H50ZYG, Діод м'якого відновлення

Я _T(AV)

700A

В _РРМ

4000V 4200V

4500В

Символ

Характеристика

Умови випробування

Tj( ℃ )

значення

одиниця

мін

Тип

макс

IF(AV)

Середній прямий струм

180° половина синусоїдальної хвилі 50Гц Подвійне охолодження

TC=70 ℃

125

700

A

VRRM

Повернення пікового напруження

tp=10ms

125

4000

4500

В

IRRM

Повторювальний піковий струм

при VRRM

125

100

mA

МФСМ

Імпульсний прямий струм

10 мс півсинусової хвилі VR=0

125

16

кА

I2t

I2t для координації запобіжників

1280

10³A ²с

VFO

Напруга порогу

125

1.70

В

rF

Сопротивлення прямого нахилу

0.98

мΩ

VFM

Піковий прямий напруга

IFM=2000A, F=24kN

25

3.80

В

IRM

Зворотний відновлювальний струм

ITM=1000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

125

610

A

trr

Час зворотного відновлення

7.0

μs

Qrr

Заряд відновлення

1500

МК

Rth(j-c)

Тепловий опір з'єднання до корпусу

При 180 ° синусовий, двосторонній охолоджений сила затягування 24 кН

0.020

℃ /W

Rth(c-h)

Теплова опір корпусу до радіатора

0.005

ЗМ

Сила монтажу

19

26

кН

TVj

Температура перетину

-40

125

℃

ТСТГ

Температура зберігання

-40

140

℃

Вт

Вага

440

G

Контур

ZT50cT