GD200FFY120C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT 1200V

GD200FFY120C6S,Модуль IGBT,STARPOWER

1200В 200А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200FFY120C6S

Вступ
Контур
Схема еквівалентного кола

Вступ

Короткий огляд

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER. 1200В 200А.

Особливості

Технологія IGBT з низьким VCE (sat)
VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
Малі втрати від переходу
Максимальна температура сп'ювання 175 ℃
Низька індуктивність корпусу
Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC

Типові застосування

Джерело живлення без перерв
Індуктивне опалення
Заварка

Абсолютно Максимальний Рейтинги т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

IGBT

Символ	Опис	Значення	одиниця
В CES	Напруження колектора-еміттера	1200	В
В ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	±20	В
Я C	Струм колектора @ T C =25 O C @ T C = 100O C	309 200	A
Я CM	Імпульсний колекторний струм t P =1 мс	400	A
P Д	Максимальна потужність розсіювання @ T =175 O C	1006	W

Диод

Символ	Опис	Значення	одиниця
В РРМ	Повернення пікового напруження	1200	В
Я Ф	Диодний безперервний прохідний крив оренда	200	A
Я ЗМ	Максимальний прямий струм діода t P =1 мс	400	A

Модуль

Символ	Опис	Значення	одиниця
т jmax	Максимальна температура перетину	175	O C
т джоп	Теплота роботи з'єднання	-40 до +150	O C
т СТГ	Температура зберігання Діапазон	-40 до +125	O C
В iso	Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1 мін	2500	В

IGBT Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =200A,V ГЕ =15В, т j =25 O C		1.70	2.15	В
		Я C =200A,V ГЕ =15В, т j =125 O C		1.95
		Я C =200A,V ГЕ =15В, т j =150 O C		2.00
В ГЕ (TH )	Порог шлюзового випромінювача Напруга	Я C =5.0 mA ,В СЕ = В ГЕ , т j =25 O C	5.2	6.0	6.8	В
Я CES	Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче	В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т j =25 O C			1.0	mA
Я ГЕС	Витік шлюзового емітера Текуче	В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т j =25 O C			400	НА
R Гінт	Внутрішня ворота опору Ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа			4.0		О
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 600 В,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ГЕ =±15В, т j =25 O C		150		n
т R	Час підйому			32		n
т Д (ЗВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			330		n
т Ф	Час осені			93		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			11.2		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			11.3		mJ
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 600 В,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ГЕ =±15В, т j = 125O C		161		n
т R	Час підйому			37		n
т Д (ЗВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			412		n
т Ф	Час осені			165		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			19.8		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			17.0		mJ
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 600 В,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ГЕ =±15В, т j = 150O C		161		n
т R	Час підйому			43		n
т Д (ЗВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			433		n
т Ф	Час осені			185		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			21.9		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			19.1		mJ
Я SC	Дані SC	т P ≤ 10 мкм,В ГЕ =15В, т j =150 O C,V CC = 900 В, В CEM ≤ 1200В		800		A

Диод Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниці
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =200A,V ГЕ =0V,T j =25 O C		1.65	2.10	В
		Я Ф =200A,V ГЕ =0V,T j = 125O C		1.65
		Я Ф =200A,V ГЕ =0V,T j = 150O C		1.65
Q R	Відшкодований заряд	В R = 600 В,I Ф =200A, -di/dt=5400A/μs,V ГЕ =- 15В т j =25 O C		17.6		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			228		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			7.7		mJ
Q R	Відшкодований заряд	В R = 600 В,I Ф =200A, -di/dt=5400A/μs,V ГЕ =- 15В т j =125 O C		31.8		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			238		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			13.8		mJ
Q R	Відшкодований заряд	В R = 600 В,I Ф =200A, -di/dt=5400A/μs,V ГЕ =- 15В т j =150 O C		36.6		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			247		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			15.2		mJ

НТК Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
R 25	Намінальна опірність			5.0		kΩ
ΔR/R	Відхилення of R 100	т C = 100 O C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Потужність Витрати				20.0	мВт
B 25/50	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/50 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3375		К
B 25/80	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/80 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3411		К
B 25/100	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/100 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
L СЕ	Індуктивність відхилення		21		nH
R CC+EE	Опір виводу модуля е, Термінал до Чипа		1.80		mΩ
R thJC	Зв'язок до справи (на IGB) T) З'єднання до корпусу (на D) йод)			0.149 0.206	К/В
R thCH	Категорія до теплового раковини (на IGBT) Категорія до теплового раковини (p) ер Діод) Корпус до радіатора (за М одулем)		0.031 0.043 0.009		К/В
м	Монограф: М6	3.0		6.0	Н.М
G	Вага of Модуль		300		G