Всі Категорії

Модуль IGBT 1200V

Модуль IGBT 1200V

домашня сторінка /  Продукти /  IGBT модуль /  Модуль IGBT 1200V

GD100HHU120C6SD, Модуль IGBT, STARPOWER

1200В 100А, упаковка: C6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100HHU120C6SD
  • Вступ
  • Контур
  • Схема еквівалентного кола
Вступ

Короткий огляд

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER . 120100А.

Особливості

  • Технологія IGBT з низьким VCE (sat)
  • Можливість короткого заклику 10 мкм
  • VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
  • Максимальна температура сп'ювання 175
  • Низька індуктивність корпусу
  • Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
  • Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC

Типові застосування

  • Виключення режиму живлення
  • Індуктивне опалення
  • Електронний зварчик

Абсолютно Максимальний Рейтинги т Ф =25 O C якщо тільки інакше зазначено

IGBT

Символ

опис

значення

одиниця

В CES

Напруження колектора-еміттера

1200

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

Я C

Струм колектора @ T C =25 O C @ T C =75 O C

146

100

A

Я CM

Імпульсний колекторний струм t P =1 мс

200

A

P Д

Максимальна потужність розсіювання @ T vj =150 O C

771

W

Диод

Символ

опис

значення

одиниця

В РРМ

Повторювальна пікова зворотна напруга Вік

1200

В

Я Ф

Діод Безперервний прямий Cu rrent

100

A

Я ЗМ

Максимальний прямий струм діода t P =1 мс

200

A

Модуль

Символ

опис

значення

одиниця

т vjmax

Максимальна температура перетину

150

O C

т vjop

Теплота роботи з'єднання

-40 до +125

O C

т СТГ

Діапазон температур зберігання

-40 до +125

O C

В iso

Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t= 1 хвилина

2500

В

IGBT Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

одиниця

В CE (Сі)

Збирач до випускача Насичення напруги

Я C =100A,V ГЕ =15В, т vj =25 O C

3.00

3.45

В

Я C =100A,V ГЕ =15В, т vj =125 O C

3.80

В ГЕ (TH )

Порог шлюзового випромінювача Напруга

Я C =4,0 mA ,В СЕ = В ГЕ , т vj =25 O C

4.5

5.5

6.5

В

Я CES

Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче

В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т vj =25 O C

5.0

mA

Я ГЕС

Витік шлюзового емітера Текуче

В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т vj =25 O C

400

НА

R Гінт

Внутрішня ворота опору Ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа

1.0

О

C ies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V

6.50

НФ

C res

Обратний перевод Кваліфікація

0.42

НФ

Q G

Зарахування за ворота

В ГЕ =-15…+15V

1.10

МК

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =100A, R G =9.1Ω,V ГЕ =±15В, LS =48 nH ,т vj =25 O C

38

n

т R

Час підйому

50

n

т d(off)

Вимкнення Час затримки

330

n

т Ф

Час осені

27

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

8.92

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

2.06

mJ

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =100A, R G =9.1Ω,V ГЕ =±15В, LS =48 nH ,т vj =125 O C

37

n

т R

Час підйому

50

n

т d(off)

Вимкнення Час затримки

362

n

т Ф

Час осені

43

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

10.7

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

3.69

mJ

Я SC

Дані SC

т P ≤10μs, В ГЕ =15В,

т vj =125 O C ,В CC = 900 В, В CEM ≤ 1200В

650

A

Диод Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

одиниця

В Ф

Диод наперед Напруга

Я Ф =100A,V ГЕ =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

В

Я Ф =100A,V ГЕ =0V,T vj =125 O C

1.90

Q R

Відшкодований заряд

В R = 600 В,I Ф =100A,

-di/dt=2245A/μs,V ГЕ =-15В LS =48 nH ,т vj =25 O C

11.5

МК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

101

A

E Рекомендації

Обертаний відновлення енергія

4.08

mJ

Q R

Відшкодований заряд

В R = 600 В,I Ф =100A,

-di/dt=2352A/μs,V ГЕ =-15В LS =48 nH ,т vj =125 O C

19.0

МК

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

120

A

E Рекомендації

Обертаний відновлення енергія

7.47

mJ

НТК Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

одиниця

R 25

Намінальна опірність

5.0

∆R/R

Відхилення of R 100

т vj =100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Потужність

Витрати

20.0

мВт

B 25/50

Значення B

R 2=R 25екп [B 25/50 (1/T) 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

Значення B

R 2=R 25екп [B 25/80 (1/T) 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

Значення B

R 2=R 25екп [B 25/100 (1/T) 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Модуль Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Хв.

Тип.

Макс.

одиниця

Л СЕ

Індуктивність відхилення

21

nH

R CC+EE

Модуль олівцевого опору, термінал до чіпа

2.60

R thJC

З'єднання -до -ПРИКЛАД (наIGBT ) З'єднання до корпусу (на Di) од)

0.162 0.401

К/В

R thCH

ПРИКЛАД -до -Мика (наIGBT )

Каси для раковини (на диод)

Корпус до радіатора (за М одулем)

0.051 0.125 0.009

К/В

м

Монометричний момент; Шуруп M6

3.0

6.0

Н.М

G

Вага of Модуль

300

G

Контур

Схема еквівалентного кола

Отримайте безкоштовну пропозицію

Наш представник зв'яжеться з вами найближчим часом.
Email
Ім'я
Назва компанії
повідомлення
0/1000

ПОВ'ЯЗАНИЙ ПРОДУКТ

Є питання щодо будь-яких продуктів?

Наша професійна команда з продажу чекає на вашу консультацію.
Ви можете слідкувати за їхнім списком продуктів і задавати будь-які питання, які вас цікавлять.

Отримати цінову пропозицію

Отримайте безкоштовну пропозицію

Наш представник зв'яжеться з вами найближчим часом.
Email
Ім'я
Назва компанії
повідомлення
0/1000