Діодний модуль, YMDBD1200-45, TFM1200XDM45-D200

符号

Символ

参数名称

Параметр

тестові умови

Умови випробування

数值

Значення

одиниця

Одиниця

В РРМ

重复 піковою електричною напоєм

Поповнювальне напруження

Т C = 25 °C

4500

В

Я Ф

прямого потоку

Попередній струм

DC

1200

A

Я ФРМ

正向重复峰值电流 Прімутний потік

Пікова провідна струма

т P = 1 мс

2400

A

Я ФСМ

浪涌电流

Поверховий струм

В R =0V, т P = 10 мс, Т vj = 25 °C

ЗА РІШЕННЯМ

A

Я 2т

Я 2т значення

Я 2т

В R =0V, т P = 10 мс, Т vj = 25 °C

530

кА 2с

В ізоль

绝缘电压 (模块 )

Ізоляція напруга - на модуль

短接 всі кінцеві, кінцеві і кїблоки між додатковим напругою (Спільні термінали для база пластинка), КО RMS,1 мінімум, 50 Гц, Т C = 25 °C

10200

В

Q ПД

局部放电电荷 局部放电电荷 局部 відвантаження електроенергії (模块 )

Часткова відключення - на модуль

IEC1287. В 1= 6900В, В 2= 5100В, 50Hz

РМС ,Т C = 25 °C

10

пК

符号

Символ

参数名称

Параметр

条件

Умови випробування

最小值 Хв.

典型值 Тип.

максимальна вартість

Макс.

одиниця

Одиниця

Я РРМ

重复 зворотний електричний потік

Повторюється реверсивний

текуче

В RM = В РРМ

1

mA

В RM = В РРМ , Т C =125 °C

50

mA

В Ф

прямовий електричний тиск

Напруження вперед

Я Ф = 1200A

2.70

В

Я Ф = 1200A, Т vj = 125 °C

3.10

В

Q рр

зворотний відновлювальний заряд

Реверсивний відновлення

заряд

В CC = 2800В, Я Ф =1200A, - Д я Ф /dt = 3800A/μs,

R G ((ON) =1,5Ω ,

C ГЕ = 220nF,

Л С =150nH,

(Т vj = 125 °C).

IGBT:

TIM1200ASM45-PSA011

Т vj = 25 °C

1220

мК

Т vj = 125 °C

1750

мК

Я рр

зворотний відновлювальний струм

Реверсивний відновлення

текуче

Т vj = 25 °C

1320

A

Т vj = 125 °C

1420

A

E рекомендації

обертальна втрата відновлення

Реверсивний відновлення

енергія

Т vj = 25 °C

2.60

J

Т vj = 125 °C

3.90

J