barcha toifalar

1200V

1200V

bosh sahifa / mahsulotlari / IGBT moduli / 1200V

GD800HFA120C6SD

IGBT modullari, 1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFA120C6SD
  • kirish soʻzlari
kirish soʻzlari

xususiyatlari

  • Past VCE(sat) Trench IGBT texnologiyasi
  • Qisqa tutashuv qobiliyati
  • VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
  • maksimalJunction harorati175oc
  • Past induktivlik bilan qoplangan
  • Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish anti-parallel FWD
  • Izolatsiyalangan mis asosplatiDBC texnologiyasidan foydalanib

OddiyOʻzlashtirishqo'llanmalar

  • Gibrid va elektr transport vositalari
  • Motorli harakatlantiruvchi inverter
  • uzluksiz quvvat ta'minoti

AbsolyutOʻzlashtirishmaksimalOʻzlashtirishreytinglarOʻzlashtirishtc=25ocOʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilganOʻzlashtirish

IGBT

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=100oc

800

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

1600

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ Tvj= 175oc

4687

v

Diod

Oʻzlashtirish

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vRRM

Takroriy Pik Qaytish Voltyoshi

1200

v

if

Diod Davomiy Oldinga Current

900

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

1800

a

iFSM

O'tkazish Oldin Tok  tp=10ms  @ Tvj=125ocOʻzlashtirish@ Tvj= 175oc

2392

2448

a

i2t

i2t-qiymat,tp=10ms@tvj= 125oc@ Tvj= 175oc

28608

29964

a2s

modul

Oʻzlashtirish

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tvjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tvjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolyatsiya Voltaji  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

IGBTOʻzlashtirishxususiyatlariOʻzlashtirishtc=25ocOʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilgan

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentgaOʻzlashtirishToʻyinganlik kuchlanmasi

ic=800A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj=25oc

Oʻzlashtirish

1.40

1.85

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic=800A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj= 125oc

Oʻzlashtirish

1.60

Oʻzlashtirish

ic=800A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj= 175oc

Oʻzlashtirish

1.60

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=24.0mA,vo=vGE,Oʻzlashtirishtvj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganjoriy

vo=vCES,vGE=0V,Oʻzlashtirishtvj=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tvj=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=25V,f=100kHz,OʻzlashtirishvGE=0V

Oʻzlashtirish

28.4

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtishOʻzlashtirishKalitlik

Oʻzlashtirish

0.15

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-15...+15V

Oʻzlashtirish

2.05

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=800A,Oʻzlashtirishrg=0.5Ω, Ls=40nH,OʻzlashtirishvGE=-8V/+15V,

tvj=25oc

Oʻzlashtirish

168

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

78

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

428

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

123

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

43.4

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

77.0

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=800A,Oʻzlashtirish

rg=0.5Ω, Ls=40nH,

OʻzlashtirishvGE=-8V/+15V,

tvj= 125oc

Oʻzlashtirish

172

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

84

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

502

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

206

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

86.3

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

99.1

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=800A,

Oʻzlashtirishrg=0.5Ω, Ls=40nH,Oʻzlashtirish

vGE=-8V/+15V,

tvj= 175oc

Oʻzlashtirish

174

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

90

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

531

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

257

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

99.8

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

105

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤8μs,vGE=15V,

tvj= 150oC,

vcc=800V,OʻzlashtirishvMETOʻzlashtirish1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2600

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

tp≤6μs,vGE=15V,

tvj= 175oC,

vcc=800V,OʻzlashtirishvMETOʻzlashtirish1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2500

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

DiodOʻzlashtirishxususiyatlariOʻzlashtirishtc=25ocOʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilgan

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diodOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=900A,VGE=0V,Tvj= 25oc

Oʻzlashtirish

1.60

2.00

Oʻzlashtirish

v

if=900A,VGE=0V,Tvj= 125oc

Oʻzlashtirish

1.60

Oʻzlashtirish

if=900A,VGE=0V,Tvj= 175oc

Oʻzlashtirish

1.50

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If=800A,

-di/dt=7778A/μs,VGE=-8V,Mens=40nH,tvj=25oc

Oʻzlashtirish

47.7

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

400

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

13.6

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If=800A,

-di/dt=7017A/μs,VGE=-8V,Mens=40nH,tvj= 125oc

Oʻzlashtirish

82.7

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

401

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

26.5

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If=800A,

-di/dt=6380A/μs,VGE=-8V,Mens=40nH,tvj= 175oc

Oʻzlashtirish

110

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

413

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

34.8

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

NTCOʻzlashtirishxususiyatlariOʻzlashtirishtc=25ocOʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilgan

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

r25

Reyting qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

Oʻzlashtirish

∆R/R

Og'ishOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishr100

tc=100Oʻzlashtirishoc,R100=493.3Ω

-5

Oʻzlashtirish

5

%

p25

kuchlanish

tarqalish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20.0

mW

b25/50

B-qiymat

r2=R25exp[B25/50(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3375

Oʻzlashtirish

k

b25/80

B-qiymat

r2=R25exp[B25/80(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3411

Oʻzlashtirish

k

b25/100

B-qiymat

r2=R25exp[B25/100(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3433

Oʻzlashtirish

k

Oʻzlashtirish

modulOʻzlashtirishxususiyatlariOʻzlashtirishtc=25ocOʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilgan

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

20

Oʻzlashtirish

nH

rCC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

Oʻzlashtirish

0.80

Oʻzlashtirish

rtJC

Junction- Oʻzingizninggacha- Oʻzingizningholat(perIGBT) bilanOʻzlashtirishQoplamaga bog'lanish (di uchun)oʻqilgan)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.032

Oʻzlashtirish0.049

K/W

Oʻzlashtirish

rtCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (harIGBT)    Holat-to-Isituvchi (per Diode)    Case-to-Heatsink (perModul)

Oʻzlashtirish

0.030Oʻzlashtirish

0.046Oʻzlashtirish

0.009

Oʻzlashtirish

K/W

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishScrew M5

3.0Oʻzlashtirish3.0

Oʻzlashtirish

6.0Oʻzlashtirish6.0

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

350

Oʻzlashtirish

g

Oʻzlashtirish

bepul taklif olish

Bizning vakilimiz yaqinda siz bilan bog'lanadi.
Email
nomi
kompaniya nomi
xabar
0/1000

bog'liq mahsulot

Mahsulotlar haqida savollaringiz bormi?

Bizning professional savdo guruhimiz sizning maslahatlashishingiz uchun kutmoqda.
Ularning mahsulot ro'yxatini kuzatishingiz va sizni qiziqtirgan har qanday savollarni berishingiz mumkin.

narxni olish

bepul taklif olish

Bizning vakilimiz yaqinda siz bilan bog'lanadi.
Email
nomi
kompaniya nomi
xabar
0/1000