Модуль IGBT 4500V

Параметр

Символ

Умови

значення

одиниця

Колекціонер ‐Випромінювач Напруга

В CES

В ГЕ =0V, т vj =25 ° C

4500

В

DC Колекціонер Текуче

Я C

т C =100 ° C, т vj =125 ° C

3000

A

Пік Колекціонер Текуче

Я CM

т P =1 мс

6000

A

Затвор ‐Випромінювач Напруга

В ГЕС

± 20

В

Загальна кількість Потужність Витрати

P tot

т C =25 ° C, т vj =125 ° C

31200

W

DC Наперед Текуче

Я Ф

3000

A

Пік Наперед Текуче

Я ФРМ

т P =1 мс

6000

A

Імпульс Текуче

Я ФСМ

В R =0V, т vj =125 ° C,

т P =10 мс ,половина ‐синусоїда

21000

A

IGBT Короткий СХЕМА SOA

т пс

В CC = 3400В, В CEM Чіп ≤4500V В ГЕ ≤15V, т vj ≤125 ° C

10

μs

Максимальний З'єднання Температура

т vj (макс )

125

℃

З'єднання Робочий Температура

т vj (оп )

‐40~125

℃

Справа Температура

т C

‐40~125

℃

Сховище Температура

т СТГ

‐40~70

℃

Монтаж сила

Ф м

90~130

кН

Параметр

Символ

Умови

значення

одиниця

мін .

Тип.

макс .

Напруження вперед

В Ф

Я Ф =3000A

т vj =25 ℃

2.60

В

т vj =125 ℃

2.85

В

Реверсивний Отримання потоку

Я рр

IF=3000A, VR=2800V,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH,

Індуктивна навантаження

т vj =25 ℃

1690

A

т vj =125 ℃

2750

A

Реверсивний Заряд відновлення

Q рр

т vj =25 ℃

3000

uC

т vj =125 ℃

3950

uC

Реверсивний Час відновлення

т рр

т vj =25 ℃

1.80

США

т vj =125 ℃

2.20

США

Реверсивний Відновлення енергія Потерпіла

E Рекомендації

т vj =25 ℃

4000

mJ

т vj =125 ℃

6300

mJ