GD150HFU120C8SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Вступ

Короткий огляд

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER . 1200В 150А.

Особливості

Технологія IGBT з низьким VCE (sat)
Можливість короткого заклику 10 мкм
VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
Максимальна температура сп'ювання 175 ℃
Низька індуктивність корпусу
Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC

Типові застосування

Інвертори для моторного приводу
Сервоприводний підсилювач змінного та постійного струму
Джерело живлення без перерв

Абсолютно Максимальний Рейтинги т Ф =25 O C якщо тільки інакше зазначено

IGBT

Символ	опис	значення	одиниця
В CES	Напруження колектора-еміттера	1200	В
В ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	±20	В
Я C	Струм колектора @ T C =25 O C @ T C =85 O C	238 150	A
Я CM	Імпульсний колекторний струм t P =1 мс	300	A
P Д	Максимальна потужність розсіювання @ T vj =150 O C	1237	W

Диод

Символ	опис	значення	одиниця
В РРМ	Повторювальна пікова зворотна напруга Вік	1200	В
Я Ф	Діод Безперервний прямий Cu rrent	150	A
Я ЗМ	Максимальний прямий струм діода t P =1 мс	300	A

Модуль

Символ	опис	значення	одиниця
т vjmax	Максимальна температура перетину	150	O C
т vjop	Теплота роботи з'єднання	-40 до +125	O C
т СТГ	Діапазон температур зберігання	-40 до +125	O C
В iso	Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t =1min	2500	В

IGBT Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =150A,V ГЕ =15В, т vj =25 O C		2.90	3.35	В
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =150A,V ГЕ =15В, т vj =125 O C		3.60		В
В ГЕ (TH )	Порог шлюзового випромінювача Напруга	Я C =3.0 mA ,В СЕ = В ГЕ , т vj =25 O C	5.0	6.1	7.0	В
Я CES	Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче	В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т vj =25 O C			5.0	mA
Я ГЕС	Витік шлюзового емітера Текуче	В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т vj =25 O C			400	НА
R Гінт	Внутрішня ворота опору Ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа			1.50		О
C ies	Вхідна емкості	В СЕ =30V, f=1MHz, В ГЕ =0V		19.2		НФ
C res	Обратний перевод Кваліфікація	В СЕ =30V, f=1MHz, В ГЕ =0V		0.60		НФ
Q G	Зарахування за ворота	В ГЕ =-15…+15V		1.83		МК
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 600 В,I C =150A, R G =6.8Ω,Ls=35нГ, В ГЕ =±15В,T vj =25 O C		183		n
т R	Час підйому			73.8		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			438		n
т Ф	Час осені			33.0		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			12.8		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			5.31		mJ
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 600 В,I C =150A, R G =6.8Ω,Ls=35нГ, В ГЕ =±15В,T vj =125 O C		185		n
т R	Час підйому			74		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			476		n
т Ф	Час осені			44.5		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			15.5		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			7.74		mJ
Я SC	Дані SC	т P ≤10μs, В ГЕ =15В, т vj =125 O C,V CC =800V, В CEM ≤ 1200В		975		A

Диод Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =150A,V ГЕ =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	В
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =150A,V ГЕ =0V,T vj =125 O C		1.90		В
Q R	Відшкодований заряд	В R = 600 В,I Ф =150A, -di/dt=2232A/μs,Ls=35нГ, В ГЕ =-15В, т vj =25 O C		11.9		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			113		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			4.02		mJ
Q R	Відшкодований заряд	В R = 600 В,I Ф =150A, -di/dt=2118A/μs,Ls=35нГ, В ГЕ =-15В, т vj =125 O C		22.5		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			139		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			8.58		mJ

Модуль Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
R thJC	З'єднання -до -ПРИКЛАД (наIGBT ) З'єднання до корпусу (на Di) од)			0.101 0.257	К/В
R thCH	Категорія до теплового раковини (на IGBT) Корпус до радіатора (pe р Діода) Корпус до радіатора (за М одулем)		0.028 0.071 0.010		К/В
м	Термінальний момент підключення, Шруб M5 Монометричний момент; Шуруп M6	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
G	Вага of Модуль		300		G