6.0

Oʻzlashtirish

K/kW

Oʻzlashtirish

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishBurg'u M4Oʻzlashtirishterminalga ulanish Tork,OʻzlashtirishBurg'u M8OʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishM6 shrub

1.8

8.0

4.25

Oʻzlashtirish

2.1

10

5.75

Oʻzlashtirish

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

1500

Oʻzlashtirish

g