H50ZPU,Випрямляючий діод

Я _T(AV)

900A

В _РРМ

8100V 8300В

8500V

Символ

Характеристика

Умови випробування

Tj( ℃ )

значення

одиниця

мін

Тип

макс

IF(AV)

Середній прямий струм

180° половина синусоїдальної хвилі 50Гц Подвійне охолодження

TC=85 ℃

150

900

A

VRRM

Повернення пікового напруження

tp=10ms

150

8000

8500

В

IRRM

Повторювальний піковий струм

при VRRM tp=10ms

150

200

mA

МФСМ

Імпульсний прямий струм

10ms півсинусоїда. VR=0.6VRRM

150

10

кА

I2t

I2t для координації запобіжників

500

10³A ²с

VFO

Напруга порогу

150

1.00

В

rF

Сопротивлення прямого нахилу

1.00

мΩ

VFM

Піковий прямий напруга

IFM=1500A, F=24kN

25

2.60

В

Qrr

Заряд відновлення

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

4000

МК

Rth(j-c)

Тепловий опір з'єднання до корпусу

При 180 ° синус. двостороннє охолодження Сила затиску 24kN

0.022

℃ /W

Rth(c-h)

Теплова опір корпусу до радіатора

0.005

ЗМ

Сила монтажу

19

26

кН

TVj

Температура перетину

-40

150

℃

ТСТГ

Температура зберігання

-40

160

℃

Вт

Вага

560

G

Контур

ZT50dT