1200V

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 30

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25oc@ Tc= 95oc

685

450

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

900

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175oc

2206

v

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

v

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

450

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

900

a

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratimasofasi

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1 daqiqa

4000

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentgaOʻzlashtirishToʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 450A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.70

2.15

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 450A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125oc

Oʻzlashtirish

1.95

Oʻzlashtirish

ic= 450A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 150oc

Oʻzlashtirish

2.00

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish18.0 mA,Vo=VGE,tJ=25oc

5.0

5.6

6.5

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganjoriy

vo=vCES,vGE=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.7

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,OʻzlashtirishvGE=0V

Oʻzlashtirish

39.0

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtishOʻzlashtirishKalitlik

Oʻzlashtirish

1.26

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=15V

Oʻzlashtirish

2.46

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 450A,Oʻzlashtirishrg=Oʻzlashtirish1.5Ω,

vGE=±15V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

360

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

140

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

550

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

146

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

11.5

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

48.0

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 450A,Oʻzlashtirishrg=Oʻzlashtirish1.5Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

374

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

147

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

623

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

178

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

17.9

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

64.5

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 450A,Oʻzlashtirishrg=Oʻzlashtirish1.5Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

381

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

152

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

636

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

184

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

19.6

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

69.0

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15V,

tJ= 150oC,Vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1800

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diodkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 450A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.72

2.12

Oʻzlashtirish

v

if= 450A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

1.73

Oʻzlashtirish

if= 450A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

1.74

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 600V,If= 450A,

-di/dt=3000A/μs,VGE= 15V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

40.3

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

258

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

19.0

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 600V,If= 450A,

-di/dt=3000A/μs,VGE= 15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

71.9

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

338

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

39.1

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 600V,If= 450A,

-di/dt=3000A/μs,VGE= 15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

79.3

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

352

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

41.8

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

rCC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi,Terminaldan Chipga

Oʻzlashtirish

0.35

Oʻzlashtirish

mΩ

rθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T) Junction-to-Case (per Dyod)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.068Oʻzlashtirish0.117

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (IGBT bo'yicha)OʻzlashtirishQopqoqdan sinkgacha (diod bo'yicha)

Oʻzlashtirish

0.111Oʻzlashtirish0.190

Oʻzlashtirish

K/W

rθCS

Qopqoqdan cho'kishgacha

Oʻzlashtirish

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishM6 shrub

2.5Oʻzlashtirish3.0

Oʻzlashtirish

5.0Oʻzlashtirish5.0

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

g