Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

TG1400HF17H1-S300,IGBT Modülü,Yarım Köprü IGBT,CRRC

1400A 1700V

Brand:
CRRC
Spu:
TG1400HF17H1-S300
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,Yarım Köprü IGBT, CRRC tarafından üretilmiştir. 1700V 1400A.

Ana Parametreler

V CES

1700 V

V CE (sat) Tipik.

2.0 V

Ben C Max.

1400 A

Ben C(RM) Max.

2800 A

Tipik Uygulamalar

  • Motor sürücüler
  • yüksek Güç Dönüştürücüler
  • Rüzgar Türbinleri

Özellikler

Cu Taban Plakası

  • Al2O3 Alt Tabakaları
  • Yüksek Termal Döngü Kapasitesi
  • 10μs Kısa Devre Dayanımı

Kesin Maksimum Değerler

Sembolik

Parametre

Test koşulları

değer

birim

VCES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

VGE = 0V, TC= 25 °C

1700

V

VGES

Kapı-Emitör Voltajı

TC= 25 °C

± 20

V

Ic

Kollektör-emiter akımı

TC = 65 °C

1400

A

IC(PK)

集电极峰值电流

Zirve kollektör akımı

tp=1ms

2800

A

Pmax

Maks. transistör güç dağılımı

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

kw

I2t

Diyot I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Visol

İzolasyon voltajı - modül başına

Taban plakası ile ortak terminaller), AC RMS,1 dk, 50Hz, TC= 25 °C

4000

V

Elektriksel Özellikler

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

ICES

Kollektör kesme akımı

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

20

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

mA

IGES

Kapı sızıntı akımı

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

μA

VGE (TH)

Kapı eşik voltajı

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat)(*1)

Kollektör-emiter doygunluğu Voltaj

VGE =15V, IC = 1400A

2.00

2.40

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

V

IF

Diyot ileri akımı

DC

1400

A

IFRM

Diyot tepe ileri akımı

tp = 1ms

2800

A

VF(*1)

Diyot ileri voltajı

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

V

Isc

Kısa devre akımı

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

A

- Evet.

giriş elektrik kapasitesi

Girdi Kapasitesi

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

NF

Genel Merkezi

Geçit Ücreti

±15V

11.7

μC

Cres

Ters transfer kapasitansı

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

NF

LM

Modül endüktansı

10

nH

RINT

Dahili transistör direnci

0.2

Td ((off)

Kapatma gecikme süresi

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

ns

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

TF

Düşen zaman Sonbahar zamanı

Tvj= 25 °C

460

ns

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

Eof

Kapatma enerji kaybı

Tvj= 25 °C

460

mJ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

Td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

ns

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

- Evet.

Kalkma zamanı.

Tvj= 25 °C

112

ns

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

Eon

Açma enerji kaybı

Tvj= 25 °C

480

mJ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

Diyot Ters

Geri Kazanım Yükü

IF =1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

μC

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Irr

Diyot Ters

Geri kazanım akımı

Tvj= 25 °C

790

A

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Erec

Diyot Ters

geri kazanım enerjisi

Tvj= 25 °C

190

mJ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290

Çizelge

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000