YMIBD500-33,IGBT Modülü,Çift Anahtar IGBT,CRRC

(Sembol)

(Parametre)

(Test Koşulları)

(değer)

(Birim)

VCES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

I C

Kollektör-emiter akımı

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A

I C(PK)

Zirve kollektör akımı

1ms, T case = 140 °C

1000

A

P max

Maks. transistör güç dağılımı

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kw

I 2t

Diyot I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

İzolasyon voltajı – modül başına

Ortak terminaller taban plakasına,

AC RMS,1 dk, 50Hz

6000

V

Q PD

Kısmi deşarj – modül başına

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pC

T dURUM = 25 ° C T dURUM = 25° C tabii ki belirtilen aksi takdirde

(Sembolik )

(Parametre)

(Test Koşulları)

(Min )

(Tip )

(Max )

(Birim )

Ben CES

Kollektör kesme akımı

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T dURUM =125 °C

30

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T dURUM =150 °C

50

mA

Ben GES

Kapı kaçak akım

V GE = ±20V, V CE = 0V

1

μA

V GE (TH)

Kapı eşik voltajı

Ben C = 40 mA , V GE = V CE

5.50

6.10

7.00

V

V CE (sat )(*1)

Kollektör-emiter doygunluğu voltaj

V GE =15V, Ben C = 500A

2.40

2.90

V

V GE =15V, Ben C = 500A, T vj = 125 °C

2.95

3.40

V

V GE =15V, Ben C = 500A, T vj = 150 °C

3.10

3.60

V

Ben F

Diyot ileri akımı

DC

500

A

Ben FRM

Diyot maksimum ileri akım

t P = 1ms

1000

A

V F (*1)

Diyot ileri voltajı

Ben F = 500A

2.10

2.60

V

Ben F = 500A, T vj = 125 °C

2.25

2.70

V

Ben F = 500A, T vj = 150 °C

2.25

2.70

V

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

90

nF

Q g

Geçit Ücreti

±15V

9

μC

C res

Ters transfer kapasite civata

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

2

nF

L M

Modül i̇ndüktans

25

nH

R INT

Dahili transistör direnci

310

μΩ

Ben SC

Kısa devre akım, Ben SC

T vj = 150°C, V CC = 2500V, V GE ≤ 15V, t p ≤ 10μs,

V CE (max ) = V CES – L (*2) × di /dt ,IEC 6074-9

1800

A

td ((off)

Kapatma gecikme süresi

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

ns

t f

Sonbahar zamanı

520

ns

E OFF

Kapatma enerji kaybı

780

mJ

td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

650

ns

- Evet.

Kalkma zamanı.

260

ns

Eon

Açma enerji kaybı

730

mJ

Qrr

Diyot ters geri yükleme yükü

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

390

μC

I rr

Diyot ters geri yükleme akımı

420

A

Erec

Diyot ters geri yükleme enerjisi

480

mJ

(Sembol)

(Parametre)

(Test Koşulları)

(Min)

(Tip)

(Maks)

(Birim)

td ((off)

Kapatma gecikme süresi

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

ns

t f

Sonbahar zamanı

550

ns

E OFF

Kapatma enerji kaybı

900

mJ

td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

630

ns

- Evet.

升时间 Kalkma zamanı.

280

ns

Eon

Açma enerji kaybı

880

mJ

Qrr

Diyot ters geri yükleme yükü

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

620

μC

I rr

Diyot ters geri yükleme akımı

460

A

Erec

Diyot ters geri yükleme enerjisi

760

mJ

(Sembol)

(Parametre)

(Test Koşulları)

(Min)

(Tip)

(Maks)

(Birim)

td ((off)

Kapatma gecikme süresi

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

ns

t f

Sonbahar zamanı

560

ns

E OFF

Kapatma enerji kaybı

1020

mJ

td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

620

ns

- Evet.

Kalkma zamanı.

280

ns

Eon

Açma enerji kaybı

930

mJ

Qrr

Diyot ters geri yükleme yükü

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

720

μC

I rr

Diyot ters geri yükleme akımı

490

A

Erec

Diyot ters geri yükleme enerjisi

900

mJ