1200V

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

1009

600

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

1200

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TOʻzlashtirish= 150oc

4032

v

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

v

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

600

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

1200

a

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

oc

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratimasofasi

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1daqiqa

2500

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

2.15

2.60

Oʻzlashtirish

v

ic= 600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125oc

Oʻzlashtirish

2.65

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=24.0mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25oc

4.5

5.5

6.5

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,

tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

40.8

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

2.64

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-15...+15V

Oʻzlashtirish

6.35

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 600A,Oʻzlashtirishrg=3.3Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

673

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

207

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

995

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

154

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

23.1

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

88.5

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 600A,Oʻzlashtirishrg=3.3Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

678

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

211

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

1047

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

164

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

29.8

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

95.4

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15V,

tJ= 125oC,Vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

3600

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 600A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.65

2.10

v

if= 600A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

1.65

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 600V,If= 600A,

-di/dt=2750A/μs,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

55.7

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

288

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

26.4

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 600V,If= 600A,

-di/dt=2750A/μs,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

98.5

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

375

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

48.5

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

rCC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

Oʻzlashtirish

0.18

Oʻzlashtirish

mΩ

rtJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.031

0.070

K/W

Oʻzlashtirish

rtCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (harIGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p)er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (harModul)

Oʻzlashtirish

0.051

0.114

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

Oʻzlashtirish

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishBurg'u M4Oʻzlashtirishterminalga ulanish Tork,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishM6 shrub

1.1

2.5

3.0

Oʻzlashtirish

2.0

5.0

6.0

Oʻzlashtirish

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

g