GD200HFU120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Вступ

Короткий огляд

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER. 1200В 200А.

Особливості

Технологія NPT IGBT
можливість короткого заклику 10 мкм
Малі втрати від переходу
VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
Низька індуктивність корпусу
Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC

Типові застосування

Виключення режиму живлення
Індуктивне опалення
Електронний зварчик

Абсолютно Максимальний Рейтинги Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

IGBT

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В CES	Напруження колектора-еміттера	1200	В
В ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	±20	В
Я C	Струм колектора @ T C =25 o C @ T C =65 o C	262 200	A
Я CM	Імпульсний колекторний струм t p =1 мс	400	A
P Д	Максимальна потужність розсіювання @ T =150 o C	1315	W

Диод

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В РРМ	Повернення пікового напруження	1200	В
Я Ф	Диодний безперервний прохідний крив оренда	200	A
Я ЗМ	Максимальний прямий струм діода t p =1 мс	400	A

Модуль

Символ	Опис	Значення	Одиниця
Т jmax	Максимальна температура перетину	150	o C
Т джоп	Теплота роботи з'єднання	-40 до +125	o C
Т СТГ	Температура зберігання Діапазон	-40 до +125	o C
В Iso	Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1 мін	2500	В

IGBT Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =200A,V ГЕ =15В, Т j =25 o C		3.00	3.45	В
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =200A,V ГЕ =15В, Т j =125 o C		3.80		В
В ГЕ (tH )	Порог шлюзового випромінювача Напруга	Я C =2.0 mA ,В СЕ = В ГЕ , Т j =25 o C	4.5	5.4	6.5	В
Я CES	Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче	В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, Т j =25 o C			5.0	mA
Я ГЕС	Витік шлюзового емітера Текуче	В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, Т j =25 o C			400	нА
R Гінт	Внутрішня ворота опору ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа			1.3		о
C ies	Вхідна емкості	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		13.0		нФ
C res	Обратний перевод Кваліфікація	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		0.85		нФ
Q G	Зарахування за ворота	В ГЕ =- 15...+15В		2.10		мК
т д (увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 600 В,I C =200A, R G = 4,7Ω,V ГЕ =±15В, Т j =25 o C		87		n
т r	Час підйому			40		n
т д (зВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			451		n
т ф	Час осені			63		n
E увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			6.8		mJ
E зВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			11.9		mJ
т д (увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 600 В,I C =200A, R G = 4,7Ω,V ГЕ =±15В, Т j = 125o C		88		n
т r	Час підйому			44		n
т д (зВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			483		n
т ф	Час осені			78		n
E увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			11.4		mJ
E зВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			13.5		mJ
Я SC	Дані SC	т P ≤ 10 мкм,В ГЕ =15В, Т j =125 o C,V CC = 900 В, В CEM ≤ 1200В		1300		A

Диод Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =200A,V ГЕ =0V,T j =25 o C		1.95	2.40	В
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =200A,V ГЕ =0V,T j =125 o C		2.00		В
Q r	Відшкодований заряд	В R = 600 В,I Ф =200A, -di/dt=4600A/μs,V ГЕ =- 15В Т j =25 o C		13.3		мК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			236		A
E рекомендації	Обертаний відновлення Енергія			6.6		mJ
Q r	Відшкодований заряд	В R = 600 В,I Ф =200A, -di/dt=4600A/μs,V ГЕ =- 15В Т j =125 o C		23.0		мК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			269		A
E рекомендації	Обертаний відновлення Енергія			10.5		mJ

Модуль Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
Л СЕ	Індуктивність відхилення			30	nH
R CC+EE	Модуль олівцевого опору, Термінал до чіпа		0.35		mΩ
R thJC	Зв'язок до справи (на IGB) T) З'єднання до корпусу (на D) йод)			0.095 0.202	К/В
R thCH	Категорія до теплового раковини (на IGBT) Категорія до теплового раковини (p) ер Діод) Категорія до теплового раковини (на Модуль)		0.029 0.063 0.010		К/В
М	Термінальний момент підключення, Шруб M5 Монометричний момент; Шуруп M6	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
G	Вага of Модуль		300		g