H125KPU, Тиристор фазового керування

Символ

Характеристика

Умови випробування

Tj(℃ )

значення

одиниця

мін

Тип

макс

IT(AV)

Середній ток у стані дії

180。Півсинусоїда 50Гц Охолодження з обох сторін

TC=55 。C

90

2800

A

IDRM IRRM

Повторний пік Текуче

при ВДРМ tp= 10мс при VRRM tp= 10мс

90

700

mA

ITSM

Поверхний струм на стані

10мс півсинусової хвилі VR=0.6VRRM

90

40

кА

Я 2т

Я 2t для координації плавлення

8000

103A 2с

ВТО

Напруга порогу

90

0.92

В

кімнатна температура

Стійкість нахилу в стані

0.32

mΩ

VTM

Пиковое напруження в стані дії

ITM=3000A, F= 120 кН

25

1.95

В

dv/dt

Критична швидкість підйому O f поза станом Напруга

VDM=0,67VDRM

90

2000

V/μs

di/dt

Критичний рівень підвищення E у стані увімкнення Текуче

VDM=67%VDRM,

імпульс шлюбу tr ≤ 0,5μs IGM= 1.5A

90

100

A/μs

Qrr

Заряд відновлення

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/мкс, VR=50В

90

6500

МК

IGT

Появу потоку заряду шлюзу

VA= 12 В, IA= 1А

25

40

300

mA

Vgt

Напруження запуска шлюзу

0.8

3.0

В

Я H

Застосовуючий струм

25

200

mA

VGD

Напруження шлюзу без запуска

VDM=67%VDRM

90

0.3

В

Rth(j-c)

Термічний опір З'єднання з корпусом

Охолодження з обох сторін

Сила затягування 120 кН

0.004

。C /W

Rth(c-h)

Термічний опір корпус до Радіатор

0.001