YMIF1000-33, Модуль IGBT, 3300В 1000А

Модуль IGBT 3300V

YMIF1000-33, IGBT Модуль, 3300V 1000A

IGBT Модуль，3300V 1000A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF1000-33

введіння
Контур

введіння

ключ- Ні.параметри

vCES	3300- Ні.v
vc(сидіти)	(тип)- Ні.- Ні.2.40- Ні.v
іc	(Максимально)- Ні.1000- Ні.а
іC(rm)	(Максимально)- Ні.- Ні.2000- Ні.а

- Ні.

Типові застосування

Двигуни тягу
Моторні контролери
розумний- Ні.сітка
високий- Ні.надійність- Ні.Інвертор

Типові застосування

Двигуни тягу
двигун
Моторні контролери
Розумна мережа
Висока надійність Інвертор

Абсолютний максимальний рейтинг

(Сімвол)	(Параметр)	(Умови випробування)	(значення)	(Одиниця)
ВСЕ	Напруження колектора-еміттера	VGE = 0V, TC = 25 °C	3300	v
VGES	Напруження шлюзового випромінювача	TC= 25 °C	± 20	v
I C	Ток колектора-еміттера	TC = 95 °C	1000	а
IC(PK)	Піковий струм колектора	t P= 1ms	2000	а
П Макс	Максимальна розсіювання потужності транзистора	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	10.4	кв
I 2t	Диод I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	kA2s
Висоль	Ізоляційне напруження на модуль	спільні термінали до основної пластини), AC RMS,1 хв, 50Hz,TC= 25 °C	6000	v
Q PD	Часткове розрядження на модуль	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	pc

- Ні.

Електричні характеристики

(Сімвол)		(Параметр)	(Умови випробування)	(мін)	(тип)	(Максимально)	(одиниця)
- Ні. I CES		- Ні. - Ні. Ограничений струм колектора	VGE = 0V,VCE = VCES	- Ні.	- Ні.	1	Мати
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C	- Ні.	- Ні.	60	Мати
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C	- Ні.	- Ні.	100	Мати
I GES		- Ні. Течія витоку через шлюзи	VGE = ±20V, VCE = 0V	- Ні.	- Ні.	1	μA
VGE (TH)		Порожнє напруження шлюзу	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	v
- Ні. VCE	- Ні. (*1) (сат)	Насичення колектора-емітера напруга	VGE= 15V, I C= 1000A	- Ні.	2.40	2.90	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C	- Ні.	2.95	3.40	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C	- Ні.	3.10	3.60	v
I F		Диодний поток вперед	dc	- Ні.	1000	- Ні.	а
I FRM		- Ні. Максимальний прямий струм діода	t P = 1ms	- Ні.	2000	- Ні.	а
- Ні. VF(*1)		- Ні. - Ні. Диодний напрям вперед	I F= 1000A	- Ні.	2.10	2.60	v
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C	- Ні.	2.25	2.70	v
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C	- Ні.	2.25	2.70	v
C ies		- Ні. Вхідна емкості	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz	- Ні.	170	- Ні.	НФ
Q g		Зарахування за ворота	±15В	- Ні.	17	- Ні.	МК
C res		Обертальна передача емкості	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz	- Ні.	4	- Ні.	НФ
L M		- Ні. Індуктивність модуля	- Ні.	- Ні.	15	- Ні.	nH
R INT		Внутрішній опір транзистора	- Ні.	- Ні.	165	- Ні.	μΩ
- Ні. I SC		Коротке замикання, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9	- Ні.	- Ні. 3900	- Ні.	- Ні. а

- Ні.

td ((заключено)	Час затримки вимикання	- Ні. I C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	- Ні.	1800	- Ні.	n
t f	Час осені		- Ні.	530	- Ні.	n
E OFF	Втрати енергії при вимкненні		- Ні.	1600	- Ні.	мж
td ((on)	Час затримки включення		- Ні.	680	- Ні.	n
t r	Час підйому		- Ні.	320	- Ні.	n
ЕОН	Втрата енергії при включенні		- Ні.	1240	- Ні.	мж
Q rr	Заряд реверсу рекуперації диодів	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	- Ні.	780	- Ні.	МК
Ір	Обертаний ток відновлення диоди		- Ні.	810	- Ні.	а
E rec	Енергія відходу від диоди		- Ні.	980	- Ні.	мж
td ((заключено)	Час затримки вимикання	- Ні. I C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	- Ні.	1940	- Ні.	n
t f	Час осені		- Ні.	580	- Ні.	n
E OFF	Втрати енергії при вимкненні		- Ні.	1950	- Ні.	мж
td ((on)	Час затримки включення		- Ні.	660	- Ні.	n
t r	Час підйому		- Ні.	340	- Ні.	n
ЕОН	Втрата енергії при включенні		- Ні.	1600	- Ні.	мж
Q rr	Заряд реверсу рекуперації диодів	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	- Ні.	1200	- Ні.	МК
Ір	Обертаний ток відновлення диоди	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	- Ні.	930	- Ні.	а