1700V

Simvol

tavsif

GD400SGT170C2S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

700

a

400

im1.

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

800

a

if

Diod doimiy oldinga oqim

400

a

ifm

Diodning maksimal oldinga burilishiijara

800

a

pd

Maksimal quvvatJ=Oʻzlashtirish175°C

3000

v

ts

Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ TJ= 125°C

10

μs

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

°C

i2t-qiymat,Diode

vr=0V, t=10ms, TJ= 125°C

25500

a2s

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Oʻzlashtirish

Oʻrnatish vring

Quvvat terminali vint:M4

Kuch terminalining viski:M6

1.1 gachaOʻzlashtirish2.0

2,5 gachaOʻzlashtirish5.0

n.m.

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

3,0 danOʻzlashtirish5.0

n.m.

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

vGE=0V,Oʻzlashtirishic=Oʻzlashtirish14mA,tJ=25°C

1700

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=vCES,vGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

3.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish16mA,Vo=VGE,tJ=25°C

5.2

5.8

6.4

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.00

2.45

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.40

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

vcc= 900V,Ic= 400A,

Oʻzlashtirish

278

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

rg= 3,6Ω,VGE=Oʻzlashtirish±15OʻzlashtirishV,

Oʻzlashtirish

81

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

802

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic=400A,   rg= 3,6Ω,VGE=Oʻzlashtirish±15OʻzlashtirishV,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

119

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

104

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

86

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic=400A,   rg= 3,6Ω,VGE=Oʻzlashtirish±15OʻzlashtirishV,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

302

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

99

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

1002

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

198

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

136

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

124

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

36

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

1.5

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

1.2

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc≤10μs,vGE=15V,

tJ= 125°CVcc=Oʻzlashtirish1000 V, vMET≤1700V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1600

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

rGint

Ichki Darvozali Qarshiliktansiq

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1.9

Oʻzlashtirish

Ω

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

rcc+EEOʻzlashtirish'

Modulning oʻzidan saqlanishioOʻzlashtirishChiptani terminalga oʻtkazish

tc=25°C

Oʻzlashtirish

0.18

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 400A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.80

2.20

v

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

1.90

Oʻzlashtirish

qr

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Oʻzlashtirish

if= 400A,

vr=900OʻzlashtirishV,

di/dt=-4250A/μs,OʻzlashtirishvGE=-Oʻzlashtirish15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

99

Oʻzlashtirish

μC

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

172

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

irm

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanishOʻzlashtirishjoriy

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

441

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

478

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

53

Oʻzlashtirish

mJ

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

97

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Qatlamga ulanish (IGBT qismi, pe)r Moduli)

Oʻzlashtirish

0.05

K/W

rθJC

Modul bo'yicha junction-to-case (diod qism)e)

Oʻzlashtirish

0.09

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog'koʻrsatilgan)

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

300

Oʻzlashtirish

g