GD950HTX75P6HB

Вступ

Короткий огляд

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER . 950В 750А.

Особливості

Технологія IGBT з низьким VCE (sat)
Малі втрати від переходу
Можливість короткого заклику 6μs
VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
Максимальна температура сп'ювання 175 ℃
Низька індуктивність корпусу
Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
Ізольована мідна підложка з пінфінами за допомогою Si ₃Н ₄Технологія AMB

Типові застосування

Автомобільний застосунок
Гібридний та електричний транспортний засіб
Інвертори для моторного приводу

Абсолютно Максимальний Рейтинги т Ф =25 O C якщо тільки інакше зазначено

IGBT

Символ	опис	Значення	одиниця
В CES	Напруження колектора-еміттера	750	В
В ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	±20	В
Я КН	Застосоване колектор Cu rrent	950	A
Я C	Струм колектора @ T Ф =90 O C	450	A
Я CM	Імпульсний колекторний струм t P =1 мс	1900	A
P Д	Максимальна розсіювання потужності ація @ т Ф =75 O C т j =175 O C	877	W

Диод

Символ	опис	Значення	одиниця
В РРМ	Повторювальна пікова зворотна напруга Вік	750	В
Я ФН	Застосоване колектор Cu rrent	950	A
Я Ф	Діод Безперервний прямий Cu rrent	450	A
Я ЗМ	Максимальний прямий струм діода t P =1 мс	1900	A

Модуль

Символ	опис	значення	одиниця
т jmax	Максимальна температура перетину	175	O C
т джоп	Тепловина робочого перетину постійна Протягом 10 секунд у межах періоду 30с, виникає максимум 3000 разів протягом терміну служби	-40 до +150 +150 до +175	O C
т СТГ	Діапазон температур зберігання	-40 до +125	O C
В iso	Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1 мін	2500	В

IGBT Характеристики т Ф =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C = 450A,V ГЕ =15В, т j =25 O C		1.25	1.50	В
		Я C = 450A,V ГЕ =15В, т j =150 O C		1.35
		Я C = 450A,V ГЕ =15В, т j =175 O C		1.40
		Я C =950А,V ГЕ =15В, т j =25 O C		1.60
		Я C =950А,V ГЕ =15В, т j =175 O C		2.05
В ГЕ (TH )	Порог шлюзового випромінювача Напруга	Я C =9.60 mA ,В СЕ = В ГЕ , т j =25 O C	5.0	5.7	7.0	В
		Я C =9.60 mA ,В СЕ = В ГЕ , т j =175 O C		3.5		В
Я CES	Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче	В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т j =25 O C			1.0	mA
Я ГЕС	Витік шлюзового емітера Текуче	В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т j =25 O C			400	НА
R Гінт	Внутрішній опір воріт			0.7		О
C ies	Вхідна емкості	В СЕ =50В, f=100kHz, В ГЕ =0V		42.1		НФ
C oes	Вихідна ємність			1.80		НФ
C res	Обратний перевод Кваліфікація			1.18		НФ
Q G	Зарахування за ворота	В СЕ =400V, I C =450A, V ГЕ =-8...+15В		3.01		МК
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC =400V, I C =450A, R G =2.4Ω, Л с = 24 nH В ГЕ =-8V/+15V, т j =25 O C		126		n
т R	Час підйому			62		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			639		n
т Ф	Час осені			149		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			17.3		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			25.4		mJ
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC =400V, I C =450A, R G =2.4Ω, Л с = 24 nH В ГЕ =-8V/+15V, т j =150 O C		136		n
т R	Час підйому			68		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			715		n
т Ф	Час осені			221		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			22.5		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			31.0		mJ
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC =400V, I C =450A, R G =2.4Ω, Л с = 24 nH В ГЕ =-8V/+15V, т j =175 O C		138		n
т R	Час підйому			68		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			739		n
т Ф	Час осені			227		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			24.8		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			32.6		mJ
Я SC	Дані SC	т P ≤6μs,V ГЕ =15В,		5100		A
		т j =25 O C,V CC =400В, В CEM ≤750В
		т P ≤3μс,V ГЕ =15В, т j =175 O C,V CC =400В, В CEM ≤750В		3800

Диод Характеристики т Ф =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф = 450A,V ГЕ =0V,T j =25 O C		1.40	1.65	В
		Я Ф = 450A,V ГЕ =0V,T j =1 50O C		1.35
		Я Ф = 450A,V ГЕ =0V,T j =1 75O C		1.30
		Я Ф =950А,V ГЕ =0V,T j =25 O C		1.75
		Я Ф =950А,V ГЕ =0V,T j =1 75O C		1.75
Q R	Відшкодований заряд	В R =400V, I Ф =450A, -di/dt=7070A/μs,В ГЕ =-8В Л с = 24 nH ,т j =25 O C		16.0		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			254		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			5.03		mJ
Q R	Відшкодований заряд	В R =400V, I Ф =450A, -di/dt=6150A/μs,В ГЕ =-8В Л с = 24 nH ,т j =150 O C		36.0		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			320		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			9.49		mJ
Q R	Відшкодований заряд	В R =400V, I Ф =450A, -di/dt=6010A/μs,В ГЕ =-8В Л с = 24 nH ,т j =175 O C		40.5		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			338		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			10.5		mJ

НТК Характеристики т Ф =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
R 25	Намінальна опірність			5.0		kΩ
∆R/R	Відхилення of R 100	т C =100 O C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Потужність Витрати				20.0	мВт
B 25/50	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/50 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3375		К
B 25/80	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/80 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3411		К
B 25/100	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/100 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристики т Ф =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
Л СЕ	Індуктивність відхилення		8		nH
R CC+EE	Модуль олівцевого опору, термінал до чіпа		0.75		mΩ
△ P	△ V/ △ t=10,0 дм 3/мін ,т Ф =75 O C		64		мбар
P	Максимальний тиск в холодильному крузі ковт т підставка <40 O C т підставка >40 O C (відносний тиск)			2.5 2.0	бар
R ТДФ	З'єднання -до -Охолодження Плодовита (наIGBT )З'єднання до охолоджуючої рідини (по D йод) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мін ,т Ф =75 O C		0.098 0.140	0.114 0.160	К/В
м	Термінальний момент підключення, Шруб M5 Монометричний момент; Шруб M4	3.6 1.8		4.4 2.2	Н.М
G	Вага of Модуль		750		G