IGBT Modülü 3300V

(Sembol)

(Parametre)

(Test Koşulları)

(değer)

(Birim)

VCES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

I C

Kollektör-emiter akımı

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A

I C(PK)

Zirve kollektör akımı

1ms, T case = 140 °C

1000

A

P max

Maks. transistör güç dağılımı

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kw

I 2t

Diyot I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

İzolasyon voltajı – modül başına

Ortak terminaller taban plakasına,

AC RMS,1 dk, 50Hz

6000

V

Q PD

Kısmi deşarj – modül başına

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

PC

tDurum = 25 °C t Durum = 25°C Tabii ki belirtilen aksi takdirde

(Sembolik)

(Parametre)

(Test Koşulları)

(min)

(tip)

(max)

(birim)

Ben CES

Kollektör kesme akımı

V GE = 0V, VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , t Durum =125 °C

30

mA

V GE = 0V, VCE =VCES , t Durum =150 °C

50

mA

Ben GES

Kapı kaçak akım

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V GE (TH)

Kapı eşik voltajı

Ben C = 40mA, V GE =VCE

5.50

6.10

7.00

V

VCE (sat)(*1)

Kollektör-emiter doygunluğu Voltaj

V GE =15V,Ben C= 500A

2.40

2.90

V

V GE =15V,Ben C = 500A,tvj = 125 °C

2.95

3.40

V

V GE =15V,Ben C = 500A,tvj = 150 °C

3.10

3.60

V

Ben F

Diyot ileri akımı

DC

500

A

Ben FRM

Diyot maksimum ileri akım

t P = 1ms

1000

A

VF(*1)

Diyot ileri voltajı

Ben F = 500A

2.10

2.60

V

Ben F = 500A, tvj = 125 °C

2.25

2.70

V

Ben F = 500A, tvj = 150 °C

2.25

2.70

V

Cies

Girdi Kapasitesi

VCE = 25V, V GE = 0V,F = 1MHz

90

NF

QG

Geçit Ücreti

±15V

9

μC

Cres

Ters transfer kapasitecivata

VCE = 25V, V GE = 0V,F = 1MHz

2

NF

L m

Modül İndüktans

25

nH

r INT

Dahili transistör direnci

310

μΩ

Ben SC

Kısa devre akım, BenSC

tvj = 150°C, V CC = 2500V, V GE ≤15V,tP ≤10μs,

VCE(max) = VCES –L (*2) ×di/dt,IEC 6074-9

1800

A

Td ((off)

Kapatma gecikme süresi

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

ns

t f

Sonbahar zamanı

520

ns

E OFF

Kapatma enerji kaybı

780

mJ

Td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

650

ns

- Evet.

Kalkma zamanı.

260

ns

Eon

Açma enerji kaybı

730

mJ

Qrr

Diyot ters geri yükleme yükü

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

390

μC

I rr

Diyot ters geri yükleme akımı

420

A

Erec

Diyot ters geri yükleme enerjisi

480

mJ

(Sembol)

(Parametre)

(Test Koşulları)

(Min)

(Tip)

(Maks)

(Birim)

Td ((off)

Kapatma gecikme süresi

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

ns

t f

Sonbahar zamanı

550

ns

E OFF

Kapatma enerji kaybı

900

mJ

Td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

630

ns

- Evet.

升时间Kalkma zamanı.

280

ns

Eon

Açma enerji kaybı

880

mJ

Qrr

Diyot ters geri yükleme yükü

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

620

μC

I rr

Diyot ters geri yükleme akımı

460

A

Erec

Diyot ters geri yükleme enerjisi

760

mJ

(Sembol)

(Parametre)

(Test Koşulları)

(Min)

(Tip)

(Maks)

(Birim)

Td ((off)

Kapatma gecikme süresi

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

ns

t f

Sonbahar zamanı

560

ns

E OFF

Kapatma enerji kaybı

1020

mJ

Td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

620

ns

- Evet.

Kalkma zamanı.

280

ns

Eon

Açma enerji kaybı

930

mJ

Qrr

Diyot ters geri yükleme yükü

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

720

μC

I rr

Diyot ters geri yükleme akımı

490

A

Erec

Diyot ters geri yükleme enerjisi

900

mJ