IGBT Discrete

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

650

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25oC @ Tc=135oc

240

120

a

im

Pulsatsiya qilinganOʻzlashtirishKollektorOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirishtpOʻzlashtirishcheklanganOʻzlashtirishtomonidanOʻzlashtirishtjmax

360

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175oc

893

v

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vRRM

Takroriy Pik Qaytish Voltyoshi

650

v

if

Diodning uzluksiz oldinga oqim kuchi   @ Tc=25ocOʻzlashtirish@ Tc=80oc

177

120

a

ifm

DiodOʻzlashtirishmaksimalOʻzlashtirishOldingaOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirishtpOʻzlashtirishcheklanganOʻzlashtirishtomonidanOʻzlashtirishtjmax

360

a

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +175 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-55 dan +150 gacha

oc

ts

So'yish harorati,1.6 mm fuchun romOʻzlashtirish10s

260

oc

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentgaOʻzlashtirishToʻyinganlik kuchlanmasi

ic=120A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.40

1.85

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic=120A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 150oc

Oʻzlashtirish

1.70

Oʻzlashtirish

ic=120A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 175oc

Oʻzlashtirish

1.75

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=1.92mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25oc

5.1

5.8

6.5

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganjoriy

vo=vCES,vGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

250

uA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

200

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

/

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=25V,f=100kHz,OʻzlashtirishvGE=0V

Oʻzlashtirish

14.1

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtishOʻzlashtirishKalitlik

Oʻzlashtirish

0.42

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE= - 15Oʻzlashtirish…+15V

Oʻzlashtirish

0.86

Oʻzlashtirish

uC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 300 V,Ic=120A,Oʻzlashtirishrg=7.5Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishMens=40nH,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

68

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

201

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

166

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

54

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

7.19

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

2.56

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 300 V,Ic=120A,Oʻzlashtirishrg=7.5Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishMens=40nH,tJ= 150oc

Oʻzlashtirish

70

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

207

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

186

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

106

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

7.70

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

2.89

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 300 V,Ic=120A,Oʻzlashtirishrg=7.5Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishMens=40nH,tJ= 175oc

Oʻzlashtirish

71

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

211

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

195

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

139

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

7.80

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

2.98

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤6μs,vGE=15V,

tJ= 150OʻzlashtirishoC,Vcc= 300 V, vMET≤ 650V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

600

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diodOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=120A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.65

2.10

Oʻzlashtirish

v

if=120A,VGE=0V,TJ= 150oc

Oʻzlashtirish

1.60

Oʻzlashtirish

if=120A,VGE=0V,TJ= 175oc

Oʻzlashtirish

1.60

Oʻzlashtirish

trr

Diod orqagaOʻzlashtirishtiklanish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vr= 300 V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE= 15VOʻzlashtirishMens=40nH,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

184

Oʻzlashtirish

ns

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

1.65

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

17.2

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

0.23

Oʻzlashtirish

mJ

trr

Diod orqagaOʻzlashtirishtiklanish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vr= 300 V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE= 15VOʻzlashtirishMens=40nH,tJ= 150oc

Oʻzlashtirish

221

Oʻzlashtirish

ns

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

3.24

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

23.1

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

0.53

Oʻzlashtirish

mJ

trr

Diod orqagaOʻzlashtirishtiklanish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vr= 300 V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE= 15VOʻzlashtirishMens=40nH,tJ= 175oc

Oʻzlashtirish

246

Oʻzlashtirish

ns

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

3.98

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

26.8

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

0.64

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

rtJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T) Junction-to-Case (per Dyod)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.168Oʻzlashtirish0.369

K/W

rtJA

O'zaro bog'lanish

Oʻzlashtirish

40

Oʻzlashtirish

K/W