GD75PFX170C6SG, IGBT Модуль, STARPOWER

Вступ

Короткий огляд

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER . 1700В 75А.

Особливості

Технологія IGBT з низьким VCE (sat)
Можливість короткого заклику 10 мкм
VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
Максимальна температура сп'ювання 175 ℃
Низька індуктивність корпусу
Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC

Типові застосування

Інвертори для моторного приводу
Сервоприводний підсилювач змінного та постійного струму
Джерело живлення без перерв

Абсолютно Максимальний Рейтинги т Ф =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Інвертор IGBT

Символ	опис	Значення	одиниця
В CES	Напруження колектора-еміттера	1700	В
В ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	±20	В
Я C	Струм колектора @ T C =25 O C @ T C =100 O C	139 75	A
Я CM	Імпульсний колекторний струм t P =1 мс	150	A
P Д	Максимальна потужність розсіювання @ T vj =175 O C	559	W

Інвертор диодів

Символ	опис	Значення	одиниця
В РРМ	Повторювальна пікова зворотна напруга Вік	1700	В
Я Ф	Діод Безперервний прямий Cu rrent	75	A
Я ЗМ	Максимальний прямий струм діода t P =1 мс	150	A

Діод-прямувач

Символ	опис	значення	одиниця
В РРМ	Повторювальна пікова зворотна напруга Вік	2000	В
Я O	Середній вихідний струм 5 0Гц/60Гц, синусоїда	75	A
Я ФСМ	Імпульсний прямий струм t P =10мс @ T vj = 25O C @ T vj =150 O C	1440 1206	A
Я 2т	Я 2t-значення,t P =10мс @ T vj =25 O C @ T vj =150 O C	10368 7272	A 2с

Модуль

Символ	опис	значення	одиниця
т vjmax	Максимальна температура сполучень (інвертор) Максимальна температура сполучення (прямувач)	175 150	O C
т vjop	Теплота роботи з'єднання	-40 до +150	O C
т СТГ	Діапазон температур зберігання	-40 до +125	O C
В iso	Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t =1min	4000	В

IGBT -Інвертор Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =75А,В ГЕ =15В, т vj =25 O C		1.85	2.20	В
		Я C =75А,В ГЕ =15В, т vj =125 O C		2.25
		Я C =75А,В ГЕ =15В, т vj =150 O C		2.35
В ГЕ (TH )	Порог шлюзового випромінювача Напруга	Я C =3.0 mA ,В СЕ = В ГЕ , т vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	В
Я CES	Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче	В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т vj =25 O C			5.0	mA
Я ГЕС	Витік шлюзового емітера Текуче	В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т vj =25 O C			400	НА
R Гінт	Внутрішній опір воріт			8.5		О
C ies	Вхідна емкості	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		9.03		НФ
C res	Обратний перевод Кваліфікація	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		0.22		НФ
Q G	Зарахування за ворота	В ГЕ =-15 …+15В		0.71		МК
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =75А, R G =6.8Ω,В ГЕ =±15В, Л с =46 nH ,т vj =25 O C		236		n
т R	Час підйому			42		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			356		n
т Ф	Час осені			363		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			17.3		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			11.7		mJ
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =75А, R G =6.8Ω,В ГЕ =±15В, Л с =46 nH ,т vj =125 O C		252		n
т R	Час підйому			48		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			420		n
т Ф	Час осені			485		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			27.1		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			16.6		mJ
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =75А, R G =6.8Ω,В ГЕ =±15В, Л с =46 nH ,т vj =150 O C		275		n
т R	Час підйому			50		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			432		n
т Ф	Час осені			524		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			27.9		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			17.7		mJ
Я SC	Дані SC	т P ≤10μs, В ГЕ =15В, т vj =150 O C ,В CC =1000V , В CEM ≤ 1700В		300		A

Диод -Інвертор Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =75А,В ГЕ =0V,T vj =2 5O C		1.80	2.25	В
		Я Ф =75А,В ГЕ =0V,T vj =12 5O C		1.90
		Я Ф =75А,В ГЕ =0V,T vj =15 0O C		1.95
Q R	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =75А, -di/dt=1290A/μs,V ГЕ =-15В Л с =46 nH ,т vj =25 O C		10.3		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			84		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			7.44		mJ
Q R	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =75А, -di/dt=1100A/μs,V ГЕ =- 15В Л с =46 nH ,т vj =125 O C		20.5		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			87		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			16.1		mJ
Q R	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =75А, -di/dt=1060A/μs,V ГЕ =-15В Л с =46 nH ,т vj =150 O C		22.5		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			97		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			19.2		mJ

Диод -випрямляч Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
В Ф	Диод наперед Напруга	Я C =75А, т vj =150 O C		0.95		В
Я R	Зворотний струм	т vj =150 O C ,В R =2000V			3.0	mA

НТК Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
R 25	Намінальна опірність			5.0		kΩ
∆R/R	Відхилення of R 100	т C =100 O C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Потужність Витрати				20.0	мВт
B 25/50	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/50 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3375		К
B 25/80	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/80 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3411		К
B 25/100	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/100 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
R thJC	З'єднання -до -ПРИКЛАД (наIGBT -Інвертор ) З'єднання-до-Корпусу (на ДІОД-інвертор ер) З'єднання сполучення з корпусом (на діод-прямувач) ер)			0.268 0.481 0.289	К/В
R thCH	ПРИКЛАД -до -Радіатор (наIGBT -Інвертор )Корпус до радиатора (на діод-інвертор) р) Корпус-до-радіатора (на діод- прямівник) Категорія до теплового раковини (на Модуль)		0.106 0.190 0.114 0.009		К/В
м	Монометричний момент; Шруб:M5	3.0		6.0	Н.М
G	Вага of Модуль		300		G