Y75ZPA-B,Kapsülsüz Kaynak Diyodu

Ben T(AV)

18000A

V DRM V RRM

200V 400V

Sembolik

Karakteristik

Test koşulları

Tj( ℃ )

değer

Birim

min

TUR

max

IF(AV)

Ortalama ileri akım

180° yarım sinüs dalgası 50Hz

Çift taraflı soğutmalı, TC=85 。C

175

18000

A

VRRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

tp=10ms

175

200

400

V

IRRM

Tekrarlayan tepe akımı

VRRM'de

175

80

mA

IFSM

Aşırı Akım

10ms yarım sinüs dalgası VR=0VRRM

175

135

kA

I2t

Birleştirme koordinasyonu için I2t

90000

A2s*103

VFO

Sınır Voltajı

IFM=12000-24000A

175

0.75

V

rF

İleri eğim direnci

0.017

mΩ

VFM

Maks. Pik açık durum voltajı

IFM=6000A

25

1.00

V

Qrr

Geri Kazanım Yükü

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

175

300

μC

Rth(j-c)

Termal direnç Kesişimden kasaya

1800 sinüs, çift taraflı soğutmalı

0.003

。C /W

Rth(c-h)

Termal direnç kasa ile ısı emici arasında

0.0015

Fm

Montaj kuvveti

70

80

90

KN

Tvj

Çapraz sıcaklık

-40

175

。C

TSTG

Saklama sıcaklığı

-40

175

。C

Wt

Ağırlık

540

G

Çizelge

Z68T