1200V

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

O'tkazuvchan Gate-Emitter Kuchlanishi

± 20

± 30

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

873

600

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

1200

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175oc

2727

v

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vRRM

Takroriy Pik Qaytish Voltyoshi

1200

v

if

Diod Davomiy Oldinga Current

600

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

1200

a

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolyatsiya Voltaji  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.75

2.20

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125oc

Oʻzlashtirish

2.00

Oʻzlashtirish

ic= 600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 150oc

Oʻzlashtirish

2.05

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=24.0mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,

tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.7

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

55.9

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

1.57

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-Oʻzlashtirish15...+15V

Oʻzlashtirish

4.20

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 600A,Oʻzlashtirishrg=1.5Ω

,Ls=34nH,  VGE=± 15V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

109

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

62

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

469

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

68

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

42.5

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

46.0

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 600A,Oʻzlashtirishrg=1.5Ω,

Mens=34nH,Oʻzlashtirish

vGE=± 15V,TJ= 125oc

Oʻzlashtirish

143

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

62

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

597

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

107

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

56.5

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

70.5

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 600A,Oʻzlashtirishrg=1.5Ω,

Mens=34nH,Oʻzlashtirish

OʻzlashtirishvGE=± 15V,TJ= 150oc

Oʻzlashtirish

143

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

68

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

637

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

118

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

61.2

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

77.8

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15V,

tJ= 150oC,Vcc=800V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2400

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 600A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.95

2.40

Oʻzlashtirish

v

if= 600A,VGE=0V,TJ= 125oc

Oʻzlashtirish

2.05

Oʻzlashtirish

if= 600A,VGE=0V,TJ= 150oc

Oʻzlashtirish

2.10

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,If= 600A,

-di/dt=4300A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15V,Mens=34nH,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

58.9

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

276

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

20.9

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,If= 600A,

-di/dt=4300A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15V,Mens=34nH,tJ= 125oc

Oʻzlashtirish

109

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

399

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

41.8

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,If= 600A,

-di/dt=4300A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15V,Mens=34nH,tJ= 150oc

Oʻzlashtirish

124

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

428

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

48.5

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

rCC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

Oʻzlashtirish

0.35

Oʻzlashtirish

mΩ

rtJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun)oʻqilgan)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.055

0.089

K/W

Oʻzlashtirish

rtCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (harIGBT)

Korpusdan Isitgichga (per Diode)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga)(oʻqilgan)

Oʻzlashtirish

0.032

0.052

0.010

Oʻzlashtirish

K/W

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishM6 shrub

2.5

3.0

Oʻzlashtirish

5.0

5.0

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

g