1200 В

Символ

Опис

GD1200SGL120C3S

одиниці

vCES

Напруження колектора-еміттера

1200

v

vГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

v

іc

Колекторний струм

@ Tc=25°C

@ Tc=- Ні.100°C

1900

а

1200

ісм(1)

Потужний струмінь колектора tp=- Ні.1 мс

2400

а

іf

Диодний постійний поток

1200

а

іfm

Максимальна пряма напруга діодаоренда

2400

а

pd

Максимальна потужність Розсіювання @ Tj=- Ні.175°C

8823

w

tsc

короткопрохід Протистоять часу @ Tj=125°C

10

μs

tj

Теплота роботи з'єднання

-40 до +150

°C

tСТГ

діапазон температури зберігання

-40 до +125

°C

і2t-значення, діод

vr=0V, t=10ms, Tj=125°C

300

ка2s

vISO

Напруга ізоляції RMS, f=50Hz, t=1хв

2500

v

монтаж

крутний момент

Клема живлення гвинт:M4

Викрутка на терміналі потужності:M8

1.7 до- Ні.2.3

8,0 до- Ні.10

n.m.

монтаж- Ні.Гвинт:M6

4,25 до- Ні.5.75

n.m.

Символ

параметр

Умови випробування

мінімум.

Тип.

Макс.

одиниці

bv- Ні.CES

Колектор-Емітер

напруга розриву

tj=25°C

1200

- Ні.

- Ні.

v

іCES

Колекціонер- Ні.розрізання- Я не знаю.ЗВІЛЕНО- Ні.поточний

vc=vCES,vГЕ=0V,- Ні.tj=25°C

- Ні.

- Ні.

5.0

Мати

іГЕС

Витік шлюзового емітера

поточний

vГЕ=vГЕС,vc=0V,- Ні.tj=25°C

- Ні.

- Ні.

800

не

Символ

параметр

Умови випробування

мінімум.

Тип.

Макс.

одиниці

vГЕ(з)

Порог шлюзового випромінювача

напруга

іc=48.0Мати,vc=vГЕ,tj=25°C

5.0

6.5

7.0

v

- Ні.

- Ні.

vCE (Сі)

- Ні.

Збирач до випускача

Насичення напруги

іc=- Ні.1200A,VГЕ=15В,- Ні.tj=25°C

- Ні.

1.9

- Ні.

- Ні.

- Ні.

v

іc=- Ні.1200A,VГЕ=15В,- Ні.tj=- Ні.125°C

- Ні.

2.1

- Ні.

Символ

параметр

Умови випробування

мінімум.

Тип.

Макс.

одиниці

rГінт

Внутрішній резистор шлюзу

tj=25°C

- Ні.

1.2

- Ні.

О

qГЕ

Зарахування за ворота

іc=- Ні.1200A,Vc=600V,- Ні.vГЕ=-- Ні.15...+15В

- Ні.

12.5

- Ні.

МК

td(на)

Час затримки включення

vCC= 600 В,Ic=1200A,

rg= 0,82Ω,VГЕ- Ні.=- Ні.±15 В,- Ні.tj=25°C

- Ні.

790

- Ні.

n

tr

Час підйому

- Ні.

170

- Ні.

n

td(ЗВІЛЕНО)

Вимкнення- Ні.час затримки

- Ні.

1350

- Ні.

n

tf

Час осені

- Ні.

180

- Ні.

n

td(на)

Час затримки включення

- Ні.

- Ні.

vCC= 600 В,Ic=1200A,

rg= 0,82Ω,VГЕ- Ні.=±15- Ні.v,- Ні.

tj=- Ні.125°C

- Ні.

850

- Ні.

n

tr

Час підйому

- Ні.

170

- Ні.

n

td(ЗВІЛЕНО)

Вимкнення- Ні.час затримки

- Ні.

1500

- Ні.

n

tf

Час осені

- Ні.

220

- Ні.

n

eна

Вмикнення- Ні.Втрати при перемиканні

- Ні.

155

- Ні.

мж

eЗВІЛЕНО

Вимкнення втрати перемикання

- Ні.

190

- Ні.

мж

cҐ

Вхідна емкості

- Ні.

vc=25V, f=1MHz,

vГЕ=0V

- Ні.

92.0

- Ні.

НФ

coes

Вихідна ємність

- Ні.

8.40

- Ні.

НФ

cres

Обратний перевод

Кваліфікація

- Ні.

6.10

- Ні.

НФ

- Ні.

іsc

- Ні.

Дані SC

tsc≤10 мкм,ВГЕ=15В, - Ні.tj=125°C,

vCC= 900 В,- Ні.vCEM≤1200 В

- Ні.

- Ні.

7000

- Ні.

- Ні.

а

Яc

Індуктивність відхилення

- Ні.

- Ні.

15

- Ні.

nH

rCC’+EE- Ні.'

Опір виводу модуляe,- Ні.термінал до чіпа

tc=25°C,за перемикач

- Ні.

0.10

- Ні.

мО

Символ

параметр

Умови випробування

мінімум.

Тип.

Макс.

одиниці

vf

Диод наперед

напруга

іf=- Ні.1200A

tj=25°C

- Ні.

1.9

- Ні.

v

tj=- Ні.125°C

- Ні.

2.1

- Ні.

qr

Зворотний діод

Заряд відновлення

- Ні.

іf=- Ні.1200A,

vr=600V,

di/dt=-6800A/μs,- Ні.vГЕ=-- Ні.15 В

tj=25°C

- Ні.

110

- Ні.

МК

tj=- Ні.125°C

- Ні.

220

- Ні.

- Ні.

іrm

Пік діода

Обертаний відновлення- Ні.поточний

tj=25°C

- Ні.

760

- Ні.

- Ні.

а

tj=- Ні.125°C

- Ні.

990

- Ні.

eРекомендації

Обертаний відновлення- Ні.енергія

tj=25°C

- Ні.

47

- Ні.

мж

tj=- Ні.125°C

- Ні.

82

- Ні.

Символ

параметр

Тип.

Макс.

одиниці

rθJC

З'єднання з корпусом (частина IGBT, per Модуль)

- Ні.

0.017

К/В

rθJC

З'єднання до корпусу (частина діода, за модулемl)

- Ні.

0.025

К/В

rθcs

Каси-до-суні

(Нанесено проводяче жир, намодуль)

0.006

- Ні.

К/В

вага

вага- Ні.з- Ні.модуль

1500

- Ні.

g