H100KPU, Тиристор фазового керування

Символ

Характеристика

Умови випробування

Tj(℃ )

значення

одиниця

мін

Тип

макс

IT(AV)

Середній ток у стані дії

180。половина синусоїдальної хвилі 50Гц Подвійне охолодження

TC=70 。C

115

2000

A

Іррррр

Повторювальний піковий струм

при VDRM tp= 10ms при VRRM tp= 10ms

115

600

mA

ITSM

Поверхний струм на стані

10мс півсинусоїдальна хвиля VR=0.6VRRM

115

35

кА

I2t

I2t для координації запобіжників

6125

103A2s

ВТО

Напруга порогу

115

1.32

В

кімнатна температура

Стійкість нахилу в стані

0.52

mΩ

VTM

Пиковое напруження в стані дії

ITM= 1500A, F=90kN

25

2.00

В

dv/dt

Критична швидкість підвищення напруги в стані відключення

VDM=0,67VDRM

115

2000

V/μs

di/dt

Критична швидкість зростання струму в стані включення

VDM=67%VDRM,

імпульс шлюбу tr ≤ 0,5μs IGM= 1,5A

115

200

A/μs

Qrr

Заряд відновлення

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

5000

МК

IGT

Появу потоку заряду шлюзу

VA= 12В, IA= 1А

25

40

300

mA

Vgt

Напруження запуска шлюзу

0.8

3.0

В

IH

Застосовуючий струм

25

200

mA

VGD

Напруження шлюзу без запуска

VDM=67%VDRM

115

0.3

В

Rth(j-c)

Тепловий опір з'єднання до корпусу

Двостороння охолодження сила затягування 90kN

0.0057

。C /W

Rth(c-h)

Теплова опір корпусу до радіатора

0.0015

ЗМ

Сила монтажу

81

90

108

кН

TVj

Температура перетину

-40

115

℃

ТСТГ

Температура зберігання

-40

140

℃

Вт

Вага

2500

G

Контур

KT100dT