1200V

Simvol

tavsif

GD1200SGL120C3S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

kollektor oqimi

@ Tc=25°C

@ Tc=Oʻzlashtirish100°C

1900

a

1200

im1.

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp=Oʻzlashtirish1ms

2400

a

if

Diod doimiy oldinga oqim

1200

a

ifm

Diodning maksimal oldinga burilishiijara

2400

a

pd

Maksimal quvvatJ=Oʻzlashtirish175°C

8823

v

ts

Qisqa tutashuvga chidamlilik vaqti    @ TJ= 125°C

10

μs

tJ

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

°C

i2t-qimmat, diod

vr=0V, t=10ms, TJ= 125°C

300

ka2s

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

oʻrnatish

aylanish vring

Quvvat terminali vint:M4

Kuch terminalining viski:M8

1.7 gachaOʻzlashtirish2.3

8.0 danOʻzlashtirish10

n.m.

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

4.25 danOʻzlashtirish5.75

n.m.

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

BVOʻzlashtirishCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=vCES,vGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

800

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=48,0mA,vo=vGE,tJ=25°C

5.0

6.5

7.0

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic=Oʻzlashtirish1200A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.9

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic=Oʻzlashtirish1200A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.1

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

rGint

Ichki Gate Rezistor

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.2

Oʻzlashtirish

Ω

qGE

Darvoza zaryadi

ic=Oʻzlashtirish1200A,Vo= 600 V,OʻzlashtirishvGE=-Oʻzlashtirish15...+15V

Oʻzlashtirish

12.5

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

vcc= 600V,Ic= 1200A,

rg=0.82Ω,VGEOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish±15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

790

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

170

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

1350

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

180

Oʻzlashtirish

ns

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 1200A,

rg=0.82Ω,VGEOʻzlashtirish=±15OʻzlashtirishV,Oʻzlashtirish

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

850

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

170

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

1500

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

220

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishOʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

155

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

190

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=25V, f=1MHz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

92.0

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

8.40

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

6.10

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc≤10 μs, VGE=15V, OʻzlashtirishtJ= 125°C,

vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

7000

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

15

Oʻzlashtirish

nH

rcc+EEOʻzlashtirish'

Modulning o'zlashtiruvchi qarshiligie)OʻzlashtirishChiptani terminalga oʻtkazish

tc=25°C, har bir oʻzgaruvchi

Oʻzlashtirish

0.10

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=Oʻzlashtirish1200A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.9

Oʻzlashtirish

v

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.1

Oʻzlashtirish

qr

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Oʻzlashtirish

if=Oʻzlashtirish1200A,

vr= 600 V,

di/dt=-6800A/μs,OʻzlashtirishvGE=-Oʻzlashtirish15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

110

Oʻzlashtirish

μC

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

220

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

irm

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanishOʻzlashtirishjoriy

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

760

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

990

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

47

Oʻzlashtirish

mJ

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

82

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Qatlamga ulanish (IGBT qismi, pe)r Moduli)

Oʻzlashtirish

0.017

K/W

rθJC

"Borish" (diod qismlari, Modu bo'yicha)o)

Oʻzlashtirish

0.025

K/W

rθCS

Qopqoqdan cho'kishgacha

(O'tkazuvchan yog'qo'llanilgan, harModul)

0.006

Oʻzlashtirish

K/W

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

1500

Oʻzlashtirish

g