IGBT Discrete

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25oC @ Tc=100oc

150

75

a

im

Pulsatsiya qilinganOʻzlashtirishKollektorOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirishtpOʻzlashtirishcheklanganOʻzlashtirishtomonidanOʻzlashtirishtvjmax

225

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ Tvj= 175oc

852

v

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vRRM

Takroriy Pik Qaytish Voltyoshi

1200

v

if

Diod Davomiy Oldinga Current

75

a

ifm

Pulsatsiya qilinganOʻzlashtirishKollektorOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirishtpOʻzlashtirishcheklanganOʻzlashtirishtomonidanOʻzlashtirishtvjmax

225

a

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

tvjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +175 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-55 dan +150 gacha

oc

ts

So'yish harorati,1.6 mm fuchun romOʻzlashtirish10s

260

oc

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentgaOʻzlashtirishToʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 75A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj=25oc

Oʻzlashtirish

1.75

2.20

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 75A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj= 150oc

Oʻzlashtirish

2.10

Oʻzlashtirish

ic= 75A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj= 175oc

Oʻzlashtirish

2.20

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic= 3,00mA,vo=vGE,Oʻzlashtirishtvj=25oc

5.0

5.8

6.5

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganjoriy

vo=vCES,vGE=0V,Oʻzlashtirishtvj=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

250

μA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tvj=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

100

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2.0

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=25V,f=100kHz,OʻzlashtirishvGE=0V

Oʻzlashtirish

6.58

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

0.40

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

cres

Orqaga oʻtishOʻzlashtirishKalitlik

Oʻzlashtirish

0.19

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-15...+15V

Oʻzlashtirish

0.49

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 75A,Oʻzlashtirishrg=4.7Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishLs=40nH,

tvj=25oc

Oʻzlashtirish

41

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

135

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

87

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

255

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

12.5

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

3.6

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 75A,Oʻzlashtirishrg=4.7Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishLs=40nH,

tvj= 150oc

Oʻzlashtirish

46

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

140

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

164

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

354

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

17.6

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

6.3

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 75A,Oʻzlashtirishrg=4.7Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishLs=40nH,

tvj= 175oc

Oʻzlashtirish

46

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

140

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

167

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

372

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

18.7

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

6.7

Oʻzlashtirish

mJ

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,vGE=15V,

tvj= 175oC,Vcc=800V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diodOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 75A,VGE=0V,Tvj= 25oc

Oʻzlashtirish

1.75

2.20

Oʻzlashtirish

v

if= 75A,VGE=0V,Tvj=150oc

Oʻzlashtirish

1.75

Oʻzlashtirish

if= 75A,VGE=0V,Tvj= 175oc

Oʻzlashtirish

1.75

Oʻzlashtirish

trr

Diod orqagaOʻzlashtirishtiklanish vaqti

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If= 75A,

-di/dt=370A/μs,VGE= - 15V,OʻzlashtirishLs=40nH,

tvj=25oc

Oʻzlashtirish

267

Oʻzlashtirish

ns

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

4.2

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

22

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

1.1

Oʻzlashtirish

mJ

trr

Diod orqagaOʻzlashtirishtiklanish vaqti

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If= 75A,

-di/dt=340A/μs,VGE= - 15V,OʻzlashtirishLs=40nH,

tvj= 150oc

Oʻzlashtirish

432

Oʻzlashtirish

ns

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

9.80

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

33

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

2.7

Oʻzlashtirish

mJ

trr

Diod orqagaOʻzlashtirishtiklanish vaqti

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If= 75A,

-di/dt=320A/μs,VGE= - 15V,OʻzlashtirishLs=40nH,

tvj= 175oc

Oʻzlashtirish

466

Oʻzlashtirish

ns

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

11.2

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

35

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

3.1

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

rtJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T) Junction-to-Case (per Dyod)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.176Oʻzlashtirish0.371

K/W

rtJA

O'zaro bog'lanish

Oʻzlashtirish

40

Oʻzlashtirish

K/W