MK(H)x75 MK75, модулі швидкого вимкнення тирістрів, охолодження повітрям

Модулі швидкого вимикання тиристорів

MK(H)x75 MK75, Швидкі модулі тиристорів відключennя, Охолодження повітрям

750A,600V~1800V, 216F3B

Brand:

ТЕХСЕМ

Spu:

MK(H) x75 MK75

Appurtenance:

Брошура продукту:Завантажити

Вступ
Контур
Схема еквівалентного кола

Вступ

Короткий огляд

Модулі швидкого вимикання тиристорів ,MK(H) x200 MK200, 200A, Повітряне охолодження ,вироблений TECHSEM.

VRRM,VDRM	Тип і контур
600V	MKx75-06-216F3B	MHx75-06-216F3B
800V	MKx75-08-216F3B	MHx75-08-216F3B
1000V	MKx75-10-216F3B	MHx75-10-216F3B
1200В	MKx75-12-216F3B	MHx75-12-216F3B
1400V	MKx75-14-216F3B	MHx75-14-216F3B
1600V	MKx75-16-216F3B	MHx75-16-216F3B
1800V	MKx75-18-216F3B	MHx75-18-216F3B
1800V	MK75-18-216F3BG

MKx означає будь-який тип MKC, MKA, MKK

Особливості ：

Ізольований монтаж баз 2500В
Технологія контактного тиску з Збільшений Можливість силового циклізму
Простір і вага Виховання

Типові застосування ：

Інвертор
Індуктивне опалення
Різак

Символ	Характеристика	Умови випробування	Tj( 。C)	значення			одиниця
Символ	Характеристика	Умови випробування	Tj( 。C)	мін	Тип	макс	одиниця
IT(AV)	Середній ток у стані дії	180。Половина синусової хвилі 50 Гц Одностороння охолодження, Tc=85 。C	125			75	A
IT ((RMS)	RMS струм в стані включення		125			118	A
Іррррр	Повторювальний піковий струм	на VDRM на VRRM	125			30	mA
Я _TSM	Поверхний струм на стані	10мс половинна синусоїда VR=60%VRRM	125			1.6	кА
Я ²т	I2t для координації запобіжників	10мс половинна синусоїда VR=60%VRRM	125			13	10³A ²с
В _до	Напруга порогу		125			1.50	В
кімнатна температура	Стійкість нахилу в стані		125			4.00	mΩ
В _TM	Пиковое напруження в стані дії	ITM=225A	25			2.53	В
dv/dt	Критична швидкість підвищення напруги в стані відключення	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Критична швидкість зростання струму в стані включення	Джерело затвору 1.5A tr ≤0.5μs Повторювальний	125			200	A/μs
Tq	Час вимкнення комутованої схеми	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
Tq	Час вимкнення комутованої схеми	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
Я _GT	Появу потоку заряду шлюзу	VA= 12В, IA= 1А	25	30		150	mA
В _GT	Напруження запуска шлюзу			0.8		2.5	В
Я _H	Застосовуючий струм			20		200	mA
ІЛ	Замкнення струму					1000	mA
В _GD	Напруження шлюзу без запуска	VDM= 67%VDRM	125			0.2	В
Rth(j-c)	Тепловий опір з'єднання до корпусу	Одностороннє охолодження на чіп				0.20	℃ /W
Rth(c-h)	Теплова опір корпусу до радіатора	Одностороннє охолодження на чіп				0.04	℃ /W
Визо	Ізоляційне напруження	50Гц, R.M.S, t= 1хв, Iiso:1мА(МАКС)		2500			В
ЗМ	Крутний момент з'єднання терміналів (M6)			4.5		6.0	Н·м
ЗМ	Крутний момент монтажу (M6)			4.5		6.0	Н·м
TVj	Температура перетину			-40		125	℃
ТСТГ	Температура зберігання			-40		125	℃
Вт	Вага				320		G
Контур	216F3B