Модулі тиристора (неізольований тип)

MTG200,MTY200,Тиристорні модулі (неізольований тип),TECHSEM

800В~1800В,213F4

Brand:

ТЕХСЕМ

Spu:

MTG200/MTY200

Appurtenance:

Брошура продукту:Завантажити

Вступ
Контур
Схема еквівалентного кола

Вступ

Короткий огляд

Модулі тиристора (неізольований тип) ,MTG200 ,MTY200 ,вироблений TECHSEM.

VRRM,VDRM

Тип і контур

800V

1000V

1200В

1400V

1600V

1800V

MTx200-08-213F4 MTx200-10-213F4 MTx200-12-213F4 MTx200-14-213F4 MTx200-16-213F4 MTx200-18-213F4

MFx200-08-213F4 MFx200-10-213F4 MFx200-12-213F4 MFx200-14-213F4 MFx200-16-213F4 MFx200-18-213F4

MTx позначає будь-який тип MTG, MTY

MFx позначає будь-який тип MFG, MFY

Особливості ：

Неізольований. Монтаж база як анодний або кстодовий термінал
Технологія контактного тиску з підвищене циклічне навантаження здатність
Низьке напруження в режимі дії d Шнур

Типові застосування ：

Джерело живлення для зварювання
Різні джерела постійного струму
Постачання ПВМ для інверта

Символ	Характеристика	Умови випробування	Tj( ℃ )	значення			одиниця
Символ	Характеристика	Умови випробування	Tj( ℃ )	мін	Тип	макс	одиниця
IT(AV)	Середній ток у стані дії	180° Півсинусоїда 50Гц Один бік охолоджений, TC=90 ℃	125			200	A
IT ((RMS)	RMS струм в стані включення	180° Півсинусоїда 50Гц Один бік охолоджений, TC=90 ℃	125			314	A
Іррррр	Повторювальний піковий струм	на VDRM на VRRM	125			20	mA
ITSM	Поверхний струм на стані	VR=60%VRRM, t=10ms півсинусу	125			5.2	кА
I2t	I2t для координації запобіжників	VR=60%VRRM, t=10ms півсинусу	125			135	10³A ²с
ВТО	Напруга порогу		125			0.80	В
кімнатна температура	Стійкість нахилу в стані		125			1.15	mΩ
VTM	Пиковое напруження в стані дії	ITM=600A	25			1.62	В
dv/dt	Критична швидкість підвищення напруги в стані відключення	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Критична швидкість зростання струму в стані включення	Джерело затвору 1.5A tr ≤0.5μs Повторювальний	125			100	A/μs
IGT	Появу потоку заряду шлюзу	VA=12V, IA=1A	25	30		150	mA
Vgt	Напруження запуска шлюзу			0.8		2.5	В
IH	Застосовуючий струм			10		180	mA
ІЛ	Замкнення струму					1000	mA
VGD	Напруження шлюзу без запуска	VDM=67%VDRM	125			0.2	В
Rth(j-c)	Тепловий опір з'єднання до корпусу	При 180 。sine, Один бік охолоджений на чип				0.13	℃ /W
Rth(c-h)	Теплова опір корпусу до радіатора	При 180 ° sine, Один бік охолоджений на чип				0.10	℃ /W
ЗМ	Крутний момент з'єднання терміналів (M6)			4.5		6.0	Н·м
ЗМ	Крутний момент монтажу (M6)			4.5		6.0	Н·м
TVj	Температура перетину			-40		125	℃
ТСТГ	Температура зберігання			-40		125	℃
Вт	Вага				280		G
Контур	213F4