1200V

Simvol

tavsif

GD300TLT120C2S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi@ TJ=25°C

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi@ TJ=25°C

± 20

v

ic

Joriy toʻplamtc=25°C

@ Tc=Oʻzlashtirish100°C

480

300

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1ms

600

a

ptot

Toʻliq quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175°C

1630

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish12,0 mA,Vo=VGE,tJ=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 300A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.70

2.15

Oʻzlashtirish

v

ic= 300A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.00

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 300A,Oʻzlashtirishrg= 2,4Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

250

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

90

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

550

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

130

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

16.9

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

29.4

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 300A,Oʻzlashtirishrg= 2,4Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

100

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

650

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

180

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

25.1

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

43.9

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

21.5

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

0.98

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vcc= 600V,Ic= 300A,OʻzlashtirishvGE= - 15Oʻzlashtirish_ _ _ _ _ _ _ _ _+15V

Oʻzlashtirish

2.8

Oʻzlashtirish

n-da

rGint

Ichki darvoza qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2.5

Oʻzlashtirish

Ω

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15OʻzlashtirishV,

tJ= 125℃,VOʻzlashtirishcc= 900V, vMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

tavsif

GD300TLT120C2S

birliklar

vRRM

Qayta takrorlanadigan yuqori teskari kuchlanishni @ TJ=25°C

1200

v

if

DC oldinga oqim

300

a

iFRM

Takrorlanadigan yuqori oldinga oqim tp= 1 ms

600

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 300A,

vGE=0V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.65

2.15

v

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

1.65

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

if= 300A,

vr= 600 V,

rg= 2,4Ω,

vGE= 15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

30

Oʻzlashtirish

μC

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

55

Oʻzlashtirish

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

210

Oʻzlashtirish

a

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

270

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

13.9

Oʻzlashtirish

mJ

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

26.1

Oʻzlashtirish

Simvol

tavsif

GD300TLT120C2S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi@ TJ=25°C

650

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi@ TJ=25°C

± 20

v

ic

Joriy toʻplamtc=25°C

@ Tc=Oʻzlashtirish100°C

480

300

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1ms

600

a

ptot

Toʻliq quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175°C

1071

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

650

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=13.2mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25°C

5.5

Oʻzlashtirish

7.7

v

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 300A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.50

1.95

Oʻzlashtirish

v

ic= 300A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 175°C

Oʻzlashtirish

1.80

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 300 V,Ic= 300A,Oʻzlashtirishrg= 2,5Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

125

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

320

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

270

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

135

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

3.20

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

12.2

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 300 V,Ic= 300A,Oʻzlashtirishrg= 2,5Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

110

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

320

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

320

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

145

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

3.50

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

12.8

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

vo=30V,f=1MHz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

25.9

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

0.68

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vcc= 300 V,Ic= 300A,OʻzlashtirishvGE=15V

Oʻzlashtirish

590

Oʻzlashtirish

n-da

rGint

Ichki darvoza qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1.0

Oʻzlashtirish

Ω

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤6μs,vGE=15V,

tJ= 125℃,Vcc= 360 V, vMET≤ 650V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

3600

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

tavsif

GD300TLT120C2S

birliklar

vRRM

Qayta takrorlanadigan yuqori teskari kuchlanishni @ TJ=25°C

650

v

if

DC oldinga oqim

300

a

iFRM

Takrorlanadigan yuqori oldinga oqim tp= 1 ms

600

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 300A,

vGE=0V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.40

1.80

v

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

1.40

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

if= 300A,

vr= 300 V,

rg=4.7Ω,

vGE= 15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

12.0

Oʻzlashtirish

μC

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

21.2

Oʻzlashtirish

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

153

Oʻzlashtirish

a

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

185

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.65

Oʻzlashtirish

mJ

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

5.12

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1 daqiqa

4000

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

Oʻzlashtirish

rθJC

T1 uchun junction-to-Case (T2 IGBT)

T1 va T2 bo'yicha (Buxlash bilan qoplama)Diod)

T3 uchun junction-to-case (T4 IGBT)

T3, T4 uchun junction-to-caseDiod)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.092

0.158

0.137

0.236

Oʻzlashtirish

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi)yolgʻonchi)

Oʻzlashtirish

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

175

°C

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40

Oʻzlashtirish

150

°C

tSTG

saqlash haroratimasofasi

-40

Oʻzlashtirish

125

°C

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishM6 shrub

2.5

3.0

Oʻzlashtirish

5.0

5.0

n.m.

g

vazniningOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

340

Oʻzlashtirish

g