barcha toifalar

1200V

1200V

bosh sahifa / mahsulotlari / IGBT moduli / 1200V

GD600SGL120C2S

IGBT modullari, 1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600SGL120C2S
  • kirish soʻzlari
kirish soʻzlari

xususiyati

  • Past VCE (sat) SPT+ IGBT texnologiyasi
  • 10 μs qisqa uzilish qobiliyati
  • VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
  • Past induktivlik bilan qoplangan
  • Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
  • DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

odatdagi qo'llanmalar

  • AC Inverter harakatlantirgichlari
  • O'zgaruvchan rejimli quvvat manbalari
  • Elektron payvandlovchilar fSW tezligida 20 kHz gacha

AbsolyutOʻzlashtirishmaksimalOʻzlashtirishreytinglarOʻzlashtirishtc=25°COʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilgan

Oʻzlashtirish

Simvol

tavsif

GD600SGL120C2S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25°C

@ Tc=Oʻzlashtirish100°C

950

a

600

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

1200

a

if

Diod doimiy oldinga oqim

600

a

ifm

Diodning maksimal oldinga burilishiijara

1200

a

pd

Maksimal quvvatJ=Oʻzlashtirish175°C

3750

v

ts

Qisqa uzilishva vaqti

10

μs

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

°C

i2t-qimmat, diod

vr=0V, t=10ms, TJ= 125°C

74000

a2s

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Oʻzlashtirish

Oʻrnatish vring

Signal terminaliningOʻzlashtirishVaraq:M4

1.1 gachaOʻzlashtirish2.0

Oʻzlashtirish

Kuch terminalining viski:M6

2,5 gachaOʻzlashtirish5.0

n.m.

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

3,0 danOʻzlashtirish5.0

Oʻzlashtirish

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

300

g

Oʻzlashtirish

elektrOʻzlashtirishxususiyatlariOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishIGBTOʻzlashtirishtc=25°COʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilgan

Xususiyatlari

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=vCES,vGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Xususiyatlar toʻgʻrisida

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic= 24mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.9

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.1

Oʻzlashtirish

Xususiyatlarni oʻzgartirish

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

vcc= 600V,Ic= 600A,Oʻzlashtirishrg=3Ω,

vGE=±15OʻzlashtirishV,TJ=25°C

Oʻzlashtirish

200

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

62

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

510

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 600A,Oʻzlashtirishrg=3Ω,

vGE=±15OʻzlashtirishV,TJ=25°C

Oʻzlashtirish

60

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

39

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

48

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 600A,

rg= 3Ω,VGE=±15OʻzlashtirishV,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

210

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

65

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

600

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

75

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

45

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

60

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=25V, f=1MHz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

41.0

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

3.1

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

2.0

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc10 μs, VGE=15V, OʻzlashtirishtJ= 125°C,

vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2600

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

rcc+EEOʻzlashtirish'

Modulning o'zlashtiruvchi qarshiligie)OʻzlashtirishChiptani terminalga oʻtkazish

tc=25°C

Oʻzlashtirish

0.18

Oʻzlashtirish

mΩ

Oʻzlashtirish

elektrOʻzlashtirishxususiyatlariOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishDiodOʻzlashtirishtc=25°COʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilgan

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 600A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.8

2.4

v

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

1.9

2.5

qr

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Oʻzlashtirish

if= 600A,

vr= 600 V,

di/dt=-6000A/μs,OʻzlashtirishvGE=-Oʻzlashtirish15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

65

Oʻzlashtirish

μC

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

100

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

irm

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanishOʻzlashtirishjoriy

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

450

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

510

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

35

Oʻzlashtirish

mJ

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

42

Oʻzlashtirish

Issiqlik xususiyatiics

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Qatlamga ulanish (IGBT qismi, pe)r Moduli)

Oʻzlashtirish

0.04

°C/W

rθJC

"Borish" (diod qismlari, Modu bo'yicha)o)

Oʻzlashtirish

0.09

°C/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog'koʻrsatilgan)

0.035

Oʻzlashtirish

°C/W

bepul taklif olish

Bizning vakilimiz yaqinda siz bilan bog'lanadi.
Email
nomi
kompaniya nomi
xabar
0/1000

bog'liq mahsulot

Mahsulotlar haqida savollaringiz bormi?

Bizning professional savdo guruhimiz sizning maslahatlashishingiz uchun kutmoqda.
Ularning mahsulot ro'yxatini kuzatishingiz va sizni qiziqtirgan har qanday savollarni berishingiz mumkin.

narxni olish

bepul taklif olish

Bizning vakilimiz yaqinda siz bilan bog'lanadi.
Email
nomi
kompaniya nomi
xabar
0/1000