Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 3300V

IGBT Modülü 3300V

Ana sayfa / Ürünler / IGBT modülü / IGBT Modülü 3300V

YMIF1200-33,IGBT Modülü,Tek Anahtar IGBT,CRRC

3300V 1200A

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF1200-33
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa giriş:

CRRC tarafından üretilen yüksek voltajlı, tek anahtar IGBT modülleri. 3300V 1200A.

Özellikler

  • Ultra düşük anahtarlama kayıpları için SPT+çip seti
  • Düşük VCE doygunluğu
  • Düşük sürme gücü
  • Yüksek güç döngüleme yeteneği için AlSiC taban plakası
  • AlN altyapısı düşük ısı direnci için

TipikUygulama

  • Çekiş sürücüleri
  • DC kesici
  • Orta voltajlı inverterler/dönüştürücüler
  • Orta voltajlı UPS sistemi
  • Rüzgar enerjisi sistemi

En yüksek nominal değerler

Parametre

Sembolik

Koşullar

mİÇ

meks

birim

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

VCES

VGE=0V,Tvj≥25°C

3300

V

DC Kollektör Akımı

Ic

TC =80 °C

1200

A

Zirve kollektör akımı

ICM

tp =1ms,Tc=80°C

2400

A

Kapı emiter voltajı

VGE

-20

20

V

Toplam güç dağılımı

Ptot

TC =25°C, her anahtar için (IGBT)

10500

W

DC İleri Akım

IF

1200

A

Zirve ileri akım

IFRM

tp = 1 ms

2400

A

Aşırı akım

IFSM

VR = 0 V, Tvj = 125 °C,

tp = 10 ms, yarım sinüs dalgası

9000

A

IGBT Kısa Devre SOA

tpsc

VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C

10

μs

İzolasyon voltajı

Visol

1 dk, f = 50 Hz

10200

V

Çapraz sıcaklık

Tvj

150

°C

Junction çalışma sıcaklığı

Tvj ((op)

-50

125

°C

Kasa sıcaklığı

TC

-50

125

°C

Depolama Sıcaklığı

TSTG

-50

125

°C

Montaj torkları

M s

Taban soğutucu, M6 vidalar

4

6

Nm

Mt1

Ana terminaller, M8 vidalar ,

8

10

Mt2

Yardımcı terminaller, M6 vidalar

2

3

IGBT karakteristiği

Parametre

Sembolik

Koşullar

min

tip

max

birim

Kollektör (- emiter) kırılma voltajı

V ((BR) CES

VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C

3300

V

Kolektör-emiter doygunluk voltajı

VCE doygunluğu

C = 1200 A, VGE= 15 V

Tvj=25°C

3.1

3.4

V

Tvj=125°C

3.8

4.3

V

Kolektör kesme akımı

ICES

VCE = 3300 V, VGE = 0 V

Tvj=25°C

12

mA

Tvj=125°C

120

mA

Kapı sızıntı akımı

IGES

VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C

-500

500

NA

Kapı-Emitör Sınır Voltajı

VGE (th)

IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C

5.5

7.5

V

Geçit Ücreti

Genel Merkezi

IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V

12.1

μC

Girdi Kapasitesi

- Evet.

VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C

187

NF

Çıkış Kapasitesi

Koçlar

11.57

NF

Ters transfer kapasitansı

Cres

2.22

NF

Açma Gecikme Zamanı

Td ((on)

VCC = 1800 V, IC = 1200A,

RG = 3.9Ω ,VGE =±15V

L σ = 280nH, endüktif yük

Tvj=25°C

750

ns

Tvj=125°C

750

ns

Kalkma zamanı.

- Evet.

Tvj=25°C

400

ns

Tvj=125°C

470

ns

Kapatma gecikme süresi

Td ((off)

Tvj=25°C

1600

ns

Tvj=125°C

1800

ns

Sonbahar zamanı

TF

Tvj=25°C

1100

ns

Tvj=125°C

1200

ns

Açma - kapama anahtarlama kaybı

Eon

Tvj=25°C

1400

mJ

Tvj=125°C

1800

mJ

Kapatma anahtarlama kaybı enerjisi

Eof

Tvj=25°C

1300

mJ

Tvj=125°C

1700

mJ

Kısa devre akımı

Isc

VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, endüktif yük

5000

A

Diyot karakteristiği

Parametre

Sembolik

Koşullar

min

tip

max

birim

İleri Voltaj

VF

IF = 1200 A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

V

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

V

Ters İyileşme Akımı

Irr

VCC= 1800 V, IC= 1200 A,

RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH,endüktif yük

Tvj = 25 °C

900

A

Tvj = 125 °C

1000

A

Geri Alınan Ücret

Qrr

Tvj = 25 °C

700

μC

Tvj = 125 °C

1000

μC

Ters İyileşme Süresi

trr

Tvj = 25 °C

850

ns

Tvj = 125 °C

2200

ns

Geri dönüştürülmüş enerji

Erec

Tvj = 25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300

mJ

Çizelge

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000