1200V

Simvol

tavsif

GD300SGU120C2S

birliklar

VCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

VGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

IC

Kollektor oqimi @ TC=25°C

@ TC=80℃

440

300

a

ICM

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp=1 ms

600

a

agar

Diodning uzluksiz oldinga oqimi  @ TC=80℃

300

a

MFI

Diodning maksimal oldingi oqimi tp=1 ms

600

a

PD

Maksimal quvvat yo'qotilishi  @ Tj=150℃

2272

v

Tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

TSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

°C

VISO

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Oʻrnatish vring

Signal terminalning viski:M4

1.1 dan 2.0

Oʻzlashtirish

Kuch terminalining viski:M6

2.5 dan 5.0

n.m.

O'rnatish viski:M6

3.0 dan 5.0

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

V(BR) CES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

Tj = 25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ICES

Kollektorning kesilishi

joriy

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter oqim oqishi

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

VGE (oʻn)

Darvozani-emitterning chegara kuchlanishi

IC=3.0mA,VCE=VGE, Tj=25℃

4.4

5.2

6.0

v

Oʻzlashtirish

VCE(sat)

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=300A,VGE=15V, Tj=25℃

Oʻzlashtirish

3.10

3.55

Oʻzlashtirish

v

IC=300A,VGE=15V, Tj=125℃

Oʻzlashtirish

3.45

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 300A,Oʻzlashtirishrg=3.3Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

662

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

142

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

633

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

117

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

19.7

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

22.4

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 300A,Oʻzlashtirishrg=3.3Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

660

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

143

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

665

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

137

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

24.9

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

28.4

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=30V,f=1MHz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

25.3

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

2.25

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

0.91

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15OʻzlashtirishV,

tJ= 125°C,vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2550

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

Oʻzlashtirish

rCC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.18

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=300A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.82

2.25

v

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

1.95

Oʻzlashtirish

qr

Qayta tiklangan

toʻlov

if= 300A,

vr= 600 V,

rg=3.3Ω,

vGE= 15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

29.5

Oʻzlashtirish

μC

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

42.3

Oʻzlashtirish

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

210

Oʻzlashtirish

a

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

272

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

16.4

Oʻzlashtirish

mJ

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

22.7

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Oʻzlashtirish

0.055

K/W

rθJC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

0.092

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi)yolgʻonchi)

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishmodul

300

Oʻzlashtirish

g